公开(公告)号：DE102017108566A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102017108566

申请日：2017-04-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DRAGHICI MIHAI ,  ESTEVE ROMAIN ,  FISHER CRAIG ARTHUR ,  HEIDORN CHRISTIAN ,  HOECHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/18

Abstract: Ein Verfahren zur Verringerung von Defekten einer SiC-Schicht umfasst das Aktivieren von Dotierstoffen, die in einer SiC-Schicht angeordnet sind, das Abscheiden einer kohlenstoffreichen Schicht auf der SiC-Schicht nach dem Aktivieren der Dotierstoffe, das Tempern der kohlenstoffreichen Schicht, um Graphit auf der SiC-Schicht zu bilden, und das Diffundieren von Kohlenstoff aus dem Graphit in die SiC-Schicht. Aus dem Graphit diffundierter Kohlenstoff füllt Kohlenstofffehlstellen in der SiC-Schicht.