公开(公告)号：DE102017012296B4

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102017012296

申请日：2017-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KHOMENKO VLADISLAV ,  KRAVCHENKO ANDREY ,  FROEHLICH HEIKO ,  KAUTZSCH THORALF

IPC: G01J5/38 ,  B81B3/00 ,  G01J5/34 ,  G01J5/40

Abstract: Ein Infrarotstrahlungssensor, der folgende Merkmale aufweist:ein Substrat (24, 120) mit einer Hauptoberfläche, die eine Substratebene definiert;eine Membran (10, 110), die in oder an dem Substrat (24, 120) gebildet ist, wobei zumindest ein Abschnitt der Membran (10, 110) eine ablenkbare Elektrode bildet; undeine Gegenelektrode (116, 116a,116b);wobei die ablenkbare Elektrode und die Gegenelektrode (116, 116a,116b) einander in Bezug auf die Substratebene seitlich zugewandt sind, wobei zwischen der ablenkbaren Elektrode und der Gegenelektrode (116, 116a, 116b) eine Kapazität gebildet ist,wobei die Membran (10, 110) eine Zusammensetzung aufweist, die zumindest zwei Schichten (12, 14, 112, 114) aus Materialien mit unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist undwobei die Zusammensetzung eine Absorptionsregion aufweist, die konfiguriert ist, um durch Absorbieren von Infrarotstrahlung eine Verformung der Zusammensetzung zu verursachen, wobei die Verformung zu einer in Bezug auf die Substratebene vertikalen Ablenkung der ablenkbaren Elektrode relativ zu der Gegenelektrode (116, 116a, 116b) führt, die eine Änderung der Kapazität verursacht,wobei die Gegenelektrode (116, 116a, 116b) der ablenkbaren Elektrode an mehreren seitlichen Rändern der ablenkbaren Elektrode zugewandt ist, wobei ein Membranträger (130) mit der Membran (110) in einer Region gekoppelt ist, die von seitlichen Rändern der Membran (110) beabstandet ist, in einer Draufsicht auf die Substratebene gesehen, undwobei der Membranträger (130) mit der Membran (110) in einer Mittelregion der Membran (110) gekoppelt ist, in einer Draufsicht auf die Substratebene.

公开(公告)号：DE102017012296A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102017012296

申请日：2017-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KHOMENKO VLADISLAV ,  KRAVCHENKO ANDREY ,  FROEHLICH HEIKO ,  KAUTZSCH THORALF

IPC: G01J5/02 ,  B81B3/00 ,  G01J5/20

Abstract: Ein Infrarotstrahlungssensor weist folgende Merkmale auf: ein Substrat mit einer Hauptoberfläche, die eine Substratebene definiert, eine Membran, die in oder an dem Substrat gebildet ist, wobei zumindest ein Abschnitt der Membran eine ablenkbare Elektrode bildet, und eine Gegenelektrode. Die ablenkbare Elektrode und die Gegenelektrode sind einander in Bezug auf die Substratebene seitlich zugewandt, wobei zwischen der ablenkbaren Elektrode und der Gegenelektrode eine Kapazität gebildet ist. Die Membran weist eine Zusammensetzung auf, die zumindest zwei Schichten aus Materialien mit unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. Die Zusammensetzung weist eine Absorptionsregion auf, die konfiguriert ist, um durch Absorbieren von Infrarotstrahlung eine Verformung der Zusammensetzung zu verursachen, wobei die Verformung zu einer in Bezug auf die Substratebene vertikalen Ablenkung der ablenkbaren Elektrode relativ zu der Gegenelektrode führt, die eine Änderung der Kapazität verursacht.

