公开(公告)号：DE102015100671A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015100671

申请日：2015-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAGNER EVA ,  KASPAR KORBINIAN ,  KOLLER ADOLF

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/301

Abstract: Ein Bauelement enthält einen Halbleiterchip mit einer Dicing-Kante. Das Bauelement enthält weiterhin eine aktive Struktur, die in einem Halbleitermaterial des Halbleiterchips angeordnet ist und eine Schutzstruktur, die zwischen der Dicing-Kante und der aktiven Struktur angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102014117127B4

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102014117127

申请日：2014-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WACHTER ULRICH ,  WAGNER EVA ,  BEER GOTTFRIED

IPC: H01L21/50 ,  B23K26/352 ,  B23K26/40 ,  H01L21/268 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/28 ,  H01L23/544

Abstract: Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelement-Packages, wobei das Verfahren umfasst:wenigstens teilweise Verkapselung einer Mehrzahl von Halbleiterchips mit Verkapselungsmaterial zum Ausbilden eines Verkapselungskörpers, wobei der Verkapselungskörper eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche aufweist;Ausbilden von wenigstens einer von einer Metallschicht und einer organischen Schicht über der ersten Hauptoberfläche des Verkapselungskörpers;Entfernung von wenigstens einer Spur von der wenigstens einen von der Metallschicht und der organischen Schicht mittels Laserablation; undTeilung des Verkapselungskörpers in eine Mehrzahl von Halbleiterbauelement-Packages entlang der wenigstens einen Spur.

公开(公告)号：DE102015100671B4

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：DE102015100671

申请日：2015-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAGNER EVA ,  KASPAR KORBINIAN ,  KOLLER ADOLF

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/301 ,  H01L29/06

Abstract: Bauelement, umfassend:einen Halbleiterchip (11), der eine Dicing-Kante (12) umfasst;eine aktive Struktur (15), die in einem Halbleitermaterial (16, 16A) des Halbleiterchips (11) angeordnet ist;eine Schutzstruktur (17), die ein Oxid umfasst und zwischen der Dicing-Kante (12) und der aktiven Struktur (15) angeordnet ist, wobei eine Abmessung der Schutzstruktur (17) mindestens 1 Mikrometer in einer Richtung parallel zu einer Vorderseite des Halbleiterchips (11) und mindestens 5 Mikrometer in einer Richtung parallel zur Dicing-Kante (12) beträgt; undeinen Dichtring (22) und/oder eine Rissstoppschicht (25), wobei die Schutzstruktur (17) unter dem Dichtring (22) und/oder der Rissstoppschicht (25) angeordnet ist und von dem Dichtring (22) und/oder der Rissstoppschicht (25) räumlich getrennt ist.

公开(公告)号：DE102014117127A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102014117127

申请日：2014-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WACHTER ULRICH ,  WAGNER EVA ,  BEER GOTTFRIED

IPC: H01L21/50 ,  B23K26/352 ,  B23K26/40 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  H01L23/28 ,  H01L23/544

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement-Packages umfasst die wenigstens teilweise Verkapselung einer Mehrzahl von Halbleiterchips mit Verkapselungsmaterial, um einen Verkapselungskörper auszubilden. Der Verkapselungskörper weist eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche auf. Wenigstens eine von einer Metallschicht und einer organischen Schicht wird/werden über der ersten Hauptoberfläche des Verkapselungskörpers geformt. Wenigstens eine Spur von der wenigstens einen von der Metallschicht und der organischen Schicht wird mittels Laserablation entfernt. Der Verkapselungskörper wird dann entlang der wenigstens einen Spur in eine Mehrzahl von Halbleiterbauelement-Packages geteilt.