公开(公告)号：DE102012201172B4

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE102012201172

申请日：2012-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRÖNING TORSTEN ,  ESSERT MARK ,  STEININGER CHRISTIAN ,  TSCHIRBS ROMAN

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/367 ,  H01L23/40

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit folgenden Schritten:Bereitstellen einer Bodenplatte (4), die eine Oberseite (41) und eine der Oberseite (41) entgegengesetzte Unterseite (42) aufweist;Durchführen eines Prägeschrittes, bei dem eine oder mehrere Vertiefungen (40) in die Bodenplatte (4) eingeprägt werden, die sich jeweils ausgehend von der Oberseite (41) in die Bodenplatte (4) hinein erstrecken und in deren Bereich die Dicke (d4) der Bodenplatte (4) lokal reduziert ist;Durchführen eines Biegeschrittes, bei dem die Bodenplatte (4), vor oder nach dem Prägeschritt, mit einer Krümmung versehen wird;Bereitstellen eines Schaltungsträgers (2);Anordnen des Schaltungsträgers (2) oberhalb der Vertiefung (40) auf der Oberseite (41); undVerbinden des Schaltungsträgers (2) mit der Bodenplatte (4), so dass sich die Vertiefung (40) vollständig oder zumindest teilweise zwischen dem Schaltungsträger (2) und der Unterseite (42) der Bodenplatte (4) befindet, wobeidie Vertiefung (40) durch einen ringförmig geschlossenen Graben gebildet wirdoder die Vertiefung (40) zwei sich überkreuzende Gräben (40a, 40b) aufweist.

公开(公告)号：DE102014117020A1

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：DE102014117020

申请日：2014-11-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEUCK NICOLAS ,  OTTO FREDERIK ,  STEININGER CHRISTIAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem Halbleiterchip (1) und einer Metallschicht (21). Hierzu werden ein Halbleiterchip (1) bereitgestellt, eine Metallschicht (2), die einen Chipmontageabschnitt (21c) aufweist, sowie ein ein Metallpulver enthaltendes Verbindungsmittel (3). Das Metallpulver wird in einem Sinterprozess gesintert. Hierbei sind während einer vorgegebenen Sinterdauer ununterbrochen die Vorgaben erfüllt, dass das Verbindungsmittel (3) zwischen dem Halbleiterchip (1) und der Metallschicht (21) angeordnet ist und sich durchgehend von dem Halbleiterchip (1) bis zu der Metallisierungsschicht (21) erstreckt, dass der Halbleiterchip (1) und die Metallschicht (21) in einem Anpressdruckbereich gegeneinander gepresst werden, der oberhalb eines Mindestanpressdrucks liegt, dass das Verbindungsmittel (3) in einem Temperaturbereich gehalten wird, der oberhalb einer Mindesttemperatur liegt, und dass ein Schallsignal (SUS) in das Verbindungsmittel (3) eingekoppelt wird.

公开(公告)号：DE102012210158A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：DE102012210158

申请日：2012-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STEININGER CHRISTIAN ,  LENNIGER ANDREAS

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/58 ,  H01L23/13

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul und einer Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls. Das Halbleitermodul umfasst eine Bodenplatte (4) mit einer Oberseite (41) und einer der Oberseite (41) entgegengesetzten Unterseite (42), sowie einen Schaltungsträger (2), der mit einem oder mehreren Halbleiterchips (1) bestückt und auf der Oberseite (41) angeordnet ist. Unterhalb des Schaltungsträgers (2) weist die Bodenplatte (4) einen verdickten Abschnitt (45) auf, mit dem der Schaltungsträger (2) mittels eines Lotes (3) verlötet ist. Dabei ist die maximale Dicke (D45) des verdickten Abschnittes (45) größer als die mittlere Dicke ( ) der Bodenplatte (4). Zur Herstellung eines Halbleitermoduls werden ein mit einem oder mehreren Halbleiterchips (1) bestückter Schaltungsträger (2) und eine Bodenplatte (4). Die Bodenplatte (4) weist eine Oberseite (41), eine der Oberseite (41) entgegengesetzte Unterseite (42), eine mittlere Dicke ( ) und einen verdickten Abschnitt (45) auf, wobei die maximale Dicke (D45) des verdickten Abschnitts (45) größer ist als die mittlere Dicke ( ) der Bodenplatte (4). Der Schaltungsträgers (2) wir mit dem verdickten Abschnitt (45) mittels eines Lotes (3) an der Oberseite (41) verlötet.

公开(公告)号：DE102012201172A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE102012201172

申请日：2012-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GROENING TORSTEN ,  ESSERT MARK ,  STEININGER CHRISTIAN ,  TSCHIRBS ROMAN

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58 ,  H01L23/40

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (100) mit einer Bodenplatte (4) und einem Schaltungsträger (2). Die Bodenplatte (4) besitzt eine Oberseite (41), eine Unterseite (42), sowie eine in die Bodenplatte (4) eingeprägte Vertiefung (40), die sich ausgehend von der Oberseite (41) in die Bodenplatte (4) hinein erstreckt. Der Schaltungsträger (2) ist oberhalb der Vertiefung (40) auf der Oberseite (41) der Bodenplatte (4) angeordnet, so dass sich die Vertiefung (40) vollständig oder zumindest teilweise zwischen dem Schaltungsträger (2) und der Unterseite (42) der Bodenplatte (4) befindet.