公开(公告)号：DE102019125676B3

公开(公告)日：2021-01-21

申请号：DE102019125676

申请日：2019-09-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELL MICHAEL ,  LEENDERTZ CASPAR ,  GANNER THOMAS ,  ELPELT RUDOLF

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/18 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung (100). Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (102). Ein erstes Abschirmgebiet (104) eines ersten Leitfähigkeitstyps ist mit einem ersten Kontakt (106) an einer ersten Oberfläche (108) des Siliziumcarbid-Halbleiterkörpers (102) elektrisch verbunden. Ein Stromspreizgebiet (110) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist mit einem zweiten Kontakt (112) an einer zweiten Oberfläche (114) des Siliziumcarbid-Halbleiterkörpers (102) elektrisch verbunden. Das erste Abschirmgebiet (104) und das Stromspreizgebiet (110) bilden einen pn-Übergang (116). Ein Dotierungskonzentrationsprofil des Stromspreizgebiets (110) enthält eine Vielzahl von Spitzen entlang einer zur ersten Oberfläche (106) senkrechten vertikalen Richtung (y). Eine Dotierungskonzentration einer Spitze oder einer Spitzengruppe (P1) der Vielzahl von Dotierungsspitzen (P1, P2, P3, P4) ist um zumindest 50 % größer als eine Dotierungskonzentration irgendeiner anderen (P2, P3, P4) der Vielzahl von Spitzen des Stromspreizgebiets (110). Ein erster vertikaler Abstand (vd1) zwischen der einen Spitze oder der einen Spitzengruppe (P1) des Stromspreizgebiets (110) und der ersten Oberfläche (108) ist größer als ein zweiter vertikaler Abstand (vd2) zwischen der ersten Oberfläche (108) und einer maximalen Dotierungsspitze des ersten Abschirmgebiets (104) entlang der vertikalen Richtung (y)

公开(公告)号：DE102019130376A1

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102019130376

申请日：2019-11-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEENDERTZ CASPAR ,  ELPELT RUDOLF ,  ESTEVE ROMAIN ,  GANNER THOMAS ,  KONRATH JENS PETER ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) umfasst einen Siliziumcarbid-Körper (100), der ein Sourcegebiet (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein Kathodengebiet (160) des ersten Leitfähigkeitstyps und Trenngebiete (140) eines zweiten Leitfähigkeitstyps enthält. Eine streifenförmige Gatestruktur (150) erstreckt sich entlang einer ersten Richtung (291) und grenzt direkt an das Sourcegebiet (110) und die Trenngebiete (140). Die Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält ferner eine erste Lastelektrode (310). Entlang der ersten Richtung (291) ist das Kathodengebiet (160) zwischen zwei der Trenngebiete (140) gelegen, und zumindest eines der Trenngebiete (140) ist zwischen dem Kathodengebiet (160) und dem Sourcegebiet (110) gelegen. Die Sourcegebiete (110) und die erste Lastelektrode (310) bilden einen ohmschen Kontakt (OC), und die erste Lastelektrode (310) und das Kathodengebiet (160) bilden einen Schottky-Kontakt (SC).

公开(公告)号：DE102019124371B9

公开(公告)日：2021-04-29

申请号：DE102019124371

申请日：2019-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOLLMITZER BENJAMIN ,  GANNER THOMAS

IPC: G01B7/30

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Vorrichtung (20) zum Ermitteln eines Drehwinkels (θ) eines eine Orientierung eines Magnetfelds beeinflussenden Messobjekts (11; 12) mit Rotationsachse in z-Richtung, die Vorrichtung (20) umfassend:wenigstens drei gleichmäßig um die Rotationsachse angeordnete erste Magnetfeldsensorelemente (Z1, Z2; Z3; Z4), welche jeweils für Magnetfeldkomponenten in z-Richtung sensitiv sind;wenigstens drei gleichmäßig um die Rotationsachse angeordnete zweite Magnetfeldsensorelemente (X1; Y2, X3, Y4), welche jeweils für Magnetfeldkomponenten in einer x-y-Ebene sensitiv sind;eine Einrichtung (26) zum Ermitteln des Drehwinkels (θ) basierend auf einem ersten Kombinationssignal (ΔZn), das auf einer ersten Kombination von Messsignalen der ersten Magnetfeldsensorelemente beruht, einem zweiten Kombinationssignal (ΔZd), das auf einer zweiten Kombination von Messsignalen der ersten Magnetfeldsensorelemente beruht, einem dritten Kombinationssignal (ΔVn), das auf einer ersten Kombination von Messsignalen der zweiten Magnetfeldsensorelemente beruht, einem vierten Kombinationssignal (ΔVd), das auf einer zweiten Kombination von Messsignalen der zweiten Magnetfeldsensorelemente beruht.

公开(公告)号：DE102019124371B3

公开(公告)日：2021-02-25

申请号：DE102019124371

申请日：2019-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOLLMITZER BENJAMIN ,  GANNER THOMAS

IPC: G01B7/30

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Vorrichtung (20) zum Ermitteln eines Drehwinkels (θ) eines eine Orientierung eines Magnetfelds beeinflussenden Messobjekts (11; 12) mit Rotationsachse in z-Richtung, die Vorrichtung (20) umfassend:wenigstens drei gleichmäßig um die Rotationsachse angeordnete erste Magnetfeldsensorelemente (Z1, Z2; Z3; Z4), welche jeweils für Magnetfeldkomponenten in z-Richtung sensitiv sind;wenigstens drei gleichmäßig um die Rotationsachse angeordnete zweite Magnetfeldsensorelemente (X1; Y2, X3, Y4), welche jeweils für Magnetfeldkomponenten in einer x-y-Ebene sensitiv sind;eine Einrichtung (26) zum Ermitteln des Drehwinkels (θ) basierend auf einem ersten Kombinationssignal (ΔZn), das auf einer ersten Kombination von Messsignalen der ersten Magnetfeldsensorelemente beruht, einem zweiten Kombinationssignal (ΔZd), das auf einer zweiten Kombination von Messsignalen der ersten Magnetfeldsensorelemente beruht, einem dritten Kombinationssignal (ΔVn), das auf einer ersten Kombination von Messsignalen der zweiten Magnetfeldsensorelemente beruht, einem vierten Kombinationssignal (ΔVd), das auf einer zweiten Kombination von Messsignalen der zweiten Magnetfeldsensorelemente beruht.