公开(公告)号：DE102021104234B3

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102021104234

申请日：2021-02-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ANANIEV SERGEY ,  BAUER ANDREAS ,  GOROLL MICHAEL ,  HEIDENBLUT MARIA ,  KAISER STEFAN ,  MACKH GUNTHER ,  MUTAMBA KABULA ,  PUFALL REINHARD ,  REUTHER GEORG

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/78 ,  H01L23/532

Abstract: Ein Halbleiterchip mit einer Rissstoppstruktur wird offenbart. Die Rissstoppstruktur umfasst eine oder mehrere Aussparungen, die in dem Halbleiterchip ausgebildet sind. Die eine oder mehreren Aussparungen erstrecken sich benachbart zu und entlang einer Peripherie des Halbleiterchips. Die eine oder die mehreren Aussparungen sind mit einem Metallmaterial gefüllt. Das Metallmaterial hat eine intrinsische Zugspannung bei Raumtemperatur, die hoch genug ist, um zumindest in einem Bereich der Peripherie des Halbleiterchips eine Druckspannung zu induzieren.