公开(公告)号：DE102021105264A1

公开(公告)日：2022-09-08

申请号：DE102021105264

申请日：2021-03-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS MANUEL ,  KELI ELVIS

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/46

Abstract: Ein Leistungselektronikmodul weist mindestens ein erstes Substrat auf, das auf einer ersten Seite einen oder mehrere erste Halbleiterchips aufweist, wobei der eine oder die mehreren ersten Halbleiterchips und das mindestens eine erste Substrat einen Teil mit höherer Leistung des Leistungselektronikmoduls bilden, mindestens ein zweites Substrat, welches auf einer ersten Seite einen oder mehrere zweite Halbleiterchips aufweist, wobei der eine oder die mehreren zweiten Halbleiterchips und das mindestens eine zweite Substrat einen Teil mit niedrigerer Leistung des Leistungselektronikmoduls bilden, und einen gemeinsamen Rahmen, der das erste und das zweite Substrat zumindest teilweise umschließt und ein einstückiges Teil ist, wobei der Teil mit höherer Leistung für eine direkte Flüssigkeitskühlung konfiguriert ist und wobei der Teil mit niedrigerer Leistung für eine indirekte Kühlung konfiguriert ist.

公开(公告)号：DE102022000167A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102022000167

申请日：2022-01-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BUSCH LUDWIG ,  ENVERGA ANGEL ,  HIEW MEI FEN ,  HOE TIAN SEE ,  KELI ELVIS ,  KOE KEAN MING ,  KREITER OLIVER MARKUS ,  MURUGAN SANJAY KUMAR ,  NIENDORF MICHAEL ,  NIKITIN IVAN ,  STILLER BERNHARD ,  STOEK THOMAS

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Halbleitermodul weist Folgendes auf: einen Dual-Gauge-Leiterrahmen mit einem dickeren Teil und einem dünneren Teil, wobei ein Teil des dünneren Teils eine Hochspannungsleitung bildet; ein Halbleiter-Die, das an dem dickeren Teil befestigt ist; und eine Formmasse (MC), die Die verkapselt. Der dickere Leiterrahmen-Teil ist an einer Unterseite der MC angeordnet. Eine Seitenfläche der MC weist ein abgestuftes Gebiet zwischen der Hochspannungsleitung und dem dickeren Leiterrahmen-Teil auf. Ein erster allgemein vertikaler Teil des abgestuften Gebiets erstreckt sich von der Hochspannungsleitung zu dem allgemein horizontalen Teil, ein allgemein horizontaler Teil des abgestuften Gebiets erstreckt sich zu dem zweiten allgemein vertikalen Teil, und ein zweiter allgemein vertikaler Teil des abgestuften Gebiets erstreckt sich zu der Unterseite der MC. Eine lineare Abmessung des allgemein horizontalen Teils, wie von dem ersten allgemein vertikalen Teil zu dem zweiten allgemein vertikalen Teil gemessen, beträgt mindestens 4,5 mm.

公开(公告)号：DE102021004233A1

公开(公告)日：2022-03-24

申请号：DE102021004233

申请日：2021-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KELI ELVIS ,  REITER TOMAS MANUEL ,  THOMAS ANTHONY

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/28 ,  H01L23/34

Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul weist Folgendes auf: einen Träger; mehrere Halbleiter-Dies, die an einer ersten Seite des Trägers befestigt und elektrisch verbunden sind, um eine Schaltung oder einen Teil einer Schaltung zu bilden; eine Kühlvorrichtung an einer zweiten Seite des Trägers gegenüber der ersten Seite; eine Klemmvorrichtung, die an der Kühlvorrichtung befestigt ist und den Träger zu der Kühlvorrichtung presst, so dass die zweite Seite des Trägers mit der Kühlvorrichtung in thermischem Kontakt ist, ohne eine dazwischenliegende Bodenplatte zwischen dem Träger und der Kühlvorrichtung aufzuweisen; und eine erste Sensorvorrichtung, die in der Klemmvorrichtung eingebettet oder an einer Innenfläche der Klemmvorrichtung befestigt ist.