公开(公告)号：DE102015111904A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：DE102015111904

申请日：2015-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOITZ MARCO ,  KRAMP STEFAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: Es werden ein Halbleiterchip mit unterschiedlichen Chip-Anschlussflächen und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterchips mit unterschiedlichen Chip-Anschlussflächen offenbart. Bei einigen Ausführungsbeispielen umfasst das Verfahren das Abscheiden einer Barriereschicht über einer Chipvorderseite, das Abscheiden einer Kupferschicht nach dem Abscheiden der Barriereschicht und das Entfernen eines Teils der Kupferschicht, der sich außerhalb einer ersten Chip-Anschlussflächenregion befindet, wobei ein verbleibender Abschnitt der Kupferschicht innerhalb der ersten Chip-Anschlussflächenregion eine Oberflächenschicht der Chip-Anschlussfläche bildet. Das Verfahren umfasst ferner das Entfernen eines Teils der Barriereschicht, der sich außerhalb der ersten Chip-Anschlussflächenregion befindet.

公开(公告)号：DE102016113868A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102016113868

申请日：2016-07-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRAMP STEFAN

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Halbleitervorrichtung (100c) enthalten: mindestens eine erste Kontaktinsel (104) auf einer Vorderseite (100f) der Halbleitervorrichtung (100c); mindestens eine zweite Kontaktinsel (114) auf der Vorderseite (100f) der Halbleitervorrichtung (100c); einen Schichtstapel, der mindestens teilweise über der mindestens einen ersten Kontaktinsel (104) angeordnet ist, wobei die mindestens eine zweite Kontaktinsel (114) mindestens teilweise frei von dem Schichtstapel ist; wobei der Schichtstapel mindestens eine Adhäsionsschicht (102a) und eine Metallisierungsschicht (102m) enthält; und wobei die Metallisierungsschicht (102m) eine Metalllegierung enthält, und wobei die Adhäsionsschicht (102a) zwischen der Metallisierungsschicht (102m) und der mindestens einen ersten Kontaktinsel (104) angeordnet ist, um die Metalllegierung der Metallisierungsschicht (102m) an der mindestens einen ersten Kontaktinsel (104) anzuhaften.

公开(公告)号：DE102015109835A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE102015109835

申请日：2015-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THALMANN ERWIN ,  LEUTSCHACHER MICHAEL ,  MUSSHOFF CHRISTIAN ,  KRAMP STEFAN

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: Ein Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Prüfgeräts; Bereitstellen eines elektrisch leitenden Trägers; Bereitstellen eines Halbleitersubstrats, das eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche und eine Mehrzahl von Halbleiterchips aufweist, wobei die Halbleiterchips ein erstes Kontaktelement auf der ersten Hauptfläche und ein zweites Kontaktelement auf der zweiten Hauptfläche umfassen, Anordnen des Halbleitersubstrats auf dem Träger, wobei die zweite Hauptfläche dem Träger zugewandt ist, elektrisches Verbinden des Trägers mit einer Kontaktstelle, die auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist, und Prüfen eines Halbleiterchips durch elektrisches Verbinden des Prüfgeräts mit dem ersten Kontaktelement des Halbleiterchips und der Kontaktstelle.

公开(公告)号：DE102019100130A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Kontaktmetallisierungsschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, eine anorganische Passivierungsstruktur, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, und eine organische Passivierungsschicht. Die organische Passivierungsschicht, die zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht und der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist, ist vertikal näher an dem Halbleitersubstrat positioniert als ein Teil der organischen Passivierungsschicht, die oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist.

公开(公告)号：DE102019100130B4

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200) umfassend:eine Kontaktmetallisierungsschicht (120), die auf einem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist;eine anorganische Passivierungsstruktur (130), die auf dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist; undeine organische Passivierungsschicht (140), wobei ein erster Teil der organischen Passivierungsschicht (140) lateral zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht (120) und der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, sodass die Kontaktmetallisierungsschicht (120) und die anorganische Passivierungsstruktur (130) voneinander beabstandet sind, und ein zweiter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, und wobei der erste Teil der organischen Passivierungsschicht vertikal näher an dem Halbleitersubstrat (110) positioniert ist als der zweite Teil der organischen Passivierungsschicht, wobei ein dritter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der Kontaktmetallisierungsschicht (120) positioniert ist.

公开(公告)号：DE102019114094A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019114094

申请日：2019-05-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRIVEC STEFAN ,  KERN RONNY ,  KRAMP STEFAN ,  LANGER GREGOR ,  WINKLER HANNES ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L23/485 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Kontaktierung (106) mit einer ersten Metallschicht (111) und mindestens einer zweiten Metallschicht (121-123) auf einem Siliziumcarbid-Substrat (105) umfasst das Durchführen eines chemischen Reinigungsprozesses (300) zum Entfernen von zumindest einem Teil eines Kohlenstoffrückstands (302) zur Reinigung der ersten Metallschicht (111). Die erste Metallschicht (111) und/oder die zweite Metallschicht (121-123) können durch Sputterabscheidung erzeugt werden.

公开(公告)号：DE102009034578A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：DE102009034578

申请日：2009-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAEBERLEN OLIVER ,  SCHIESS KLAUS ,  KRAMP STEFAN

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/58 ,  H01L23/40 ,  H01L23/528

Abstract: A method of manufacturing a semiconductor device includes providing an electrically conductive carrier and placing a semiconductor chip over the carrier. The method includes applying an electrically insulating layer over the carrier and the semiconductor chip. The electrically insulating layer has a first face facing the carrier and a second face opposite to the first face. The method includes selectively removing the electrically insulating layer and applying solder material where the electrically insulating layer is removed and on the second face of the electrically insulating layer.