公开(公告)号：DE102016113827A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102016113827

申请日：2016-07-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  ZORN PETER

IPC: C03B11/08 ,  G02B1/00 ,  G02B6/13 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Glaselementen umfasst ein Inkontaktbringen einer ersten Hauptoberfläche (110) eines Glassubstrats (100) mit einer ersten Arbeitsfläche (210) eines ersten Formsubstrats (200), wobei die erste Arbeitsfläche (210) mit einer Mehrzahl erster vorstehender Teile (250) versehen ist, und ein Inkontaktbringen einer zweiten Hauptoberfläche (120) des Glassubstrats (100) mit einer zweiten Arbeitsfläche (310) eines zweiten Formsubstrats (300), wobei die zweite Arbeitsfläche (310) mit einer Mehrzahl zweiter vorstehender Teile (320) versehen ist. Das Verfahren umfasst ferner ein Steuern einer Temperatur des Glassubstrats (100) auf eine Temperatur oberhalb einer Glasübergangstemperatur, um die Mehrzahl an Glaselementen zu schaffen, ein Entfernen des ersten und des zweiten Formsubstrats (200, 300) von dem Glassubstrat (100) und ein Trennen benachbarter der Mehrzahl von Glaselementen.

公开(公告)号：DE102015104816A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102015104816

申请日：2015-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  KARLOVSKY KAMIL ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  ZORN PETER

IPC: H01M10/0525 ,  H01L21/50 ,  H01L27/06

Abstract: Eine Batterie (2) umfasst ein erstes Substrat (100), das eine erste Hauptoberfläche (110) hat, ein zweites Substrat (155), das aus einem leitenden Material oder einem Halbleitermaterial hergestellt ist, und einen Träger (150) aus einem isolierenden Material. Der Träger (150) hat eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (151, 153), wobei das zweite Substrat (155) an der ersten Hauptoberfläche (151) des Trägers (150) angebracht ist. Eine Öffnung (152) ist in der zweiten Hauptoberfläche (153) des Trägers (150) gebildet, um einen Teil einer zweiten Hauptoberfläche (156) des zweiten Substrates (155) freizulegen. Die zweite Hauptoberfläche (153) des Trägers (150) ist an dem ersten Substrat (100) angebracht, um dadurch einen Hohlraum (162) zu bilden. Die Batterie umfasst weiterhin einen Elektrolyten (130), der in dem Hohlraum (162) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016116499B4

公开(公告)日：2022-06-15

申请号：DE102016116499

申请日：2016-09-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KERN RONNY ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bilden von Halbleiterbauelementen, umfassend:Anbringen (10) einer Glasstruktur an einem Halbleiterwafer mit breitem Bandabstand, umfassend eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen;Bilden (20) von zumindest einer Anschlussflächenstruktur, die mit zumindest einer Dotierungsregion eines Halbleitersubstrats des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand elektrisch verbunden ist, durch Bilden von elektrisch leitfähigem Material innerhalb zumindest einer Öffnung, die sich durch die Glasstruktur erstreckt;Anbringen einer weiteren Glasstruktur an einer Rückseite des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand; undBilden von zumindest einer elektrisch leitfähigen Struktur, die mit einer Rückseite des Halbleitersubstrats elektrisch verbunden ist, durch Bilden von elektrisch leitfähigem Material innerhalb zumindest einer Öffnung, die sich durch die weitere Glasstruktur erstreckt,wobei die Halbleiterbauelemente der Mehrzahl von Halbleiterbauelementen jeweils ein Halbleitersubstrat, das Teil eines Halbleitersubstrats des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand ist, und eine Glasteilstruktur der Glasstruktur umfassen, wobei die Glasteilstruktur mit einer vertikalen Oberfläche eines Randes des Halbleitersubstrats in Kontakt ist.

公开(公告)号：DE102020119953A1

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：DE102020119953

申请日：2020-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  KUENLE MATTHIAS ,  OEFNER HELMUT ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/302 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend ein Bilden einer ersten Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat, wobei die erste Halbleiterschicht von dem gleichen Dotierstofftyp wie das Halbleitersubstrat ist, wobei die erste Halbleiterschicht eine höhere Dotierstoffkonzentration als das Halbleitersubstrat aufweist, ein Erhöhen der Porosität der ersten Halbleiterschicht, ein erstes Tempern der ersten Halbleiterschicht bei einer Temperatur von zumindest 1050°C, ein Bilden einer zweiten Halbleiterschicht auf der ersten Halbleiterschicht und ein Trennen der zweiten Halbleiterschicht von dem Halbleitersubstrat durch Spalten innerhalb der ersten Halbleiterschicht.

公开(公告)号：DE102016116499A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：DE102016116499

申请日：2016-09-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KERN RONNY ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen umfasst ein Anbringen einer Glasstruktur an einem Weiter-Bandabstand-Halbleiterwafer, umfassend eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen. Das Verfahren umfasst ferner ein Bilden von zumindest einer Anschlussflächenstruktur, die mit zumindest einer Dotierungsregion eines Halbleitersubstrats des Weiter-Bandabstand-Halbleiterwafers elektrisch verbunden ist, durch Bilden von elektrisch leitfähigem Material innerhalb zumindest einer Öffnung, die sich durch die Glasstruktur erstreckt.

