公开(公告)号：DE102005046710B4

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：DE102005046710

申请日：2005-09-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  KROENER FRIEDRICH DR

IPC: H01L23/14 ,  B22F3/12 ,  C22C32/00 ,  C22C49/14 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Bauelementanordnung mit folgenden Schritten: a) Bereitstellen eines Halbleiterchips (10), b) Herstellen eines Trägers gemäß den Schritten c) bis f) durch c) Bereitstellen eines Gemenges, das ein Metall (3) sowie eine Vielzahl von Kohlefasern (2) umfasst, und d) Herstellen eines Sinterkörpers (4, 5) durch Versintern des Gemenges, e) Verringern der Oberflächenrauigkeit des Sinterkörpers (4, 5) durch Schleifen zumindest an einer zur Montage des Halbleiterchips (10) vorgesehenen Stelle, f) Aufbringen einer Metallisierungsschicht (4a, 5a) auf den Sinterkörper (4, 5), und g) Herstellen einer eutektischen Verbindung zwischen dem Halbleiterchip (10) und der Metallisierungsschicht (4a, 5a) des Trägers.

公开(公告)号：DE10206687A1

公开(公告)日：2003-08-28

申请号：DE10206687

申请日：2002-02-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH DR ,  WISTRELA ROBERT

IPC: C25F3/12 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3063 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

Abstract: The chemical treatment device has a chamber with at least one inlet and at least one outlet for a material (19) for chemical treatment of a workpiece arranged in the chamber. At least one section of the chamber wall is formed by a light transmitting optical imaging plate (12) for forming an image of an illumination pattern on the surface of the workpiece in the chamber. AN Independent claim is also included for the following: (a) a method of light induced chemical treatment of a workpiece.

公开(公告)号：DE10206687B4

公开(公告)日：2004-02-19

申请号：DE10206687

申请日：2002-02-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH DR ,  WISTRELA ROBERT

IPC: C25F3/12 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3063 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

公开(公告)号：DE102006054311B4

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：DE102006054311

申请日：2006-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON DR ,  KROENER FRIEDRICH DR ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER DR

IPC: H01L21/30

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, mit den Merkmalen: – Bereitstellen eines Halbleiter-Funktionswafers mit einer ersten und zweiten Hauptoberfläche, – Ausführung von Bauelement-Herstellungsschritten zur Herstellung eines Bauelement-Funktionsbereiches an der ersten Hauptoberfläche, wobei die Bauelement-Herstellungsschritte einen bis zu mindestens einer ersten Temperatur stabilen Endzustand erzeugen, – Anbringen eines Trägersubstrats an der ersten Hauptoberfläche des Funktionswafers, – Dünnen des Funktionswafers auf eine vorbestimmte Substratdicke der Halbleitervorrichtung – Ausführung mindestens eines Bauelement-Herstellungsschrittes zur Herstellung eines Bauelement-Funktionsbereichs an der zweiten Hauptoberfläche, der bei der ersten Temperatur abläuft, wobei die Ausführung mindestens eines Bauelement-Herstellungsschrittes an der zweiten Hauptoberfläche die Ausführung eines Diffusionsprozesses in der zweiten Hauptoberfläche des Funktionswafers bei der ersten Temperatur zur Erzeugung eines ganzflächigen oder strukturierten Rückseiten-Diffusionsgebietes umfasst, – selektives Ätzen des Trägersubstrats, zur Herstellung von Zugangsöffnungen zur ersten Hauptoberfläche des Funktionswafers, – Ausführung mindestens eines weiteren Bauelement-Herstellungsschrittes zur Herstellung strukturierter Bauelement-Funktionsbereiche an der ersten Hauptoberfläche des...