Entfernen eines Verstärkungsrings von einem Wafer

    公开(公告)号:DE102016110378A1

    公开(公告)日:2017-12-07

    申请号:DE102016110378

    申请日:2016-06-06

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Entfernen eines Verstärkungsrings von einem Wafer beschrieben. Das Verfahren umfasst ein Bilden einer ringförmigen Vertiefung in einer ersten Oberfläche des Wafers und ein Abtrennen des Verstärkungsrings aus einem Innenbereich des Wafers entlang der ringförmigen Vertiefung.

    Verfahren zum Zertrennen eines Wafers und Halbleiterchip

    公开(公告)号:DE102015100783A1

    公开(公告)日:2016-07-21

    申请号:DE102015100783

    申请日:2015-01-20

    Abstract: Ein Verfahren zum Zertrennen eines Wafers kann Folgendes aufweisen: Bilden mehrerer aktiver Bereiche in einem Wafer, wobei jeder aktive Bereich mindestens eine elektronische Komponente aufweist, wobei sich die aktiven Bereiche von einer ersten Oberfläche des Wafers über eine bestimmte Höhe in den Wafer hinein erstrecken und durch Trennungsbereiche getrennt sind, wobei die Trennungsbereiche metallfrei sind, Bilden mindestens eines Grabens im Wafer durch Plasmaätzen in mindestens einem Trennungsbereich von der ersten Oberfläche des Wafers. Der mindestens eine Graben erstreckt sich weiter in den Wafer als die mehreren aktiven Bereiche hinein. Das Verfahren kann ferner das Bearbeiten eines überbleibenden Anteils des Wafers im Trennungsbereich aufweisen, damit der Wafer in einzelne Chips geteilt wird.

Patent Agency Ranking