Multi-Chip-Halbleiterleistungsgehäuse

    公开(公告)号:DE102016101433A1

    公开(公告)日:2017-07-27

    申请号:DE102016101433

    申请日:2016-01-27

    Abstract: Ein Halbleitergehäuse umfasst einen elektrisch leitfähigen Träger mit einer Montageoberfläche, eine erste Halbleiterleistungsvorrichtung der ersten Ebene, die eine erste Lastelektrode aufweist, die über der Montageoberfläche des elektrisch leitfähigen Trägers montiert ist und die eine zweite Lastelektrode, entgegengesetzt zur ersten Elektrode, aufweist. Das Gehäuse umfasst ferner eine zweite Halbleiterleistungsvorrichtung der ersten Ebene, die eine erste Lastelektrode aufweist, die über der Montageoberfläche des elektrisch leitfähigen Trägers montiert ist und eine zweite Lastelektrode, entgegengesetzt zur ersten Elektrode, aufweist. Eine erste Verbindungsklemme weist eine erste Oberfläche auf, die mit der zweiten Lastelektrode der ersten Halbleitervorrichtung der ersten Ebene verbunden ist und weist eine Montageoberfläche, entgegengesetzt zur ersten Oberfläche auf. Eine zweite Verbindungsklemme weist eine erste Oberfläche auf, die mit der zweiten Lastelektrode der zweiten Halbleiterleistungsvorrichtung der ersten Ebene verbunden ist und weist eine Montageoberfläche, entgegengesetzt zur ersten Oberfläche, auf. Das Gehäuse umfasst eine erste Halbleiterleistungsvorrichtung der zweiten Ebene, die eine erste Lastelektrode aufweist, die über der Montageoberfläche des ersten Verbindungselements montiert ist und weist eine zweite Lastelektrode, entgegengesetzt zur ersten Elektrode, auf, und umfasst eine zweite Halbleiterleistungsvorrichtung der zweiten Ebene, die eine erste Lastelektrode aufweist, die über der Montageoberfläche des zweiten Verbindungselements montiert ist und weist eine zweite Lastelektrode, entgegengesetzt zur ersten Elektrode, auf.

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