公开(公告)号：DE102015117176B4

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：DE102015117176

申请日：2015-10-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUHL GÜNTHER ,  PRÜGL KLEMENS

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324

Abstract: Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Trägers, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:gemeinsames Abscheiden mindestens eines Metalls aus einer ersten Quelle durch ein erstes Gasphasenabscheidungsverfahren und von Kohlenstoff aus einer zweiten Quelle durch ein zweites Gasphasenabscheidungsverfahren auf einer Oberfläche des Trägers, um eine erste Schicht zu bilden (110), wobei das erste Gasphasenabscheidungsverfahren und das zweite Gasphasenabscheidungsverfahren gleichzeitig ausgeführt werden und/oder abwechselnd derart ausgeführt werden, dass eine Mehrzahl von Metallschichten und eine Mehrzahl von Kohlenstoffschichten abwechselnd übereinandergestapelt werden,Bilden einer zweiten Schicht über der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht ein Diffusionssperrmaterial aufweist, und wobei die Löslichkeit von Kohlenstoff in dem Diffusionssperrmaterial geringer als in dem mindestens einen Metall ist (120), und,anschließend, Bilden einer Graphen-Schicht (208) aus der ersten Schicht an der Oberfläche des Trägers durch eine Temperaturbehandlung (130).

公开(公告)号：DE102024121252A1

公开(公告)日：2025-02-13

申请号：DE102024121252

申请日：2024-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCH MICHAEL ,  HANEKAMP PATRICK ,  ROBL WERNER ,  PRÜGL KLEMENS ,  ZIMMER JÜRGEN ,  OSWALD CHRISTOPH

IPC: H10N50/00 ,  C25D3/12 ,  C25D3/20 ,  H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52

Abstract: Eine Schichtstruktur enthält ein siliziumbasiertes Substrat, das eine Substratoberfläche umfasst; eine Titan-Kupfer-Keimschicht, die auf der Substratoberfläche angeordnet ist, wobei die Titan-Kupfer-Keimschicht eine Titanschicht und eine Kupferschicht umfasst, wobei die Titanschicht auf der Substratoberfläche angeordnet ist, so dass kovalente Bindungen zwischen der Titanschicht und Silizium des siliziumbasierten Substrats ausgebildet werden, und wobei die Kupferschicht direkt auf der Titanschicht angeordnet ist, so dass die Titanschicht zwischen der Substratoberfläche und der Kupferschicht angeordnet ist; und eine Nickel-Eisen-Plattierungsschicht, die direkt auf der Kupferschicht der Titan-Kupfer-Keimschicht angeordnet ist, so dass die Titan-Kupfer-Keimschicht zwischen dem siliziumbasierten Substrat und der Nickel-Eisen-Plattierungsschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102014110438B4

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：DE102014110438

申请日：2014-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PRÜGL KLEMENS

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L43/12

Abstract: Sensorvorrichtung (10; 73), welche Folgendes umfasst:einen ersten magnetoresistiven Sensorstapel (12; 20; 30; 50), wobei der erste magnetoresistive Sensorstapel (12; 20; 30; 50) eine erste freie Schicht (530) umfasst, die für ein erstes Magnetfeld an der ersten freien Schicht (530) empfindlich ist, undeinen zweiten magnetoresistiven Sensorstapel (13; 21; 31; 51), der auf dem ersten magnetoresistiven Sensorstapel (12; 20; 30; 50) bereitgestellt ist, wobei der zweite magnetoresistive Sensorstapel (13; 21; 31; 51) eine zweite freie Schicht (520) umfasst, die für ein zweites Magnetfeld an der zweiten freien Schicht (520) empfindlich ist,wobei der erste magnetoresistive Sensorstapel (12; 20; 30; 50) und der zweite magnetoresistive Sensorstapel (13; 21; 31; 51) wenigstens eine gemeinsam verwendete Schicht (525) umfassen, undwobei wenigstens einer von dem ersten (12; 20; 30; 50) oder dem zweiten magnetoresistiven Sensorstapel (13; 21; 31; 51) eine antiferromagnetische Schicht (534, 535) umfasst, die angrenzend an die jeweilige erste (530) oder zweite (520) freie Schicht bereitgestellt ist.

公开(公告)号：DE102016204886A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE102016204886

申请日：2016-03-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PRÜGL KLEMENS ,  RABERG WOLFGANG ,  STRASSER ANDREAS ,  ZIMMER JUERGEN

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: Eine magnetoresistive Einrichtung kann eine erste magnetische Schichtstruktur mit einer ersten Länge, eine Barrierenschicht, die auf der ersten magnetischen Schichtstruktur angeordnet ist, eine zweite magnetische Schichtstruktur, die auf der Barrierenschicht angeordnet ist und eine zweite Länge besitzt, die kleiner ist als die erste Länge, enthalten.

公开(公告)号：DE102015117176A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：DE102015117176

申请日：2015-10-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PRÜGL KLEMENS ,  RUHL GÜNTHER

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Trägers Folgendes umfassen: gemeinsames Abscheiden mindestens eines Metalls aus einer ersten Quelle und von Kohlenstoff aus einer zweiten Quelle auf einer Oberfläche des Trägers, um eine erste Schicht zu bilden, Bilden einer zweiten Schicht über der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht ein Diffusionssperrmaterial aufweist, und wobei die Löslichkeit von Kohlenstoff in dem Diffusionssperrmaterial geringer als in dem mindestens einen Metall ist, und Bilden einer Graphen-Schicht aus der ersten Schicht an der Oberfläche des Trägers durch eine Temperaturbehandlung.

公开(公告)号：DE102014110438A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：DE102014110438

申请日：2014-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PRÜGL KLEMENS

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09

Abstract: Es sind Sensorvorrichtungen und Verfahren vorgesehen, wobei ein zweiter magnetoresistiver Sensorstapel auf einem ersten magnetoresistiven Sensorstapel bereitgestellt ist.

公开(公告)号：DE102012202643B4

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102012202643

申请日：2012-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOLB STEFAN ,  PRÜGL KLEMENS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZANKL ANDREAS

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Verfahren zur Bildung eines monolithisch integrierten Sensorelements, das folgende Merkmale aufweist: Bilden eines MEMS-Bauelements (200) auf einem Substrat (202) durch: Bilden einer Opferschicht (206) auf dem Substrat (202), Abscheiden einer ersten Siliziumschicht (208) auf der Opferschicht (206), wobei die erste Siliziumschicht (208) zumindest eine Freigabeapertur (210) aufweist, Bilden eines Hohlraums (212) in der Opferschicht (206) durch Entfernen eines Teils der Opferschicht (206) über die zumindest eine Freigabeapertur (210), Füllen des Hohlraums (212) und der mindestens einen Freigabeapertur (210) mit einem isolierenden Füllmaterial (214), Bilden weiterer Freigabeaperturen (216) in der ersten Siliziumschicht (208) über der verbliebenen Opferschicht (206), Bilden eines weiteren Hohlraums (218) in der verbliebenen Opferschicht (206) über die weiteren Freigabeaperturen (216); und Abdichten des weiteren Hohlraums (218) durch Abscheiden einer zweiten Siliziumschicht; undBilden eines elektrischen Bauelements auf dem Substrat (202) neben dem MEMS-Bauelement (200).