公开(公告)号：DE102023118149B4

公开(公告)日：2025-05-08

申请号：DE102023118149

申请日：2023-07-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNUST STEFFEN ,  ZWAR ELENA

IPC: B23K1/20 ,  C25D5/00 ,  C25D5/48

Abstract: Verfahren (100) zur Herstellung eines lötbaren Teils, wobei das Verfahren umfasst- Bereitstellen eines Vorprodukts eines lötbaren Teils (110);- Bereitstellen eines Zwischenprodukts durch Durchführen einer Verarbeitung des Vorprodukts (120); und- Bereitstellen eines Endprodukts durch Durchführen eines Waschens des Zwischenprodukts unter Verwendung von deionisiertem Wasser, dem eine vorbestimmte Menge eines Tensids zugesetzt wird (130).

公开(公告)号：DE102023121708B4

公开(公告)日：2025-04-30

申请号：DE102023121708

申请日：2023-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIMBERT-RIVIERE CHARLES ,  TROSKA GEORG ,  LOTTSPEICH LYDIA ,  GOLDAMMER MARTIN ,  WILKE ULRICH ,  DOMES BENEDIKT ,  KNUST STEFFEN

IPC: H05K3/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H05K1/02

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Substrates (10) für ein Halbleitermodul, wobei das Verfahren aufweist:Formen einer ersten elektrisch leitenden Schicht (111) auf einer ersten Seite einer dielektrischen Isolationsschicht (11);Strukturieren der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) durch Erzeugen eines oder mehrerer durchgehender Einschnitte in der ersten elektrisch leitenden Schicht (111), welche sich von einer oberen Oberfläche der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) bis hin zur dielektrischen Isolationsschicht (11) erstrecken, um so verschiedene Abschnitte der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) vollständig voneinander zu trennen; undFormen einer Passivierungsschicht (40), wobei die Passivierungsschicht (40) die gesamte Oberfläche der strukturierten ersten elektrisch leitenden Schicht (111) bedeckt, wobei die Passivierungsschicht (40) organische Moleküle mit wenigstens einer funktionellen Gruppe aufweist, und wobei das Formen der Passivierungsschicht (40) das Behandeln der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) mittels eines Hydrofluorether (HFE)-Reinigungsverfahrens aufweist.

公开(公告)号：DE102023118149A1

公开(公告)日：2025-01-16

申请号：DE102023118149

申请日：2023-07-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNUST STEFFEN ,  ZWAR ELENA

IPC: B23K1/20 ,  C25D5/00

Abstract: Verfahren (100) zur Herstellung eines lötbaren Teils, umfassend das Bereitstellen eines Vorprodukts des lötbaren Teils (110), das Bereitstellen eines Zwischenprodukts durch Durchführen einer Verarbeitung des Vorprodukts (120) und das Bereitstellen eines Endprodukts durch Durchführen eines Waschens des Zwischenprodukts unter Verwendung von entionisiertem Wasser, dem eine vorbestimmte Menge eines Tensids zugesetzt wird (130).