公开(公告)号：DE102024121252A1

公开(公告)日：2025-02-13

申请号：DE102024121252

申请日：2024-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCH MICHAEL ,  HANEKAMP PATRICK ,  ROBL WERNER ,  PRÜGL KLEMENS ,  ZIMMER JÜRGEN ,  OSWALD CHRISTOPH

IPC: H10N50/00 ,  C25D3/12 ,  C25D3/20 ,  H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52

Abstract: Eine Schichtstruktur enthält ein siliziumbasiertes Substrat, das eine Substratoberfläche umfasst; eine Titan-Kupfer-Keimschicht, die auf der Substratoberfläche angeordnet ist, wobei die Titan-Kupfer-Keimschicht eine Titanschicht und eine Kupferschicht umfasst, wobei die Titanschicht auf der Substratoberfläche angeordnet ist, so dass kovalente Bindungen zwischen der Titanschicht und Silizium des siliziumbasierten Substrats ausgebildet werden, und wobei die Kupferschicht direkt auf der Titanschicht angeordnet ist, so dass die Titanschicht zwischen der Substratoberfläche und der Kupferschicht angeordnet ist; und eine Nickel-Eisen-Plattierungsschicht, die direkt auf der Kupferschicht der Titan-Kupfer-Keimschicht angeordnet ist, so dass die Titan-Kupfer-Keimschicht zwischen dem siliziumbasierten Substrat und der Nickel-Eisen-Plattierungsschicht angeordnet ist.