公开(公告)号：DE102013108585A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：DE102013108585

申请日：2013-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  HOLZMUELLER JUERGEN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/31 ,  H01L29/40

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) weist einen Hauptkörper (100) mit einem einkristallinen Halbleiterkörper (120) auf. Eine Schichtstruktur (200) grenzt direkt an einen zentralen Bereich (610) einer Hauptoberfläche (101) des Hauptkörpers (100) an und weist eine harte dielektrische Schicht auf, die aus einem ersten dielektrischen Material mit einem Young-Modul von mehr als 10 GPa erstellt wurde. Eine Entspannungsschicht (300) grenzt gegenüber des Hauptkörpers (100) direkt an die Schichtstruktur (200) an und erstreckt sich bis über einen äußeren Rand (203) der Schichtstruktur (200) hinaus. Das Bereitstellen der Schichtstruktur (200) in einem Abstand zum Rand des Hauptkörpers (100) und das Bedecken der äußeren Oberfläche (201, 203) der Schichtstruktur (200) mit der Entspannungsschicht (300) erhöht die Zuverlässigkeit der Vorrichtung (500).