公开(公告)号：DE102020133756A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102020133756

申请日：2020-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  BRENNER PIETRO ,  KAISER JULIAN WINFRIED ,  KALEEM SAQIB

IPC: H01L23/29

Abstract: Eine Vorrichtung enthält einen Hochfrequenzchip und ein dielektrisches Material, das zwischen einem ersten Bereich, der ein elektromagnetisches Störsignal in einem ersten Frequenzbereich zwischen 1 GHz und 1 THz abstrahlt, und einem zweiten Bereich, der das elektromagnetische Störsignal empfängt, angeordnet ist. Eine Dämpfung des dielektrischen Materials ist mehr als 5 dB/cm zumindest in einem Teilbereich des ersten Frequenzbereichs.

公开(公告)号：DE102020122073A1

公开(公告)日：2022-02-24

申请号：DE102020122073

申请日：2020-08-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KALEEM SAQIB ,  DECHANT MARTIN ,  BRENNER PIETRO ,  FRITZIN JONAS ERIC SEBASTIAN

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: Eine Vorrichtung enthält einen Halbleiterchip mit einem elektrischen Kontakt, der auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterchips angeordnet ist. Die Vorrichtung enthält ein externes Verbindungselement, das dazu ausgelegt ist, eine erste koax-ähnliche elektrische Verbindung zwischen der Vorrichtung und einer Leiterplatte bereitzustellen, wobei die erste koax-ähnliche elektrische Verbindung einen Abschnitt aufweist, der sich in einer Richtung senkrecht zur Hauptoberfläche des Halbleiterchips erstreckt. Die Vorrichtung enthält ferner eine elektrische Umverteilungsschicht, die über der Hauptoberfläche des Halbleiterchips angeordnet und dazu ausgelegt ist, eine zweite koax-ähnliche elektrische Verbindung zwischen dem elektrischen Kontakt des Halbleiterchips und dem externen Verbindungselement bereitzustellen, wobei die zweite koax-ähnliche elektrische Verbindung einen Abschnitt aufweist, der sich in einer Richtung parallel zur Hauptoberfläche des Halbleiterchips erstreckt.