公开(公告)号：DE102015109842A1

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：DE102015109842

申请日：2015-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERTRAMS THOMAS ,  FEICK HENNING ,  KAEMMER KERSTIN ,  SCHMEIDE MATTHIAS ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/085 ,  H01L27/112

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten eines Trägers (102) enthalten: Dotieren eines Trägers (102) mit Fluor, so dass eine erste Oberflächenregion des Trägers (102) fluordotiert ist und eine zweite Oberflächenregion des Trägers (102) frei von der Fluordotierung und/oder weniger fluordotiert als die erste Oberflächenregion ist; und Oxidieren des Trägers (102) um eine erste Gateoxidschicht (104a) von der ersten Oberflächenregion des Trägers (102) mit einer ersten Dicke und gleichzeitig von der zweiten Oberflächenregion des Trägers (102) mit einer zweiten Dicke, die sich von der ersten Dicke unterscheidet, zu wachsen.

公开(公告)号：DE102015102225A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102015102225

申请日：2015-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRAUN FELIX ,  HONG BEE KIM ,  SCHMEIDE MATTHIAS ,  SCHNEIDER JENS ,  VOGT MIRKO

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/033

Abstract: Ein Verfahren (S100a) zur Verarbeitung einer Schicht kann aufweisen: Bereitstellen einer strukturierten Kohlenstoffschicht über einer Schicht oder über einem Träger (S110a); und Durchführen einer Ionenimplantation durch die strukturierte Kohlenstoffschicht in die Schicht oder in den Träger (S120a).

公开(公告)号：DE10219123B4

公开(公告)日：2004-06-03

申请号：DE10219123

申请日：2002-04-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SEIDL HARALD ,  GUTSCHE MARTIN ,  HECHT THOMAS ,  JAKSCHIK STEFAN ,  KUDELKA STEPHAN ,  SCHROEDER UWE ,  SCHMEIDE MATTHIAS

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

Abstract: Process for structuring ceramic layers on semiconductor substrates comprises depositing a ceramic layer on a semiconductor substrate, sealing the deposited ceramic layer, forming impurity sites in sections, and treating the ceramic layer with an etching medium, in which the ceramic layer is removed from the substrate in the sections provided with the impurity sites.

公开(公告)号：DE10219123A1

公开(公告)日：2003-11-13

申请号：DE10219123

申请日：2002-04-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SEIDL HARALD ,  GUTSCHE MARTIN ,  HECHT THOMAS ,  JAKSCHIK STEFAN ,  KUDELKA STEPHAN ,  SCHROEDER UWE ,  SCHMEIDE MATTHIAS

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

Abstract: Process for structuring ceramic layers on semiconductor substrates comprises depositing a ceramic layer on a semiconductor substrate, sealing the deposited ceramic layer, forming impurity sites in sections, and treating the ceramic layer with an etching medium, in which the ceramic layer is removed from the substrate in the sections provided with the impurity sites.