公开(公告)号：DE102014112690A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102014112690

申请日：2014-09-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARIANI FRANCO ,  BAUER ANDREAS ,  HESS REINHARD ,  LESCHIK GERHARD

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3065

Abstract: Ein Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Halbleiter-Wafers, der mehrere Halbleiterchips umfasst, das Ausbilden einer ersten Risslinie auf der Vorderseite des Halbleiter-Wafers, worin die erste Risslinie eine erste Breite aufweist und Halbleiterchips des Halbleiter-Wafers voneinander trennt, das Ausbilden einer zweiten Risslinie auf der Vorderseite des Halbleiter-Wafers, worin die zweite Risslinie eine zweite Breite aufweist und Halbleiterchips des Halbleiter-Wafers voneinander trennt, worin die erste Risslinie und die zweite Risslinie sich in einem Überkreuzungsbereich überschneiden, der größer ist als das Produkt der ersten Breite und der zweiten Breite, und das Plasmaätzen des Halbleiter-Wafers im Überkreuzungsbereich.

公开(公告)号：DE102021104234B3

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102021104234

申请日：2021-02-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ANANIEV SERGEY ,  BAUER ANDREAS ,  GOROLL MICHAEL ,  HEIDENBLUT MARIA ,  KAISER STEFAN ,  MACKH GUNTHER ,  MUTAMBA KABULA ,  PUFALL REINHARD ,  REUTHER GEORG

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/78 ,  H01L23/532

Abstract: Ein Halbleiterchip mit einer Rissstoppstruktur wird offenbart. Die Rissstoppstruktur umfasst eine oder mehrere Aussparungen, die in dem Halbleiterchip ausgebildet sind. Die eine oder mehreren Aussparungen erstrecken sich benachbart zu und entlang einer Peripherie des Halbleiterchips. Die eine oder die mehreren Aussparungen sind mit einem Metallmaterial gefüllt. Das Metallmaterial hat eine intrinsische Zugspannung bei Raumtemperatur, die hoch genug ist, um zumindest in einem Bereich der Peripherie des Halbleiterchips eine Druckspannung zu induzieren.

公开(公告)号：DE102014112690B4

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：DE102014112690

申请日：2014-09-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARIANI FRANCO ,  BAUER ANDREAS ,  HESS REINHARD ,  LESCHIK GERHARD

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3065

Abstract: Verfahren zur Trennung von Halbleiterchips, umfassend:Bereitstellen eines Halbleiter-Wafers, der mehrere Halbleiterchips umfasst;Ausbilden einer ersten Risslinie auf einer Vorderseite des Halbleiter-Wafers, wobei die erste Risslinie eine erste Breite aufweist und Halbleiterchips des Halbleiter-Wafers voneinander trennt;Ausbilden einer zweiten Risslinie auf der Vorderseite des Halbleiter-Wafers, wobei die zweite Risslinie eine zweite Breite aufweist und Halbleiterchips des Halbleiter-Wafers voneinander trennt, wobei die erste Risslinie und die zweite Risslinie sich in einem Überkreuzungsbereich überschneiden, der größer ist als ein Produkt der ersten Breite und der zweiten Breite;Plasmaätzen des Halbleiter-Wafers im Überkreuzungsbereich, wobei das Plasmaätzen des Halbleiter-Wafers ein Ausbilden eines Grabens in dem Halbleiter-Wafer umfasst, und wobei ein Boden und eine Seitenwand des Grabens einen Winkel von weniger als 70° bilden; undEntfernen von Halbleitermaterial von einer Rückseite des Halbleiter-Wafers nach dem Plasmaätzen, bis zumindest einer der mehreren Halbleiterchips von dem Halbleiter-Wafer getrennt ist, wobei das Entfernen des Halbleitermaterials zumindest eines von Abschleifen und Polieren umfasst.