公开(公告)号：DE102015203393A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：DE102015203393

申请日：2015-02-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEINHOLD DIRK ,  BRETTHAUER CHRISTIAN

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/301 ,  H01L21/306

Abstract: Ein Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer bearbeiteten Substratanordnung, die ein bearbeitetes Halbleitersubstrat und eine Metallisierungsschichtstruktur auf einer Hauptfläche des bearbeiteten Halbleitersubstrats umfasst. Das Verfahren umfasst ferner ein Release-Ätzen zum Erzeugen eines Einschnitts in der Metallisierungsschichtstruktur an einem Trenngebiet in dem bearbeiteten Halbleitersubstrat, wobei das Trenngebiet eine Grenze zwischen einem Die-Gebiet der bearbeiteten Substratanordnung und mindestens einem zweiten Gebiet der bearbeiteten Substratanordnung definiert.

公开(公告)号：DE102008056194A1

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：DE102008056194

申请日：2008-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRENCHER LOTHAR ,  DICKENSCHEID WOLFGANG ,  HARTENBERGER MICHAEL ,  MEINHOLD DIRK ,  SEIDEMANN GEORG

IPC: H01L21/311

公开(公告)号：DE102020122871A1

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE102020122871

申请日：2020-09-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STAVREV MOMTCHIL ,  MEINHOLD DIRK

IPC: H01L25/16 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  G01B17/00 ,  G01D11/24 ,  G01L9/12 ,  G01P15/00 ,  H01L23/10 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49 ,  H01L29/84 ,  H01L43/06 ,  H04R1/00

Abstract: Vorgeschlagen wird ein Halbleiter-Die (100), wobei der Halbleiter-Die (100) einen mikroelektronischen Abschnitt (101) und einen Sensorabschnitt (103) aufweist. Der mikroelektronische Abschnitt (101) weist einen integrierten Schaltkreis (102) auf. Der Sensorabschnitt (103) grenzt an einen Rand (104) des Halbleiter-Dies (100). Ebenso wird ein Sensor vorgeschlagen, welcher einen solchen Halbleiter-Die (100) umfasst.

公开(公告)号：DE102020105272A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102020105272

申请日：2020-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEINHOLD DIRK ,  BRANDL FLORIAN ,  GRUENBERGER ROBERT ,  LANGHEINRICH WOLFRAM ,  LUBER SEBASTIAN ,  MEIER ROLAND ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet einen Halbleiterchip, der ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche beinhaltet; mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben, der sich von der ersten Oberfläche in das Substrat erstreckt, wobei sich der mindestens eine Spannungsentkopplungsgraben teilweise in das Substrat zur zweiten Oberfläche hin erstreckt, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche; ein mikroelektromechanisches System (MEMS)-Element, beinhaltend einen empfindlichen Bereich, das an der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet und seitlich von dem mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben beabstandet ist; und ein Spannungsentkopplungsmaterial, das den mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben füllt und den empfindlichen Bereich des MEMS-Elements bedeckt.

公开(公告)号：DE102015208689A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：DE102015208689

申请日：2015-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIESELT STEFFEN ,  MEINHOLD DIRK

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/302

Abstract: Gemäß einem Halbleitervorrichtungsherstellungsverfahren werden ein erster Graben und ein zweiter Graben in einer halbfertigen Halbleitervorrichtung gleichzeitig geätzt. Der erste Graben ist ein mechanischer Entkopplungsgraben zwischen einem ersten Gebiet einer zukünftigen Halbleitervorrichtung und einem zweiten Gebiet davon. Das Verfahren umfasst ferner das gleichzeitige Passivieren oder Isolieren von Seitenwänden des ersten Grabens und des zweiten Grabens. Eine verwandte Halbleitervorrichtung umfasst einen ersten Graben, der konfiguriert ist, eine mechanische Entkopplung zwischen einem ersten Gebiet und einem zweiten Gebiet der Halbleitervorrichtung bereitzustellen. Die Halbleitervorrichtung umfasst ferner einen zweiten Graben und eine Seitenwandbeschichtung an Seitenwänden des ersten Grabens und des zweiten Grabens. Die Seitenwandbeschichtung an den Seitenwänden des ersten Grabens und an den Seitenwänden des zweiten Grabens sind aus dem gleichen Material.

