公开(公告)号：DE102013107787A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：DE102013107787

申请日：2013-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  KNABEL MICHAEL ,  MEYER URSULA ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VON KOBLINSKI CARSTEN

IPC: H01L23/46 ,  H01L21/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04

Abstract: Es wird eine Chipbaugruppe (310) bereitgestellt, wobei die Chipbaugruppe (310) Folgendes enthält: eine erste Verkapselungsstruktur (202); eine über der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildete erste Passivierungsschicht (224) und eine über der ersten Passivierungsschicht (224) gebildete erste elektrisch leitende Schicht (234); mindestens einen über der ersten elektrisch leitenden Schicht (234) und der Passivierungsschicht (224) angeordneten Chip (242), wobei mindestens eine Chipkontaktstelle (243) die erste elektrisch leitende Schicht (234) kontaktiert; mindestens einen in der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildeten Hohlraum (2112), wobei mindestens ein Hohlraum (2112) einen Abschnitt der mindestens eine Chipkontaktstelle (243) bedeckenden ersten Passivierungsschicht (224) exponiert; eine auf der ersten Verkapselungsstruktur (202) aufgebrachte und mindestens einen Hohlraum (2112) bedeckende zweite Verkapselungsstruktur (2116), wobei eine Kammerzone (2118) über mindestens einer Chipkontaktstelle (243) durch mindestens einen Hohlraum (2112) und die zweite Verkapselungsstruktur (2116) definiert wird; wobei die zweite Verkapselungsstruktur (2116) einen Einlass (2122) und einen Auslass (2124), die mit der Kammerzone (2118) verbunden sind, enthält, wobei der Einlass (2122) und der Auslass (2124) einen Zufluss und einen Abfluss von wärmeableitendem Material in die und aus der Kammerzone (2118) steuern.