公开(公告)号：DE102017221076A1

公开(公告)日：2019-05-29

申请号：DE102017221076

申请日：2017-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KHOMENKO VLADISLAV ,  KRAVCHENKO ANDREY ,  FROEHLICH HEIKO ,  KAUTZSCH THORALF

IPC: G01J5/02 ,  B81B3/00 ,  G01J5/20

Abstract: Ein Infrarotstrahlungssensor weist folgende Merkmale auf: ein Substrat, eine Membran, die in oder an dem Substrat gebildet ist, eine erste Gegenelektrode, eine zweite Gegenelektrode und eine Zusammensetzung, die zumindest zwei Schichten aus Materialien mit unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. Zumindest ein Abschnitt der Membran bildet eine ablenkbare Elektrode und die ablenkbare Elektrode ist elektrisch floatend. Zwischen der ablenkbaren Elektrode und der ersten Elektrode ist eine erste Kapazität gebildet und zwischen der ablenkbaren Elektrode und der zweiten Gegenelektrode ist eine zweite Kapazität gebildet. Die Membran weist die Zusammensetzung auf oder wird durch die Zusammensetzung an dem Substrat getragen. Die Membran weist eine Absorptionsregion auf, die konfiguriert ist, um durch Absorbieren von Infrarotstrahlung eine Verformung der Zusammensetzung zu verursachen, wobei die Verformung zu einer Ablenkung der ablenkbaren Elektrode führt, die eine Änderung der ersten und zweiten Kapazität verursacht.

公开(公告)号：DE102013001674B4

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：DE102013001674

申请日：2013-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H04R1/00

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer druckempfindlichen Struktur, das Folgendes umfasst:Erzeugen mehrerer Gräben in einem Substrat, wobei die mehreren Gräben einen ersten außen liegenden Graben und einen zweiten außen liegenden Graben aufweisen, wobei benachbarte Gräben durch eine jeweilige Seitenwand voneinander getrennt sind, wobei sich die jeweilige Seitenwand in vertikaler Richtung zu einer ersten Hauptoberfläche des Substrats erstreckt, wobei die mehreren Gräben in einem ersten Bereich angeordnet sind, der sich zwischen einer ersten äußeren Wand des ersten außen liegenden Grabens und einer zweiten äußeren Wand des zweiten außen liegenden Grabens erstreckt, wobei eine erste Seitenwand der jeweiligen Seitenwände zwischen dem ersten außen liegenden Graben und einem Graben gebildet ist, der zu dem ersten außen liegenden Graben benachbart ist;nach dem Erzeugen der mehreren Gräben, Entfernen von Material lateral außerhalb des ersten Bereichs, um einen Hohlraum zu erzeugen, der sich von der ersten Hauptoberfläche des Substrats zu der ersten Seitenwand erstreckt, wobei die druckempfindliche Struktur durch die erste Seitenwand gebildet wird.

公开(公告)号：DE102011052489B4

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102011052489

申请日：2011-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/20 ,  H01L21/283 ,  H01L29/04 ,  H01L29/92

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur, das Folgendes aufweist: • Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (210); • Ausbilden einer Mehrzahl von Öffnungen (212) in dem Substrat (210); • Ausbilden von leitenden Schichten (230) in den Öffnungen (212); • Ausbilden einer Halbleiterschicht (250) über den leitenden Schichten (230); • Ausbilden einer gemeinsamen Elektrode durch elektrisches Zusammenkoppeln der leitenden Schichten (230); und • elektrisches Koppeln der Elektrode an eine Schaltungsanordnung über dem Substrat (210), wobei die Schaltungsanordnung zumindest teilweise in der Halbleiterschicht (250) ausgebildet ist und zumindest teilweise über den leitenden Schichten (230) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102011112879A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102011112879

申请日：2011-09-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER BORIS ,  HOFFMANN FRANK ,  KAUTZSCH THORALF ,  RUDOLPH UWE

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02

Abstract: Es werden Ausführungsformen bezüglich der Halbleiterherstellung und Halbleiterbauelemente mit einer Halbleiterstruktur beschrieben und gezeigt.

