公开(公告)号：DE102014100055A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：DE102014100055

申请日：2014-01-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHNEIDER JENS ,  KAISER DIETER ,  HELLER MARCEL ,  FEICK HENNING

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/00

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen stellen ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Trägers bereit, wobei das Verfahren (100) das Ändern einer dreidimensionalen Struktur einer Maskenschicht, die über dem Träger angeordnet ist, so dass wenigstens zwei Maskenschichtbereiche gebildet werden, die unterschiedliche Maskenschichtdicken besitzen (110); und das Anwenden eines Ionenimplantationsprozesses auf die wenigstens zwei Maskenschichtbereiche, um wenigstens zwei implantierte Bereiche in dem Träger zu bilden, die unterschiedliche Implantationstiefenprofile besitzen (120), enthält.

公开(公告)号：DE102014100055B4

公开(公告)日：2022-10-20

申请号：DE102014100055

申请日：2014-01-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHNEIDER JENS ,  KAISER DIETER ,  HELLER MARCEL ,  FEICK HENNING

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/00

Abstract: Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Trägers (202), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Ändern einer dreidimensionalen Struktur einer Maskenschicht (204), die über dem Träger (202) angeordnet ist, so dass wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506) gebildet werden, die unterschiedliche Maskenschichtdicken (505) besitzen (110);Anwenden eines Ionenimplantationsprozesses auf die wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506), um wenigstens zwei implantierte Bereiche in dem Träger (202) zu bilden, die unterschiedliche Implantationstiefenprofile besitzen (120);wobei das Ändern (110) der dreidimensionalen Struktur der Maskenschicht (204) einen Lithographieprozess unter Verwendung einer einzigen Lithographiemaske zum Belichten der wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506) mit unterschiedlichen Belichtungen für jeden der wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506) aufweist,Belichten der wenigstens zwei unterschiedlichen Maskenschichtbereiche (506) mit unterschiedlichen Belichtungen mittels wenigstens zweier unterschiedlichen Pixelmaskenbereichen der einzigen Lithographiemaske; undKompensieren einer Variation der Lichtintensität eines Belichtungswerkzeugs mit wenigstens einer der wenigstens zwei unterschiedlichen Pixelmaskenbereiche der Lithographiepixelmaske.

公开(公告)号：DE102012103431B4

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：DE102012103431

申请日：2012-04-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOLFELD GEORG ,  KAISER DIETER ,  KAUTZSCH THORALF ,  MEINHOLD DIRK

IPC: H01L31/113 ,  H01L27/146

Abstract: Eine integrierte Schaltungsanordnung (102, 402), aufweisend: einen Transistor (104), welcher einen Gate-Bereich (106, 204) aufweist; und ein Wellenlängen-Konvertierungselement (108; 306, 304a–d), wobei das Wellenlängen-Konvertierungselement (108; 306, 304a–d) das gleiche Material oder die gleichen Materialien aufweist wie der Gate-Bereich (106, 204) des Transistors (104), wobei das Wellenlängen-Konvertierungselement (108; 306, 304a–d) ferner ein oder mehrere Strukturelemente (304a–d) aufweist, welche eine Anordnung bilden, und wobei die Strukturelemente einen Durchmesser (d) aufweisen.

公开(公告)号：DE102012103431A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：DE102012103431

申请日：2012-04-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOLFELD GEORG ,  KAISER DIETER ,  KAUTZSCH THORALF ,  MEINHOLD DIRK

IPC: H01L31/113 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0236

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine integrierte Schaltungsanordnung bereitgestellt, welche einen Transistor, welcher einen Gate-Bereich aufweist, und ein Wellenlängen-Konvertierungselement aufweist, wobei das Wellenlängen-Konvertierungselement das gleiche Material oder die gleichen Materialien aufweist wie der Gate-Bereich des Transistors.