公开(公告)号：DE102012103431B4

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：DE102012103431

申请日：2012-04-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOLFELD GEORG ,  KAISER DIETER ,  KAUTZSCH THORALF ,  MEINHOLD DIRK

IPC: H01L31/113 ,  H01L27/146

Abstract: Eine integrierte Schaltungsanordnung (102, 402), aufweisend: einen Transistor (104), welcher einen Gate-Bereich (106, 204) aufweist; und ein Wellenlängen-Konvertierungselement (108; 306, 304a–d), wobei das Wellenlängen-Konvertierungselement (108; 306, 304a–d) das gleiche Material oder die gleichen Materialien aufweist wie der Gate-Bereich (106, 204) des Transistors (104), wobei das Wellenlängen-Konvertierungselement (108; 306, 304a–d) ferner ein oder mehrere Strukturelemente (304a–d) aufweist, welche eine Anordnung bilden, und wobei die Strukturelemente einen Durchmesser (d) aufweisen.

公开(公告)号：DE102012103431A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：DE102012103431

申请日：2012-04-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOLFELD GEORG ,  KAISER DIETER ,  KAUTZSCH THORALF ,  MEINHOLD DIRK

IPC: H01L31/113 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0236

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine integrierte Schaltungsanordnung bereitgestellt, welche einen Transistor, welcher einen Gate-Bereich aufweist, und ein Wellenlängen-Konvertierungselement aufweist, wobei das Wellenlängen-Konvertierungselement das gleiche Material oder die gleichen Materialien aufweist wie der Gate-Bereich des Transistors.