公开(公告)号：DE102016110523A1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：DE102016110523

申请日：2016-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  KERN RONNY ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/266 ,  G03F1/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren (2) zum Verarbeiten einer Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst Folgendes: Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10) der Leistungshalbleitervorrichtung (1), Koppeln (24) einer Maske (30) an den Halbleiterkörper (10) und Ausführen (28) einer Ionenimplantation am Halbleiterkörper (10), so dass Implantationsionen (40) die Maske (30) durchqueren, bevor sie in den Halbleiterkörper (10) eindringen.

公开(公告)号：DE102018116051A1

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：DE102018116051

申请日：2018-07-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHÄFFER CARSTEN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  KERN RONNY ,  RUPP ROLAND ,  GOLLER BERNHARD ,  PICCIN MATTEO

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines hierin beschriebenen Verfahrens wird ein Siliziumcarbidsubstrat (700) geschaffen, das eine Vielzahl von Vorrichtungsgebieten (650) enthält. Eine vorderseitige Metallisierung (610) kann an einer Vorderseite des Siliziumcarbidsubstrats (700) vorgesehen werden. Das Verfahren kann ferner ein Vorsehen einer Hilfsstruktur (800) an einer Rückseite des Siliziumcarbidsubstrats (700) umfassen. Die Hilfsstruktur (800) enthält eine Vielzahl lateral getrennter Metallbereiche (810). Jeder Metallbereich (810) ist mit einem der Vorrichtungsgebiete (650) in Kontakt.

公开(公告)号：DE102019110402A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019110402

申请日：2019-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KUENLE MATTHIAS ,  VOSS STEPHAN ,  MOSER ANDREAS ,  GRIEBL ERICH ,  KNABL MICHAEL ,  RUPP ROLAND ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers ist vorgeschlagen. Das Verfahren kann ein Reduzieren einer Dicke des Halbleiterwafers umfassen. Eine Trägerstruktur wird auf einer ersten Seite des Halbleiterwafers platziert, z. B. vor oder nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Das Verfahren umfasst ferner ein Bereitstellen einer Stützstruktur auf einer zweiten Seite des Halbleiterwafers gegenüber der ersten Seite, z. B. nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Es werden Verfahren zum Schweißen einer Stützstruktur auf einen Halbleiterwafer vorgeschlagen. Ferner werden Halbleiter-Verbundstrukturen mit auf einen Halbleiterwafer geschweißten Stützstrukturen vorgeschlagen.

公开(公告)号：DE102017125647A1

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：DE102017125647

申请日：2017-11-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KASZTELAN CHRISTIAN ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  MENGEL MANFRED ,  NIEDERHOFER ANDREAS

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: Eine thermoelektrische Vorrichtung weist mehrere erste Halbleitermesastrukturen mit einem ersten Leitfähigkeitstyp auf. Außerdem weist die thermoelektrische Vorrichtung mehrere zweite Halbleitermesastrukturen mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Die ersten Halbleitermesastrukturen der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen und die zweiten Halbleitermesastrukturen der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen sind elektrisch in Reihe verbunden. Die thermoelektrische Vorrichtung weist ferner eine Glasstruktur auf, die sich lateral zwischen den ersten Halbleitermesastrukturen der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen und den zweiten Halbleitermesastrukturen der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen befindet. Die Glasstruktur isoliert die ersten Halbleitermesastrukturen der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen lateral elektrisch von den zweiten Halbleitermesastrukturen der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen.

公开(公告)号：DE102016118012A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102016118012

申请日：2016-09-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VOSS STEPHAN ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  GAWLINA YVONNE

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/82 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine gemeinsame Dotierungsregion, die sich innerhalb eines Halbleitersubstrats des Halbleiterbauelements befindet. Die gemeinsame Dotierungsregion umfasst einen ersten Abschnitt. Eine maximale Dotierungskonzentration innerhalb des ersten Abschnitts ist höher als 1·1015 cm–3. Die gemeinsame Dotierungsregion umfasst einen zweiten Abschnitt. Eine minimale Dotierungskonzentration innerhalb des zweiten Abschnitts ist geringer als 50% der maximalen Dotierungskonzentration innerhalb des ersten Abschnitts der gemeinsamen Dotierungsregion. Die gemeinsame Dotierungsregion umfasst einen dritten Abschnitt. Eine minimale Dotierungskonzentration innerhalb des dritten Abschnitts ist um mehr als 30% höher als die minimale Dotierungskonzentration innerhalb des zweiten Abschnitts. Der zweite Abschnitt der gemeinsamen Dotierungsregion befindet sich vertikal zwischen dem ersten Abschnitt der gemeinsamen Dotierungsregion und dem dritten Abschnitt der gemeinsamen Dotierungsregion.