公开(公告)号：DE102014113917A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102014113917

申请日：2014-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEINHOLD DIRK

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L29/40

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Kontaktanschlussflächenstruktur (200) bereitgestellt, wobei die Kontaktanschlussflächenstruktur (200) Folgendes enthalten kann: eine dielektrische Schichtstruktur (202); wenigstens eine Kontaktanschlussfläche (204), die mit der dielektrischen Schichtstruktur (202) in physikalischem Kontakt steht; wobei die wenigstens eine Kontaktanschlussfläche (204) eine Metallstruktur (204a) und eine Liner-Struktur (204b) enthält, wobei die Liner-Struktur (204b) zwischen der Metallstruktur (204a) der wenigstens einen Kontaktanschlussfläche (204) und der dielektrischen Schichtstruktur (202) angeordnet ist und wobei eine Oberfläche der wenigstens einen Kontaktanschlussfläche (204) wenigstens teilweise frei von der Liner-Struktur (204b) ist, und eine Kontaktstruktur (206), die ein elektrisch leitfähiges Material enthält; wobei die Kontaktstruktur (206) wenigstens die Oberfläche, die wenigstens teilweise frei von der Liner-Struktur (204b) der wenigstens einen Kontaktanschlussfläche (204) ist, vollständig bedeckt, wobei die Liner-Struktur (204b) und die Kontaktstruktur (206) für ein Material der Metallstruktur (204a) der wenigstens einen Kontaktanschlussfläche (204) eine Diffusionssperre bilden.

公开(公告)号：DE102013101051A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：DE102013101051

申请日：2013-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEINHOLD DIRK

IPC: H01J17/49 ,  B81B1/00 ,  B81B7/04

Abstract: Offenbart werden eine Plasmazelle (200) und ein Verfahren zur Herstellung einer Plasmazelle (200). Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Zelle (200) ein Halbleitermaterial (210), eine in dem Halbleitermaterial (210) angeordnete Öffnung (220), eine dielektrische Schicht (230), die eine Oberfläche der Öffnung (220) auskleidet, eine Deckschicht (235), die die Öffnung (220) verschließt, eine angrenzend zur Öffnung (220) angeordnete erste Elektrode (240) und eine angrenzend zur Öffnung (220) angeordnete zweite Elektrode (250).

公开(公告)号：DE102013018789B4

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE102013018789

申请日：2013-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEVER THOMAS ,  FEICK HENNING ,  KAUTZSCH THORALF ,  MEINHOLD DIRK ,  MELZNER HANNO ,  OFFENBERG DIRK ,  PARASCANDOLA STEFANO ,  UHLIG INES

IPC: H10F71/00 ,  H10F30/20

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung (400), welches folgende Schritte aufweist:Bereitstellen eines ungleichmäßigen Dotierungsprofils in einem Halbleitersubstrat (102), so dass ein elektrisches Feld mit vertikalen Feldvektorkomponenten in zumindest einem Teil eines Lichtwandlungsgebiets (112) des Halbleitersubstrats (102) erzeugt wird, undErzeugen (606) einer Steuerelektrodenstruktur, die mehrere Steuerelektroden (106, 106b, 106c) oberhalb des ungleichmäßigen Dotierungsprofils zum Lenken lichterzeugter Ladungsträger aufweist, wobei die Steuerelektrodenstruktur zwischen zwei Diodenstrukturen (114) zum Akkumulieren der lichterzeugten Ladungsträger angeordnet ist,wobei das Bereitstellen des ungleichmäßigen Dotierungsprofils aufweist:Bereitstellen (602) einer dotierten Schicht (202) in dem Lichtwandlungsgebiet (112), wobei die dotierte Schicht (202) Dotierungsatome aufweist, wobei das Bereitstellen der dotierten Schicht ein Erzeugen der dotierten Schicht (202), so dass die dotierte Schicht (202) eine laterale Variation einer Nettodotierungskonzentration aufweist, umfasst, wobei die laterale Variation der Nettodotierungskonzentration in Bezug auf ein Zentrum der Steuerelektrodenstruktur symmetrisch ist,Durchführen (604) eines Migrationsschritts zur Migration zumindest eines Teils der Dotierungsatome der dotierten Schicht (202) zu einem Gebiet oberhalb der dotierten Schicht (202),wobei das ungleichmäßige Dotierungsprofil in vertikaler Richtung ein lokales Maximum der Nettodotierungskonzentration in der dotierten Schicht (202) aufweist,wobei die Nettodotierungskonzentration in vertikaler Richtung von der dotierten Schicht (202) hin zu der Steuerelektrodenstruktur abnimmt, so dass lichterzeugte Ladungsträger, die innerhalb eines ersten Tiefenbereichs erzeugt werden, zu der Steuerelektrodenstruktur gelenkt werden,wobei die Nettodotierungskonzentration in vertikaler Richtung von der dotierten Schicht (202) fort von der Steuerelektrodenstruktur abnimmt, so dass die lichterzeugten Ladungsträger, die innerhalb eines zweiten Tiefenbereichs erzeugt werden, von der Steuerelektrodenstruktur fort gelenkt werden,wobei die dotierte Schicht (202) eine vergrabene Schicht ist,wobei ferner mindestens eine weitere dotierte Schicht (204) in einer Tiefe, die von der Tiefe der dotierten Schicht (202) verschieden ist, bereitgestellt wird,wobei die weitere dotierte Schicht (204) durch das Halbleitersubstrat räumlich von der dotierten Schicht (202) getrennt ist,wobei die weitere dotierte Schicht (204) eine Abschirmungswirkung für die Diodenstrukturen (114) bereitstellt, so dass sich die lichterzeugten Ladungsträger nicht direkt von innerhalb des Lichtwandlungsgebiets (112) zu den Diodenstrukturen (114), sondern nur unter dem Einfluss von durch die Steuerelektroden (106, 106b, 106c) erzeugten elektrischen Feldern bewegen dürfen, undwobei sich die weitere dotierte Schicht (204) in lateraler Richtung zumindest bis über ein definiertes Gebiet hinaus erstreckt, zu dem die lichterzeugten Ladungsträger gelenkt werden.

