公开(公告)号：DE102015100671B4

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：DE102015100671

申请日：2015-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAGNER EVA ,  KASPAR KORBINIAN ,  KOLLER ADOLF

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/301 ,  H01L29/06

Abstract: Bauelement, umfassend:einen Halbleiterchip (11), der eine Dicing-Kante (12) umfasst;eine aktive Struktur (15), die in einem Halbleitermaterial (16, 16A) des Halbleiterchips (11) angeordnet ist;eine Schutzstruktur (17), die ein Oxid umfasst und zwischen der Dicing-Kante (12) und der aktiven Struktur (15) angeordnet ist, wobei eine Abmessung der Schutzstruktur (17) mindestens 1 Mikrometer in einer Richtung parallel zu einer Vorderseite des Halbleiterchips (11) und mindestens 5 Mikrometer in einer Richtung parallel zur Dicing-Kante (12) beträgt; undeinen Dichtring (22) und/oder eine Rissstoppschicht (25), wobei die Schutzstruktur (17) unter dem Dichtring (22) und/oder der Rissstoppschicht (25) angeordnet ist und von dem Dichtring (22) und/oder der Rissstoppschicht (25) räumlich getrennt ist.

公开(公告)号：DE102015100783A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015100783

申请日：2015-01-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  DRUMMER BERNHARD ,  KASPAR KORBINIAN ,  MACKH GUNTHER

IPC: H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren zum Zertrennen eines Wafers kann Folgendes aufweisen: Bilden mehrerer aktiver Bereiche in einem Wafer, wobei jeder aktive Bereich mindestens eine elektronische Komponente aufweist, wobei sich die aktiven Bereiche von einer ersten Oberfläche des Wafers über eine bestimmte Höhe in den Wafer hinein erstrecken und durch Trennungsbereiche getrennt sind, wobei die Trennungsbereiche metallfrei sind, Bilden mindestens eines Grabens im Wafer durch Plasmaätzen in mindestens einem Trennungsbereich von der ersten Oberfläche des Wafers. Der mindestens eine Graben erstreckt sich weiter in den Wafer als die mehreren aktiven Bereiche hinein. Das Verfahren kann ferner das Bearbeiten eines überbleibenden Anteils des Wafers im Trennungsbereich aufweisen, damit der Wafer in einzelne Chips geteilt wird.

公开(公告)号：DE102016109720A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102016109720

申请日：2016-05-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARIANI FRANCO ,  KASPAR KORBINIAN

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Bilden von zumindest einer Lasermarkierung, die innerhalb eines Halbleitersubstrats vergraben ist, und ein Dünnen des Halbleitersubstrats von einer Rückseite des Halbleitersubstrats. Zum Beispiel umfasst ein Halbleiterbauelement ein Halbleitersubstrat, das sich in einem Halbleitergehäuse befindet. Eine Lasermarkierung ist innerhalb des Halbleitersubstrats vergraben. Zum Beispiel umfasst ein anderes Halbleiterbauelement ein Halbleitersubstrat. Eine Lasermarkierung befindet sich an einer Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats. Ferner ist zumindest ein Abschnitt der Rückseitenoberfläche, der sich benachbart zu der Lasermarkierung befindet, frei von Umschmelzmaterial ist.

公开(公告)号：DE102015100827A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015100827

申请日：2015-01-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARIANI FRANCO ,  KASPAR KORBINIAN

IPC: H01L21/304

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats wird bereitgestellt. Das Verfahren kann beinhalten, eine Folie über einer ersten Seite eines Halbleitersubstrats auszubilden, wenigstens ein Trenngebiet in dem Halbleitersubstrat zwischen einem ersten Gebiet und einem zweiten Gebiet des Halbleitersubstrats auszubilden, das Halbleitersubstrat auf einer Brechvorrichtung anzuordnen, wobei die Brechvorrichtung eine Bruchkante aufweist und wobei das Halbleitersubstrat derart angeordnet ist, dass die Folie der Brechvorrichtung zugewandt ist, und in wenigstens einer Ausrichtungsposition mit dem wenigstens einen Trenngebiet an der Bruchkante ausgerichtet, und das Halbleitersubstrat zu zwingen, das erste Gebiet in Bezug auf das zweite Gebiet über die Bruchkante zu biegen, bis die Folie zwischen der Bruchkante und dem wenigstens einen Trenngebiet getrennt wird.

公开(公告)号：DE102015100671A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015100671

申请日：2015-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAGNER EVA ,  KASPAR KORBINIAN ,  KOLLER ADOLF

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/301

Abstract: Ein Bauelement enthält einen Halbleiterchip mit einer Dicing-Kante. Das Bauelement enthält weiterhin eine aktive Struktur, die in einem Halbleitermaterial des Halbleiterchips angeordnet ist und eine Schutzstruktur, die zwischen der Dicing-Kante und der aktiven Struktur angeordnet ist.