公开(公告)号：DE102004015382A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：DE102004015382

申请日：2004-03-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF

IPC: G05B23/02 ,  G07C3/14

Abstract: In an evaluatory routine, a number of values for a parameter for a process are included so that a target parameter (TP) for a process is dynamically adapted by relying on the overlay between a confidence interval (CI) in values being considered and an acceptance range for the TP. The CI runs between lower and upper confidence limits that rely on an average value for the values being considered.

公开(公告)号：DE102017125926A1

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE102017125926

申请日：2017-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF ,  FRÖHLICH HEIKO ,  STEGEMANN MAIK ,  VOGT MIRKO

IPC: H01L27/146 ,  G01J3/02

Abstract: Es werden ein optischen System und ein Photosensorpixel bereitgestellt. Das Photosensorpixel umfasst ein Substrat, das ein aktives Gebiet und ein zu dem aktiven Gebiet peripheres Gebiet umfasst, einen optischen Sensor, der bei dem aktiven Gebiet des Substrats angeordnet und dazu ausgebildet ist, Licht zu empfangen und ein auf dem empfangenen Licht basierendes Messsignal auszugeben, und eine Verkapselungsschicht, die über dem aktiven Gebiet und dem ersten peripheren Gebiet des Substrats angeordnet ist. Die Verkapselungsschicht umfasst zumindest eine über dem peripheren Gebiet des Substrats befindliche sub-wellenlängen-basierte gestufte Indexstruktur, und die sub-wellenlängen-basierte gestufte Indexstruktur ist dazu ausgebildet, das Licht von einem Gebiet über dem peripheren Gebiet auf den optischen Sensor umzuleiten.

公开(公告)号：DE102012103431B4

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：DE102012103431

申请日：2012-04-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOLFELD GEORG ,  KAISER DIETER ,  KAUTZSCH THORALF ,  MEINHOLD DIRK

IPC: H01L31/113 ,  H01L27/146

Abstract: Eine integrierte Schaltungsanordnung (102, 402), aufweisend: einen Transistor (104), welcher einen Gate-Bereich (106, 204) aufweist; und ein Wellenlängen-Konvertierungselement (108; 306, 304a–d), wobei das Wellenlängen-Konvertierungselement (108; 306, 304a–d) das gleiche Material oder die gleichen Materialien aufweist wie der Gate-Bereich (106, 204) des Transistors (104), wobei das Wellenlängen-Konvertierungselement (108; 306, 304a–d) ferner ein oder mehrere Strukturelemente (304a–d) aufweist, welche eine Anordnung bilden, und wobei die Strukturelemente einen Durchmesser (d) aufweisen.

公开(公告)号：DE102017102183A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：DE102017102183

申请日：2017-02-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF ,  VOGT MIRKO ,  FROEHLICH HEIKO ,  RUDOLPH UWE ,  SCIRE ALESSIA ,  STEGEMANN MAIK

IPC: B81B7/02 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01N21/17 ,  G02B5/20

Abstract: Ein Lichtemitterbauelement enthält eine Heizerstruktur, die ausgebildet ist, um Licht zu emittieren, wenn ein vordefinierter Strom durch die Heizerstruktur fließt. Die Heizerstruktur ist auf einer Heizerträgerstruktur angeordnet. Das Lichtemitterbauelement enthält einen oberen Abschnitt eines Hohlraums, der vertikal zwischen der Heizerträgerstruktur und einer Abdeckungsstruktur angeordnet ist. Das Lichtemitterbauelement enthält einen unteren Abschnitt des Hohlraums, der vertikal zwischen der Heizerträgerstruktur und zumindest einem Abschnitt eines Trägersubstrats angeordnet ist. Die Heizerträgerstruktur enthält eine Mehrzahl von Löchern, die den oberen Abschnitt des Hohlraums und den unteren Abschnitt des Hohlraums verbinden. Ein Druck in dem Hohlraum ist kleiner als 100 mbar.