公开(公告)号：DE102017108566A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102017108566

申请日：2017-04-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DRAGHICI MIHAI ,  ESTEVE ROMAIN ,  FISHER CRAIG ARTHUR ,  HEIDORN CHRISTIAN ,  HOECHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/18

Abstract: Ein Verfahren zur Verringerung von Defekten einer SiC-Schicht umfasst das Aktivieren von Dotierstoffen, die in einer SiC-Schicht angeordnet sind, das Abscheiden einer kohlenstoffreichen Schicht auf der SiC-Schicht nach dem Aktivieren der Dotierstoffe, das Tempern der kohlenstoffreichen Schicht, um Graphit auf der SiC-Schicht zu bilden, und das Diffundieren von Kohlenstoff aus dem Graphit in die SiC-Schicht. Aus dem Graphit diffundierter Kohlenstoff füllt Kohlenstofffehlstellen in der SiC-Schicht.

公开(公告)号：DE102017100109A1

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：DE102017100109

申请日：2017-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  DRAGHICI MIHAI ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (40) mit einer Vorderseite (101) und umfassend, in einem vertikalen Querschnitt senkrecht zu der Vorderseite (101), ein erstes Siliciumcarbidgebiet (1, 1d), zwei zweite Siliciumcarbidgebiete (2), die durch das erste Siliciumcarbidgebiet (1, 1d) voneinander beabstandet sind, zwei Kontaktgebiete (12) und eine Barriereschicht (11). Eine erste Metallisierung (10) umfassend Kupfer ist auf der Vorderseite (101) angeordnet. Jedes der beiden zweiten Siliciumcarbidgebiete (2) bildet einen jeweiligen p-n-Übergang (14) mit dem ersten Siliciumcarbidgebiet (1, 1d) aus. Jedes der beiden Kontaktgebiete (12) bildet einen ohmschen Kontakt mit einem der beiden zweiten Siliciumcarbidgebiete (2) aus. Die Barriereschicht (11) stellt eine wirkungsvolle Diffusionsbarriere für Kupfer bereit, ist zwischen der ersten Metallisierung (10) und den beiden Kontaktgebieten (12), in ohmscher Verbindung mit der ersten Metallisierung (10) und den beiden Kontaktgebieten (12), angeordnet und bildet einen Schottky-Übergang (15) mit dem ersten Siliciumcarbidgebiet (1d) aus.

公开(公告)号：DE102019132158A1

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：DE102019132158

申请日：2019-11-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHUSTEREDER WERNER ,  SWOBODA MARKO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  DRAGHICI MIHAI ,  LEHNERT WOLFGANG ,  HOECHBAUER TOBIAS ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Vorgeschlagen werden Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats (100). Ein Beispiel eines Verfahrens weist ein Ausbilden von Hohlräumen (104) im Halbleitersubstrat (100) durch Implantieren von Ionen durch eine erste Oberfläche (102) des Halbleitersubstrats (100) auf. Die Hohlräume (104) definieren eine Trennschicht (106) im Halbleitersubstrat (100). Danach wird eine Halbleiterschicht (108) auf der ersten Oberfläche (102) des Halbleitersubstrats (100) ausgebildet. Elemente von Halbleitervorrichtungen werden in der Halbleiterschicht (108) gebildet. Danach wird das Halbleitersubstrat (100) entlang der Trennschicht (106) in einen die Halbleiterschicht (108) enthaltenden ersten Substratteil (1001) und einen zweiten Substratteil (1002) getrennt.

公开(公告)号：DE102019111985A1

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：DE102019111985

申请日：2019-05-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  LEHNERT WOLFGANG ,  DRAGHICI MIHAI ,  PICCIN MATTEO ,  HOECHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/301 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Wafer-Verbund (900) umfasst ein Handhabungssubstrat (100), eine Hilfsschicht (200), die auf einer ersten Hauptoberfläche (101) des Handhabungssubstrats (100) ausgebildet ist, und eine Siliziumcarbid-Struktur (320), die über der Hilfsschicht (200) ausgebildet ist. Das Handhabungssubstrat (100) wird Laserstrahlung ausgesetzt, wobei die Laserstrahlung kristallines Material entlang einer Fokusebene (105) im Handhabungssubstrat (100) modifiziert. Die Fokusebene (105) ist parallel zur ersten Hauptoberfläche (101). Die Hilfsschicht (200) ist dafür geeignet, eine Ausbreitung von Mikrorissen (156), die die Laserstrahlung im Handhabungssubstrat (100) erzeugen kann, zu stoppen.

公开(公告)号：DE102019111377A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019111377

申请日：2019-05-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HÖCHBAUER TOBIAS ,  LEHNERT WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  DENIFL GÜNTER ,  RUPP ROLAND ,  DRAGHICI MIHAI ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/161 ,  H01L29/32

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Verarbeiten eines Siliziumkarbid-Wafers (300) ist vorgeschlagen. Das Verfahren (100) umfasst ein Implantieren (110) von Ionen in den Siliziumkarbid-Wafer (300), um eine Absorptionsschicht (310) in dem Siliziumkarbid-Wafer (300) zu bilden. Der Absorptionskoeffizient der Absorptionsschicht (310) ist zumindest das 100-fache des Absorptionskoeffizienten eines Siliziumkarbidmaterials des Siliziumkarbid-Wafers (300) außerhalb der Absorptionsschicht, für ein Licht einer Zielwellenlänge. Der Siliziumkarbid-Wafer (300) wird entlang der Absorptionsschicht (310) gespalten (120), zumindest durch ein Bestrahlen des Siliziumkarbid-Wafers (300) mit Licht der Zielwellenlänge, um einen Siliziumkarbid-Bauelementwafer (360) und einen übrigen Siliziumkarbid-Wafer (362) zu erhalten.