公开(公告)号：DE102019114094A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019114094

申请日：2019-05-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRIVEC STEFAN ,  KERN RONNY ,  KRAMP STEFAN ,  LANGER GREGOR ,  WINKLER HANNES ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L23/485 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Kontaktierung (106) mit einer ersten Metallschicht (111) und mindestens einer zweiten Metallschicht (121-123) auf einem Siliziumcarbid-Substrat (105) umfasst das Durchführen eines chemischen Reinigungsprozesses (300) zum Entfernen von zumindest einem Teil eines Kohlenstoffrückstands (302) zur Reinigung der ersten Metallschicht (111). Die erste Metallschicht (111) und/oder die zweite Metallschicht (121-123) können durch Sputterabscheidung erzeugt werden.