公开(公告)号：DE102022000167A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102022000167

申请日：2022-01-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BUSCH LUDWIG ,  ENVERGA ANGEL ,  HIEW MEI FEN ,  HOE TIAN SEE ,  KELI ELVIS ,  KOE KEAN MING ,  KREITER OLIVER MARKUS ,  MURUGAN SANJAY KUMAR ,  NIENDORF MICHAEL ,  NIKITIN IVAN ,  STILLER BERNHARD ,  STOEK THOMAS

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Halbleitermodul weist Folgendes auf: einen Dual-Gauge-Leiterrahmen mit einem dickeren Teil und einem dünneren Teil, wobei ein Teil des dünneren Teils eine Hochspannungsleitung bildet; ein Halbleiter-Die, das an dem dickeren Teil befestigt ist; und eine Formmasse (MC), die Die verkapselt. Der dickere Leiterrahmen-Teil ist an einer Unterseite der MC angeordnet. Eine Seitenfläche der MC weist ein abgestuftes Gebiet zwischen der Hochspannungsleitung und dem dickeren Leiterrahmen-Teil auf. Ein erster allgemein vertikaler Teil des abgestuften Gebiets erstreckt sich von der Hochspannungsleitung zu dem allgemein horizontalen Teil, ein allgemein horizontaler Teil des abgestuften Gebiets erstreckt sich zu dem zweiten allgemein vertikalen Teil, und ein zweiter allgemein vertikaler Teil des abgestuften Gebiets erstreckt sich zu der Unterseite der MC. Eine lineare Abmessung des allgemein horizontalen Teils, wie von dem ersten allgemein vertikalen Teil zu dem zweiten allgemein vertikalen Teil gemessen, beträgt mindestens 4,5 mm.

公开(公告)号：DE102021115824A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：DE102021115824

申请日：2021-06-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIENDORF MICHAEL ,  BUSCH LUDWIG ,  KREITER OLIVER MARKUS ,  NEUGIRG CHRISTIAN ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul enthält einen Leiterrahmen mit einem ersten Die-Pad, einem zweiten Die-Pad, das von dem ersten Die-Pad getrennt ist, einem ersten Leistungsanschluss, der als eine Verlängerung des ersten Die-Pads ausgebildet ist, einem zweiten Leistungsanschluss, der von dem ersten und zweiten Die-Pad getrennt ist, und einem ersten Verbindungsbereich, der als eine Verlängerung des zweiten Leistungsanschlusses entlang des zweiten Die-Pads ausgebildet ist. Eine erste Vielzahl von Leistungshalbleiterchips ist an dem ersten Die-Pad angebracht und elektrisch parallel geschaltet. Eine zweite Vielzahl von Leistungshalbleiterchips ist an dem zweiten Die-Pad angebracht und elektrisch parallel geschaltet. Eine erste elektrische Verbindung erstreckt sich zwischen der ersten Vielzahl von Leistungshalbleiterchips und dem zweiten Die-Pad in einer ersten Richtung. Eine zweite elektrische Verbindung erstreckt sich zwischen der zweiten Vielzahl von Leistungshalbleiterchips und dem ersten Verbindungsbereich in der ersten Richtung.