公开(公告)号：DE102020133756A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102020133756

申请日：2020-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  BRENNER PIETRO ,  KAISER JULIAN WINFRIED ,  KALEEM SAQIB

IPC: H01L23/29

Abstract: Eine Vorrichtung enthält einen Hochfrequenzchip und ein dielektrisches Material, das zwischen einem ersten Bereich, der ein elektromagnetisches Störsignal in einem ersten Frequenzbereich zwischen 1 GHz und 1 THz abstrahlt, und einem zweiten Bereich, der das elektromagnetische Störsignal empfängt, angeordnet ist. Eine Dämpfung des dielektrischen Materials ist mehr als 5 dB/cm zumindest in einem Teilbereich des ersten Frequenzbereichs.