公开(公告)号：DE102015117286B4

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：DE102015117286

申请日：2015-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  KUECK DANIEL ,  RUPP ROLAND ,  PETERS DETHARD ,  BERGNER WOLFGANG ,  POENARIU VICTORINA ,  UNEGG GERALD ,  REINWALD GERALD

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/263 ,  H01L21/322 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst: Ausbilden eines Grabens (190), der sich von einer Hauptoberfläche (101a) in eine kristalline Siliziumcarbid-Halbleiterschicht (100a) erstreckt; Ausbilden einer Maske (400), die eine Maskenöffnung (401) umfasst, wobei die Maskenöffnung (401) den Graben (190) und eine Randsektion (105) der Hauptoberfläche (101) um den Graben (190) freilegt; Amorphisieren, durch Bestrahlung mit einem Teilchenstrahl (990), eines erstes Abschnitts (181) der Halbleiterschicht (100a), der durch die Maskenöffnung (401) freigelegt ist, und eines zweiten Abschnitts (182), der außerhalb der vertikalen Projektion der Maskenöffnung (401) liegt und an den ersten Abschnitt (181) direkt angrenzt, wobei eine vertikale Ausdehnung des amorphisierten zweiten Abschnitts (182) mit zunehmender Distanz zum ersten Abschnitt (181) allmählich abnimmt; und Entfernen der amorphisierten ersten und zweiten Abschnitte (181, 182).

公开(公告)号：DE102017108566A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102017108566

申请日：2017-04-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DRAGHICI MIHAI ,  ESTEVE ROMAIN ,  FISHER CRAIG ARTHUR ,  HEIDORN CHRISTIAN ,  HOECHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/18

Abstract: Ein Verfahren zur Verringerung von Defekten einer SiC-Schicht umfasst das Aktivieren von Dotierstoffen, die in einer SiC-Schicht angeordnet sind, das Abscheiden einer kohlenstoffreichen Schicht auf der SiC-Schicht nach dem Aktivieren der Dotierstoffe, das Tempern der kohlenstoffreichen Schicht, um Graphit auf der SiC-Schicht zu bilden, und das Diffundieren von Kohlenstoff aus dem Graphit in die SiC-Schicht. Aus dem Graphit diffundierter Kohlenstoff füllt Kohlenstofffehlstellen in der SiC-Schicht.

公开(公告)号：DE102017108568A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102017108568

申请日：2017-04-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KAHN MARKUS ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Erzeugen einer Kontaktstruktur umfasst das Bereitstellen eines Siliziumkarbid-Substrats, welches ein stark dotiertes Siliziumkarbid-Kontaktgebiet, das in dem Substrat ausgebildet ist und sich zu einer Hauptoberfläche des Substrats erstreckt, aufweist. Es wird ein kohlenstoffbasiertes Kontaktgebiet erzeugt, das mit dem stark dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet in direktem Kontakt steht und das sich zu der Hauptoberfläche erstreckt. Auf dem kohlenstoffbasierten Kontaktgebiet wird ein Leiter so erzeugt, so dass sich das kohlenstoffbasierte Kontaktgebiet zwischen dem Leiter und dem stark dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet befindet. Ein thermisches Budget zum Erzeugen des kohlenstoffbasierten Kontaktgebiets wird unter einem Level gehalten, der eine Silizidierung des stark dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiets bewirkt.

公开(公告)号：DE102016125030A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：DE102016125030

申请日：2016-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ESTEVE ROMAIN ,  UNEGG GERALD ,  RUPP ROLAND ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper, der auf Siliziumcarbid basiert, sowie eine Metallkontaktstruktur. Grenzflächenteilchen, die einen Silicidkern und eine Kohlenstoffhülle auf einer Oberfläche der Silicidkerne umfassen, werden direkt zwischen dem Halbleiterkörper und der Metallkontaktstruktur gebildet. Zwischen Benachbarten der Grenzflächenteilchen grenzt die Metallkontaktstruktur direkt an den Halbleiterkörper.

