公开(公告)号：DE102023121708A1

公开(公告)日：2025-02-20

申请号：DE102023121708

申请日：2023-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIMBERT-RIVIERE CHARLES ,  TROSKA GEORG ,  LOTTSPEICH LYDIA ,  GOLDAMMER MARTIN ,  WILKE ULRICH ,  DOMES BENEDIKT ,  BÖWERS LARS

IPC: H05K3/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H05K1/02

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates für ein Halbleitermodul weist auf das Formen einer ersten elektrisch leitenden Schicht auf einer ersten Seite einer dielektrischen Isolationsschicht, das Strukturieren der ersten elektrisch leitenden Schicht durch Erzeugen eines oder mehrerer durchgehender Einschnitte in der ersten elektrisch leitenden Schicht, welche sich von einer oberen Oberfläche der ersten elektrisch leitenden Schicht bis hin zur dielektrischen Isolationsschicht erstrecken, um so verschiedene Abschnitte der ersten elektrisch leitenden Schicht vollständig voneinander zu trennen, und das Formen einer Passivierungsschicht, wobei die Passivierungsschicht die gesamte Oberfläche der strukturierten ersten elektrisch leitenden Schicht bedeckt.

公开(公告)号：DE102023121708B4

公开(公告)日：2025-04-30

申请号：DE102023121708

申请日：2023-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIMBERT-RIVIERE CHARLES ,  TROSKA GEORG ,  LOTTSPEICH LYDIA ,  GOLDAMMER MARTIN ,  WILKE ULRICH ,  DOMES BENEDIKT ,  KNUST STEFFEN

IPC: H05K3/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H05K1/02

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Substrates (10) für ein Halbleitermodul, wobei das Verfahren aufweist:Formen einer ersten elektrisch leitenden Schicht (111) auf einer ersten Seite einer dielektrischen Isolationsschicht (11);Strukturieren der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) durch Erzeugen eines oder mehrerer durchgehender Einschnitte in der ersten elektrisch leitenden Schicht (111), welche sich von einer oberen Oberfläche der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) bis hin zur dielektrischen Isolationsschicht (11) erstrecken, um so verschiedene Abschnitte der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) vollständig voneinander zu trennen; undFormen einer Passivierungsschicht (40), wobei die Passivierungsschicht (40) die gesamte Oberfläche der strukturierten ersten elektrisch leitenden Schicht (111) bedeckt, wobei die Passivierungsschicht (40) organische Moleküle mit wenigstens einer funktionellen Gruppe aufweist, und wobei das Formen der Passivierungsschicht (40) das Behandeln der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) mittels eines Hydrofluorether (HFE)-Reinigungsverfahrens aufweist.