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    2.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008027703A1

    公开(公告)日：2009-01-08

    申请号：DE102008027703

    申请日：2008-06-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： OTREMBA RALF ,  SCHLOEGEL XAVER ,  HOEGLAUER JOSEF ,  HUBER ERWIN

    IPC: H01L25/16 ,  H01L23/48

    Abstract: A semiconductor device is disclosed. One embodiment provides a module including a first carrier having a first mounting surface and a second mounting surface, a first semiconductor chip mounted onto the first mounting surface of the first carrier and having a first surface facing away from the first carrier, a first connection element connected to the first surface of the first semiconductor chip, a second semiconductor chip having a first surface facing away from the first carrier, a second connection element connected to the first surface of the second semiconductor chip, and a mold material covering the first connection element and the second connection element only partially.

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102006044690A1

    公开(公告)日：2008-04-03

    申请号：DE102006044690

    申请日：2006-09-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： OTREMBA RALF ,  HUBER ERWIN

    IPC: H01L23/50

    Abstract: An electronic device and production method is disclosed. One embodiment provides an integrated component, a housing body, and an electrically conductive first layer region arranged outside the housing body.

    Halbleiterbauelement und elektronisches Modul
    5.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und elektronisches Modul 未知

    公开(公告)号：DE102007016901B4

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：DE102007016901

    申请日：2007-04-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： OTREMBA RALF ,  GOERGENS LUTZ ,  NOEBAUER GERHARD ,  LAY CHARLIE TAN TIEN ,  HUBER ERWIN ,  PUERSCHEL MARCO ,  DELAROZEE GILLES ,  DINKEL MARKUS

    IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

    Abstract: Bauelement (500), umfassend: – einen ersten Träger (501) mit einem ein erstes Außenkontaktelement bildenden ersten Fortsatz (505); – einen auf den ersten Träger (501) aufgebrachten ersten Halbleiterchip (503); – einen zweiten Träger (502) mit einem ein zweites Außenkontaktelement bildenden zweiten Fortsatz (506); und – einen auf den zweiten Träger (502) aufgebrachten zweiten Halbleiterchip (504), wobei – der erste Halbleiterchip (503) ein erstes Kontaktelement auf einer ersten Hauptoberfläche, die dem ersten Träger (501) zugewandt ist, aufweist und das erste Kontaktelement des ersten Halbleiterchips (503) mit dem ersten Träger (501) elektrisch verbunden ist, – der erste Halbleiterchip (503) ein zweites Kontaktelement (508) auf einer zweiten Hauptoberfläche aufweist und das zweite Kontaktelement (508) des ersten Halbleiterchips (503) mit einem dritten Außenkontaktelement (512) verbunden ist, – der erste Halbleiterchip (503) ein drittes Kontaktelement (510) auf seiner zweiten Hauptoberfläche aufweist und das dritte Kontaktelement (510) des ersten Halbleiterchips...

    Bauelement, Module und Verfahren zu deren Herstellung
    6.
    发明专利
    Bauelement, Module und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102008027703B4

    公开(公告)日：2019-12-19

    申请号：DE102008027703

    申请日：2008-06-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： OTREMBA RALF ,  SCHLÖGEL XAVER ,  HÖGLAUER JOSEF ,  HUBER ERWIN

    IPC: H01L25/16 ,  H01L23/48

    Abstract: Modul, umfassend:einen ersten Träger (10) mit einer ersten Montageoberfläche (11) und einer zweiten Montageoberfläche (12);einen auf der ersten Montageoberfläche (11) des ersten Trägers (10) montierten ersten Halbleiterchip (13) mit einer von dem ersten Träger (10) wegweisenden ersten Oberfläche (14);ein mit der ersten Oberfläche (14) des ersten Halbleiterchips (13) verbundenes erstes Verbindungselement (15) ;einen zweiten Träger (22) mit einer ersten Montageoberfläche (23) und einer zweiten Montageoberfläche (24);einen auf der ersten Montageoberfläche (23) des zweiten Trägers (22) montierten zweiten Halbleiterchip (16) mit einer von dem ersten Träger (10) wegweisenden ersten Oberfläche (17);ein mit der ersten Oberfläche (17) des zweiten Halbleiterchips (16) verbundenes zweites Verbindungselement (18);eine erste elektrisch isolierende Schicht (40), die auf der ersten Montageoberfläche (11) des ersten Trägers (10) und der ersten Montageoberfläche (23) des zweiten Trägers (22) aufgebracht ist und eine Lücke zwischen den beiden Trägern (10, 22) überbrückt, wobei die erste Oberfläche (14) des ersten Halbleiterchips (13) von der ersten elektrisch isolierenden Schicht (40) unbedeckt ist, wobei das erste Verbindungselement (15) teilweise auf der ersten elektrisch isolierenden Schicht (40) abgeschieden ist und den ersten Halbleiterchip (13) elektrisch mit dem zweiten Träger (22) verbindet; undein das erste Verbindungselement (15) und das zweite Verbindungselement (18) nur teilweise bedeckendes Formmaterial (19) .

    8.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102006005420A1

    公开(公告)日：2007-09-06

    申请号：DE102006005420

    申请日：2006-02-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HUBER ERWIN

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/04 ,  H01L23/36 ,  H01L23/50 ,  H01L25/16

    Abstract: The stackable semiconductor device includes at least one first electrode on a top side and a large-area second electrode on an underside of a semiconductor chip. The semiconductor chip also includes a control electrode on one of: the top side or the underside. Through contact blocks are arranged on the edge sides of the semiconductor device, the through contact blocks including externally accessible external contact areas. The external contact area each includes at least one edge side contact area, a top side contact area and an underside contact area. At least one large-area external contact is arranged on the underside and/or on the top side of the semiconductor device.

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