公开(公告)号：DE102015117286A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：DE102015117286

申请日：2015-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  KUECK DANIEL ,  RUPP ROLAND ,  PETERS DETHARD ,  BERGNER WOLFGANG ,  POENARIU VICTORINA ,  UNEGG GERALD ,  REINWALD GERALD

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/263 ,  H01L21/322 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Graben (190) wird ausgebildet, der sich von einer Hauptoberfläche (101a) in eine kristalline Siliziumcarbid-Halbleiterschicht (100a) erstreckt. Eine Maske (400) wird ausgebildet, die eine Maskenöffnung (401) umfasst, die den Graben (190) und eine Randsektion (105) der Hauptoberfläche (101a) um den Graben (190) freilegt. Durch Bestrahlung mit einem Teilchenstrahl (990) werden ein erster Abschnitt (181) der Halbleiterschicht (100a), der durch die Maskenöffnung (401) freigelegt ist, und ein zweiter Abschnitt (182) amorphisiert, der außerhalb der vertikalen Projektion der Maskenöffnung (401) liegt und direkt an den ersten Abschnitt (181) angrenzt. Eine vertikale Ausdehnung des amorphisierten zweiten Abschnitts (182) nimmt mit zunehmender Distanz zum ersten Abschnitt (181) allmählich ab. Die amorphisierten ersten und zweiten Abschnitte (181, 182) werden entfernt.

公开(公告)号：DE102017121314B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE102017121314

申请日：2017-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ESTEVE ROMAIN ,  KAHN MARKUS ,  PEKOLL KURT ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324 ,  H01L23/482 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

Abstract: Verfahren zur Erzeugung einer Kontaktstruktur für ein Halbleiterbauelement, das aufweist:Bereitstellen eines Siliziumkarbid-Substrats (100), das aufweist: ein dotiertes Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106), das unmittelbar an eine Hauptoberfläche (102) des Substrats (100) angrenzt, und eine dielektrische Schicht (112), die die Hauptoberfläche (102) bedeckt;Erzeugen einer Schutzschicht (116) auf der dielektrischen Schicht (112),Erzeugen einer strukturierten Maske (118) auf der Schutzschicht (116), wobei die strukturierte Maske (118) Öffnungen (120) aufweist, die an dem dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) ausgerichtet sind; undEntfernen von Abschnitten der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112), die durch die Öffnungen (120) exponiert sind, ohne verbleibende Abschnitte der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112), die sich unterhalb der Maske (118) befinden, zu entfernen;Entfernen der strukturierten Maske (118);Abscheiden einer Metallschicht (124) derart, dass ein erster Teil (126) der Metallschicht (124) das dotierte Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) unmittelbar kontaktiert und ein zweiter Teil (128) der Metallschicht (124) die verbleibenden Abschnitte der Schutzschicht (116) und der dielektrischen Schicht (112) beschichtet;Durchführen eines ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses bei einer Temperatur zwischen 600 °C und 800 °C und einer Dauer von nicht mehr als zwei Minuten;nach der Durchführung des ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses, Entfernen des zweiten Teils (128) der Metallschicht (124) und des verbleibenden Abschnitts der Schutzschicht (116), ohne den ersten Teil (126) der Metallschicht (124) zu entfernen; undDurchführen eines zweiten thermischen Wärmebehandlungsprozesses nach dem Entfernen des zweiten Teils (128) der Metallschicht (124), wobei der erste Teil (126) der Metallschicht (124) mit dem dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet (106) weiter silizidiert,wobei ein thermisches Budget des zweiten thermischen Wärmebehandlungsprozesses größer ist als ein thermisches Budget des ersten thermischen Wärmebehandlungsprozesses.

公开(公告)号：DE102017121314A1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：DE102017121314

申请日：2017-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ESTEVE ROMAIN ,  KAHN MARKUS ,  PEKOLL KURT ,  STEINBRENNER JUERGEN ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324 ,  H01L23/482 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

Abstract: Es wird ein Siliziumkarbid-Substrat, das ein dotiertes Siliziumkarbid-Kontaktgebiet und eine dielektrische Schicht aufweist, bereitgestellt. Auf der dielektrischen Schicht wird eine Schutzschicht erzeugt. Auf der Schutzschicht wird eine strukturierte Maske erzeugt. Abschnitte der Schutzschicht und der dielektrischen Schicht, die durch Öffnungen der Maske exponiert sind, werden entfernt. Die strukturierte Maske wird entfernt. Eine Metallschicht wird derart abgeschieden, dass ein erster Teil der Metallschicht das dotierte Kontaktgebiet unmittelbar kontaktiert, und ein zweiter Teil der Metallschicht beschichtet die verbleibenden Abschnitte der Schutzschicht und der dielektrischen Schicht. Ein erster schneller thermischer Wärmebehandlungsprozess wird durchgeführt. Nach der Durchführung des ersten schnellen thermischen Wärmebehandlungsprozesses werden der zweite Teil der Metallschicht und der verbleibende Abschnitt der Schutzschicht entfernt, ohne den ersten Teil der Metallschicht zu entfernen.