Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit geprägter Bodenplatte

    公开(公告)号:DE102012201172B4

    公开(公告)日:2019-08-29

    申请号:DE102012201172

    申请日:2012-01-27

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit folgenden Schritten:Bereitstellen einer Bodenplatte (4), die eine Oberseite (41) und eine der Oberseite (41) entgegengesetzte Unterseite (42) aufweist;Durchführen eines Prägeschrittes, bei dem eine oder mehrere Vertiefungen (40) in die Bodenplatte (4) eingeprägt werden, die sich jeweils ausgehend von der Oberseite (41) in die Bodenplatte (4) hinein erstrecken und in deren Bereich die Dicke (d4) der Bodenplatte (4) lokal reduziert ist;Durchführen eines Biegeschrittes, bei dem die Bodenplatte (4), vor oder nach dem Prägeschritt, mit einer Krümmung versehen wird;Bereitstellen eines Schaltungsträgers (2);Anordnen des Schaltungsträgers (2) oberhalb der Vertiefung (40) auf der Oberseite (41); undVerbinden des Schaltungsträgers (2) mit der Bodenplatte (4), so dass sich die Vertiefung (40) vollständig oder zumindest teilweise zwischen dem Schaltungsträger (2) und der Unterseite (42) der Bodenplatte (4) befindet, wobeidie Vertiefung (40) durch einen ringförmig geschlossenen Graben gebildet wirdoder die Vertiefung (40) zwei sich überkreuzende Gräben (40a, 40b) aufweist.

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