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    Insulation for semiconductor device
    1.
    发明专利
    Insulation for semiconductor device 有权
    半导体器件绝缘

    公开(公告)号：JP2011066435A

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：JP2010246006

    申请日：2010-11-02

    Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

    Inventor： HONG BEE KIM ,  TILKE ARMIN

    IPC: H01L21/76 ,  H01L27/08

    CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for composing and forming an insulation structure for a semiconductor device.
    SOLUTION: The insulation structure is more widened at the bottom than at the top, so that the size of the semiconductor device can be adjusted. A first etching process is used to form a first trench 226, and a second etching process or an oxidation process is used to form a second trench 228 under the first trench 226. The second trench is wider than the first trench. In one embodiment, a base film 222 may be formed between the first trenches, and on the side wall of the first trench (the first trench protects the side wall of the first trench during the second etching process). Alternatively, the base film 222 may be deposited on the side wall of the first trench in another embodiment.
    COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于组成和形成用于半导体器件的绝缘结构的方法。

    解决方案：绝缘结构在底部比顶部更宽，从而可以调节半导体器件的尺寸。 使用第一蚀刻工艺来形成第一沟槽226，并且使用第二蚀刻工艺或氧化工艺在第一沟槽226下方形成第二沟槽22.第二沟槽比第一沟槽宽。 在一个实施例中，可以在第一沟槽之间和第一沟槽的侧壁（第一沟槽在第二蚀刻工艺期间保护第一沟槽的侧壁）形成基膜222。 或者，在另一个实施例中，基膜222可以沉积在第一沟槽的侧壁上。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    Insulation for semiconductor device
    2.
    发明专利
    Insulation for semiconductor device 审中-公开
    半导体器件绝缘

    公开(公告)号：JP2007110096A

    公开(公告)日：2007-04-26

    申请号：JP2006245921

    申请日：2006-09-11

    Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

    Inventor： HONG BEE KIM ,  TILKE ARMIN

    IPC: H01L21/76 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming an insulation structure for a semiconductor device, and a structure for the insulation structure.
    SOLUTION: The insulation structure is wider at the bottom than at the top, so that the size of the semiconductor device can be adjusted. A first etching process is used to form a first trench, and a second etching process or an oxidation process is used to form a second trench beneath the first trench. The second trench is wider than the first trench. A base film may be formed between the first trenches, and on the side wall of the first trench (this first trench protects the side wall of the first trench during the second etching process) in one embodiment. Alternatively, the base film may be deposited on the side wall of the first trench in another embodiment.
    COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

    Abstract translation: 解决的问题：提供一种用于形成半导体器件的绝缘结构的方法和用于绝缘结构的结构。

    解决方案：绝缘结构在底部比顶部宽，从而可以调节半导体器件的尺寸。 使用第一蚀刻工艺来形成第一沟槽，并且使用第二蚀刻工艺或氧化工艺在第一沟槽下方形成第二沟槽。 第二沟槽比第一沟槽宽。 在一个实施例中，可以在第一沟槽之间和第一沟槽的侧壁（该第一沟槽在第二蚀刻工艺期间保护第一沟槽的侧壁）形成基膜。 或者，在另一个实施例中，基膜可以沉积在第一沟槽的侧壁上。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

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