公开(公告)号：DE102013111293A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102013111293

申请日：2013-10-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEIDENBLUT MARIA ,  LESCHIK GERHARD ,  MACKH GUNTHER

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: Ein Wafer (400) gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann aufweisen: mindestens eine Metallisierungsstruktur, die mindestens eine Öffnung (404) aufweist; und mindestens eine Trennlinienregion (402), entlang welcher der Wafer (400) zerteilt werden soll, wobei die mindestens eine Trennlinienregion (402) die mindestens eine Öffnung (404) schneidet.

公开(公告)号：DE102013111016B4

公开(公告)日：2022-06-30

申请号：DE102013111016

申请日：2013-10-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEIDENBLUT MARIA ,  KOLLER ADOLF ,  MACKH GUNTHER ,  SOTNIKOV ANATOLY

IPC: H01L21/30

Abstract: Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements (100), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Ausbilden einer Nut (60) mittels eines Laserablationsverfahrens durch eine Metallisierungsschicht, die über einem Siliziumsubstrat (10) angeordnet ist, wobei sich die Nut (60) in das Siliziumsubstrat (10) und die Metallisierungsschicht erstreckt, welche mit Bauelementregionen (110) in dem Siliziumsubstrat gekoppelt ist;Ausbilden einer Trennschicht (210) mittels eines Stealth-Dicing-Laserverfahrens unter der Nut (60) innerhalb des Siliziumsubstrats (10), wobei das Stealth-Dicing-Laserverfahren mit mehreren Scandurchläufen erfolgt und ein Fokuspunkt eines Laserstrahls des Stealth-Dicing-Laserverfahren mit jedem weiteren Scandurchlauf der mehreren Scandurchläufe fortlaufend tiefer in das Substrat justiert wird,wobei für das Laserablationsverfahren Licht bei einer Wellenlänge zwischen Ultraviolett und Infrarot verwendet wird und wobei für das Stealth-Dicing-Laserverfahren Licht bei einer Wellenlänge oberhalb von 900 nm verwendet wird;Befestigen des Siliziumsubstrats (10) auf einem Band; undVereinzeln des Siliziumsubstrats (10) mittels eines Banddehnverfahrens an dem Band mit dem Siliziumsubstrat (10), wobei ein Riss von der Nut (60) durch die Trennschicht (210) erzeugt wird, indem das Band gedehnt wird.

公开(公告)号：DE102021104234B3

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102021104234

申请日：2021-02-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ANANIEV SERGEY ,  BAUER ANDREAS ,  GOROLL MICHAEL ,  HEIDENBLUT MARIA ,  KAISER STEFAN ,  MACKH GUNTHER ,  MUTAMBA KABULA ,  PUFALL REINHARD ,  REUTHER GEORG

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/78 ,  H01L23/532

Abstract: Ein Halbleiterchip mit einer Rissstoppstruktur wird offenbart. Die Rissstoppstruktur umfasst eine oder mehrere Aussparungen, die in dem Halbleiterchip ausgebildet sind. Die eine oder mehreren Aussparungen erstrecken sich benachbart zu und entlang einer Peripherie des Halbleiterchips. Die eine oder die mehreren Aussparungen sind mit einem Metallmaterial gefüllt. Das Metallmaterial hat eine intrinsische Zugspannung bei Raumtemperatur, die hoch genug ist, um zumindest in einem Bereich der Peripherie des Halbleiterchips eine Druckspannung zu induzieren.

公开(公告)号：DE102013111016A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE102013111016

申请日：2013-10-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEIDENBLUT MARIA ,  KOLLER ADOLF ,  MACKH GUNTHER ,  SOTNIKOV ANATOLY

IPC: H01L21/30

Abstract: Bei einer Ausführungsform weist ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements (100) auf das Ausbilden einer Nut (60) auf und/oder über einer ersten Seite (11) eines Substrats (10). Eine Trennschicht (210) wird mithilfe eines Laserverfahrens von einer zweiten Seite (12) des Substrats (10) aus ausgebildet. Die zweite Seite (12) liegt gegenüber der ersten Seite (11). Die Trennschicht (210) ist unter der Nut (60) innerhalb des Substrats (10) angeordnet. Das Substrat (10) wird durch die Trennschicht (210) in einzelne Teile getrennt.