公开(公告)号：DE102023123227A1

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE102023123227

申请日：2023-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HASSAN MAHADI-UL ,  PAVIER MARK

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/485

Abstract: Es wird ein eingebettetes Chipgehäuse bereitgestellt. Das eingebettete Chipgehäuse beinhaltetet einen Chip, ein elektrisch isolierendes Material, das den Chip mindestens teilweise einkapselt, mindestens eine Metallschicht, die konfiguriert ist zum Bereitstellen mindestens einer elektrisch leitfähigen Verbindung mit dem Chip und einen Informationssektor, der codierte Informationen über das eingebettete Chipgehäuse beinhaltet, wobei die Informationen in dem Informationssektor als ein Muster aus elektrisch leitfähigen Abschnitten und elektrisch isolierenden Abschnitten codiert sind.

公开(公告)号：DE102021101010A1

公开(公告)日：2022-07-21

申请号：DE102021101010

申请日：2021-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PALM PETTERI ,  ABDELHAMID ESLAM ,  GEBHARD THOMAS ,  HASSAN MAHADI-UL ,  SANCHEZ JUAN ,  VIELEMEYER MARTIN HENNING

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Ein vorgehäuster Chip wird bereitgestellt. Der vorgehäuste Chip kann einen Chip aufweisen mit mindestens einem elektrischen oberen Kontakt auf einer Oberseite des Chips und mindestens einem elektrischen unteren Kontakt auf einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite, eine erste Laminatschicht auf der Oberseite, eine zweite Laminatschicht auf der Unterseite, wobei die erste Laminatschicht und die zweite Laminatschicht zusammenlaminiert sind, um den Chip sandwichartig dazwischen aufzunehmen, eine erste Metallschicht auf der ersten Laminatschicht, die über mindestens ein oberes Kontaktloch durch die erste Laminatschicht mit dem mindestens einen elektrischen oberen Kontakt in elektrischem Kontakt ist, und eine zweite Metallschicht auf der zweiten Laminatschicht, die über mindestens ein unteres Kontaktloch durch die zweite Laminatschicht mit dem mindestens einen elektrischen unteren Kontakt in elektrischem Kontakt ist, wobei der vorgehäuste Chip frei von jedem Kontaktloch ist, das sich von der ersten Metallschicht zur zweiten Metallschicht erstreckt.