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公开(公告)号:DE102012201172B4
公开(公告)日:2019-08-29
申请号:DE102012201172
申请日:2012-01-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GRÖNING TORSTEN , ESSERT MARK , STEININGER CHRISTIAN , TSCHIRBS ROMAN
IPC: H01L21/50 , H01L21/48 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit folgenden Schritten:Bereitstellen einer Bodenplatte (4), die eine Oberseite (41) und eine der Oberseite (41) entgegengesetzte Unterseite (42) aufweist;Durchführen eines Prägeschrittes, bei dem eine oder mehrere Vertiefungen (40) in die Bodenplatte (4) eingeprägt werden, die sich jeweils ausgehend von der Oberseite (41) in die Bodenplatte (4) hinein erstrecken und in deren Bereich die Dicke (d4) der Bodenplatte (4) lokal reduziert ist;Durchführen eines Biegeschrittes, bei dem die Bodenplatte (4), vor oder nach dem Prägeschritt, mit einer Krümmung versehen wird;Bereitstellen eines Schaltungsträgers (2);Anordnen des Schaltungsträgers (2) oberhalb der Vertiefung (40) auf der Oberseite (41); undVerbinden des Schaltungsträgers (2) mit der Bodenplatte (4), so dass sich die Vertiefung (40) vollständig oder zumindest teilweise zwischen dem Schaltungsträger (2) und der Unterseite (42) der Bodenplatte (4) befindet, wobeidie Vertiefung (40) durch einen ringförmig geschlossenen Graben gebildet wirdoder die Vertiefung (40) zwei sich überkreuzende Gräben (40a, 40b) aufweist.
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公开(公告)号:DE102013216035B3
公开(公告)日:2015-01-22
申请号:DE102013216035
申请日:2013-08-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GRÖNING TORSTEN , SPANKE REINHOLD , FROEBUS DIRK , HUNGER THOMAS
Abstract: Ein Aspekt der Erfindung bezieht sich auf ein Leistungshalbleitermodul. Gemäß einem Beispiel der Erfindung umfasst das Leistungshalbleitermodul ein Leistungselektronik-Substrat mit einer Metallisierung und mehreren darauf angeordneten Leistungshalbleiterchips. Das Leistungshalbleitermodul umfasst des Weiteren ein Gehäuse, in dem das Leistungselektronik-Substrat angeordnet ist, und mindestens ein Anschlusselement, welches durch eine korrespondierende Öffnung im Gehäuse durchgeführt ist. Das Anschlusselement ist dabei von einer Dichtung umgeben, welche in einem Dichtspalt zwischen Anschlusselement und Gehäuse so angeordnet ist, dass dieser abgedichtet ist.
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