公开(公告)号：DE102022000167A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102022000167

申请日：2022-01-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BUSCH LUDWIG ,  ENVERGA ANGEL ,  HIEW MEI FEN ,  HOE TIAN SEE ,  KELI ELVIS ,  KOE KEAN MING ,  KREITER OLIVER MARKUS ,  MURUGAN SANJAY KUMAR ,  NIENDORF MICHAEL ,  NIKITIN IVAN ,  STILLER BERNHARD ,  STOEK THOMAS

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Halbleitermodul weist Folgendes auf: einen Dual-Gauge-Leiterrahmen mit einem dickeren Teil und einem dünneren Teil, wobei ein Teil des dünneren Teils eine Hochspannungsleitung bildet; ein Halbleiter-Die, das an dem dickeren Teil befestigt ist; und eine Formmasse (MC), die Die verkapselt. Der dickere Leiterrahmen-Teil ist an einer Unterseite der MC angeordnet. Eine Seitenfläche der MC weist ein abgestuftes Gebiet zwischen der Hochspannungsleitung und dem dickeren Leiterrahmen-Teil auf. Ein erster allgemein vertikaler Teil des abgestuften Gebiets erstreckt sich von der Hochspannungsleitung zu dem allgemein horizontalen Teil, ein allgemein horizontaler Teil des abgestuften Gebiets erstreckt sich zu dem zweiten allgemein vertikalen Teil, und ein zweiter allgemein vertikaler Teil des abgestuften Gebiets erstreckt sich zu der Unterseite der MC. Eine lineare Abmessung des allgemein horizontalen Teils, wie von dem ersten allgemein vertikalen Teil zu dem zweiten allgemein vertikalen Teil gemessen, beträgt mindestens 4,5 mm.