公开(公告)号：DE102015215024A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：DE102015215024

申请日：2015-08-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  KÜCK DANIEL

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (1) wird vorgestellt. Das Halbleiterbauelement umfasst einen ersten Lastanschluss (11), einen zweiten Lastanschluss (12), einen Steueranschluss (13) und einen Halbleiterkörper (10) mit einer Driftzone (101), wobei der Halbleiterkörper (10) durch ein Halbleitermaterial mit einer Bandlücke, die größer als die Bandlücke von Silizium ist, ausgebildet ist und dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten. Das Halbleiterbauelement (1) beinhaltet eine Sourcezone (102), die in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet und mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist; eine Bodyzone (103-1) und eine Abschirmzone (103-2), die beide in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet sind und eine zusammenhängende Zone (103) ausbilden, die die Sourcezone (102) von der Driftzone (101) isoliert, wobei die Abschirmzone (103-2) mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist; einen Graben (14), der sich in den Halbleiterkörper (10) entlang einer vertikalen Richtung (Z) erstreckt und einen Isolator (141) umfasst, der mit der zusammenhängenden Zone (103) in Kontakt steht; eine erste Elektrode (131), die innerhalb des Grabens (14) angeordnet und von dem Halbleiterkörper (10) durch den Isolator (141) isoliert ist, wobei die erste Elektrode (131) mit dem Steueranschluss (13) elektrisch verbunden ist; und einen Mesaabschnitt (101-1), der in der Driftzone (101) unter der Bodyzone (103-1) angeordnet ist und die Abschirmzone (103-2) von dem Graben (14) entlang einer ersten seitlichen Richtung (X) trennt, wobei eine erste Kapazität pro Flächeneinheit (C1/A), die durch einen in dem Mesaabschnitt (101-1) enthaltenen Bereich und durch einen in der Abschirmzone (103-2) enthaltenen Bereich ausgebildet ist, größer als eine zweite Kapazität pro Flächeneinheit (C2/A) ist, die durch den in dem Mesaabschnitt (101-1) enthaltenen Bereich und einen in der ersten Elektrode (131) enthaltenen Bereich ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102015215024B4

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：DE102015215024

申请日：2015-08-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KÜCK DANIEL ,  AICHINGER THOMAS ,  HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON

IPC: H01L29/68 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/201 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement (1), das einen ersten Lastanschluss (11), einen zweiten Lastanschluss (12), einen Steueranschluss (13) und einen Halbleiterkörper (10) mit einer Driftzone (101) umfasst, wobei der Halbleiterkörper (10) durch ein Halbleitermaterial mit einer Bandlücke, die größer als die Bandlücke von Silizium ist, ausgebildet ist und dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten und wobei das Halbleiterbauelement (1) Folgendes beinhaltet:- eine Sourcezone (102), die in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet und mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist;- eine zusammenhängende Zone (103), die in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet ist und die Sourcezone (102) von der Driftzone (101) isoliert;- einen Graben (14), der sich in den Halbleiterkörper (10) entlang einer vertikalen Richtung (Z) erstreckt und einen Isolator (141) umfasst, der mit der zusammenhängenden Zone (103) in Kontakt steht; und- eine erste Elektrode (131), die innerhalb des Grabens (14) angeordnet und von dem Halbleiterkörper (10) durch den Isolator (141) isoliert ist, wobei die erste Elektrode (131) mit dem Steueranschluss (13) elektrisch verbunden ist; und- eine zweite Elektrode (132), die innerhalb des Grabens (14) angeordnet und von dem Halbleiterkörper (10) durch den Isolator (141) isoliert ist, wobei der Isolator (141) die zweite Elektrode (132) von der ersten Elektrode (131) isoliert; wobei sich die zusammenhängende Zone (103) mindestens soweit entlang der vertikalen Richtung (Z) erstreckt wie der Graben (14).

公开(公告)号：DE102015111891A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：DE102015111891

申请日：2015-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GÜNTER ,  MÖNNICH ROLAND ,  EIGLER WERNER ,  KÜCK DANIEL

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

Abstract: Ein Verfahren zum Schützen einer Oberfläche (101a) eines Substrats (101) wird offenbart. Das Verfahren umfasst: Bearbeiten des Substrats (101); Ausbilden einer pyrolytischen Kohlenstoffschicht (120) auf mindestens einer Oberfläche (101a) des Substrats (101); und Unterziehen des Substrats (101) einer Wärmebehandlung, insbesondere bei einer Temperatur von über etwa 1300°C, typischerweise über etwa 1400°C.