公开(公告)号：DE102015208689B4

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：DE102015208689

申请日：2015-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIESELT STEFFEN ,  MEINHOLD DIRK

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/302

Abstract: Verfahren, umfassend:gleichzeitiges Ätzen eines ersten Grabens (953, 1153, 1653, 1753) und eines zweiten Grabens in einer halbfertigen Halbleitervorrichtung, wobei der erste Graben (953, 1153, 1653, 1753) ein mechanischer Entkopplungsgraben zwischen einem Sensorgebiet (444, 1244) einer zukünftigen Halbleitervorrichtung und einem zweiten Gebiet ist, und wobei der zweite Graben ein kontaktherstellender Graben oder ein Isolationsgraben in dem zweiten Gebiet ist;gleichzeitiges Passivieren von Seitenwänden des ersten Grabens (953, 1153, 1653, 1753) und des zweiten Grabens, wobei die Arbeitsvorgänge des gleichzeitigen Ätzens und des gleichzeitigen Passivierens während eines Front-End-Of-Line-Verfahrens ausgeführt werden, so dass der erste Graben (953, 1153, 1653, 1753) und der zweite Graben in einem Front-End-Of-Line-Abschnitt der halbfertigen Halbleitervorrichtung ausgebildet werden,; undÄtzen eines dritten Grabens (963, 1163, 1663, 1763) und einer Sensoröffnung (961, 1061) in der halbfertigen Halbleitervorrichtung während eines Back-End-Of-Line-Verfahrens, wobei der dritte Graben (963, 1163, 1663, 1763) ein weiterer mechanischer Entkopplungsgraben zwischen dem Sensorgebiet (444, 1244) und dem zweiten Gebiet der halbfertigen Halbleitervorrichtung in dem Back-End-Of-Line-Abschnitt ist,wobei die Sensoröffnung (961, 1061) so geätzt wird, dass das Sensorgebiet (444, 1244) in dem Front-End-Of-Line-Abschnitt durch den Back-End-Of-Line-Abschnitt freigelegt ist, undwobei der dritte Graben (963, 1163, 1663, 1763) so geätzt wird, dassder erste Graben (953, 1153, 1653) und der dritte Graben (963, 1163, 1663) zueinander in eine Richtung ausgerichtet sind, die zu einer Hauptfläche der halbfertigen Halbleitervorrichtung senkrecht ist, oderder erste Graben (1753) und der dritte Graben (1763) derart seitlich gegeneinander versetzt sind, dass der dritte Graben (1763) weiter als der erste Graben (1753) relativ zu dem Sensorgebiet (444, 1244) außerhalb oder innerhalb ist.

公开(公告)号：DE102014003068B4

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102014003068

申请日：2014-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BODINI EMANUELE BRUNO ,  BRAUN FELIX ,  GRUBER HERMANN ,  HOECKELE UWE ,  MEINHOLD DIRK ,  OFFENBERG DIRK ,  PRUEGL KLEMENS ,  UHLIG INES

IPC: H01L21/339 ,  H01L27/146

Abstract: Herstellungsverfahren für einen Tiefen-Bildgeber, umfassend:- Abscheiden von wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht (304)- Strukturieren der wenigstens ersten leitfähigen Schicht (304), um für jedes Pixel des Bildgebers wenigstens eine erste Steuerelektrodenstruktur (306A) und eine zweite Steuerelektrodenstruktur (306B) zu erlangen und in einer Transistorregion des Bildgebers wenigstens eine Gate-Elektrodenstruktur (307A, 307B) zu erlangen;- Abscheiden einer zweiten Schicht (308) und wenigstens einer Spacerschicht (310; 402, 406) und Entfernen der zweiten Schicht (308) in der Transistorregion, während die zweite Schicht (308) wenigstens in einer Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt, verbleibt, wobei die Spacerschicht (310; 402, 406) wenigstens ein Material umfasst, das sich von einem Material der zweiten Schicht (308) unterscheidet; und- nach dem Entfernen der zweiten Schicht (308) in der Transistorregion, Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht (310; 402, 406) wenigstens in der Transistorregion, um eine Spacerstruktur wenigstens an den Seitenwänden der wenigstens einen Gate-Elektrodenstruktur (307A, 307B) zu bilden, wobei die zweite Schicht (308) wenigstens in der Region verbleibt, die sich nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht (310; 402, 406) zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.