公开(公告)号：DE102012111831A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102012111831

申请日：2012-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DETZEL THOMAS ,  GROSS JOHANN ,  ILLING ROBERT ,  KRUG MAXIMILIAN ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ROBL WERNER ,  ROGALLI MICHAEL ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

Abstract: Eine integrierte Schaltung umfasst ein Basiselement (1) und ein Kupferelement (2) über dem Basiselement (1), wobei das Kupferelement (2) eine Dicke von wenigstens 5 µm hat und ein Verhältnis einer mittleren Korngröße zur Dicke kleiner als 0,7 ist.

公开(公告)号：DE102016117826A1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE102016117826

申请日：2016-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK PAUL ,  SEIFERT JOACHIM ,  SCHMIDT TOBIAS ,  GRAETZ ERIC ,  ADEMA GRETCHEN ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  EHMANN MICHAEL ,  ROBL WERNER ,  BERTAUD THOMAS ,  KARLOVSKY KAMIL ,  WOEHLERT STEFAN ,  WAGNER FRANK ERIC

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Es werden eine elektronische Vorrichtung, ein die elektronische Vorrichtung umfassendes Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung dieser gezeigt. Die elektronische Vorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat und einen auf dem Halbleitersubstrat angeordneten Metallstapel, wobei der Metallstapel eine erste Schicht umfasst, wobei die erste Schicht NiSi umfasst.

公开(公告)号：DE102005052563A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：DE102005052563

申请日：2005-11-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  KRAFT DANIEL ,  KOMPOSCH ALEXANDER ,  EDER HANNES ,  GANITZER PAUL ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: A semiconductor chip (1) comprises an adhesion layer -free three layer metallization comprising an aluminum layer (4) directly on the chip, followed by a diffusion-blocking layer (5) and directly, by a solder layer (6). The diffusion-blocking layer comprises titanium, nickel, platinum or chromium and the solder layer comprises diffusion solder. All three layers are applied by sputtering. Independent claims are also included for production processes for the above chip.

公开(公告)号：DE102013103378A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE102013103378

申请日：2013-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MATOY KURT ,  DETZEL THOMAS ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ZECHMANN ARNO ,  DECKER STEFAN ,  ILLING ROBERT ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  DJELASSI CHRISTIAN ,  AUER BERNHARD ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L27/10 ,  H01L23/522

Abstract: Leistungstransistorzellen sind in einem Zellarray einer integrierten Schaltung gebildet. Kontakt-Vias können elektrisch eine Metallstruktur über dem Zellarray und die Leistungstransistorzellen verbinden. Eine Verbindungsleitung (800) verbindet elektrisch ein erstes Element (901), das in dem Zellarray angeordnet ist, und ein zweites Element (902), das in einem peripheren Bereich angeordnet ist. Ein Teil der Verbindungsleitung (800) ist zwischen der Metallstruktur und dem Zellarray angeordnet und verläuft zwischen einer ersten Achse (891) und einer zweiten Achse (892), die parallel und in einem Abstand zueinander angeordnet sind. Der Abstand ist größer als eine Breite des Verbindungsleitungsteiles. Der Verbindungsleitungsteil ist tangential zu der ersten Achse (891) und der zweiten Achse (892). Ein durch Scherkraft induzierter Materialtransport längs der Verbindungsleitung wird reduziert durch Verkürzen von kritischen Teilen oder durch Ausnutzen von Korngrenzeffekten. Die Zuverlässigkeit einer Isolatorstruktur, die die Verbindungsleitung bedeckt, ist gesteigert.

公开(公告)号：DE102008019599B4

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：DE102008019599

申请日：2008-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  WOEHLERT STEFAN ,  GUTT THOMAS ,  TREU MICHAEL

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/329 ,  H01L21/338 ,  H01L23/58

公开(公告)号：DE102005024430B4

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：DE102005024430

申请日：2005-05-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482

Abstract: A silicon wafer with a solderable coating on its wafer rear side and a process for producing it is disclosed. The silicon wafer has integrated circuits on its wafer top side. The rear side coating is free of silver constituents in the immediate vicinity of an adapted gold coating on which a gold/tin solder material is arranged, the volume of gold in the adapted gold coating, together with the volume of gold in the solder material in relation to the volume of tin in the solder material corresponding to the eutectic melt system comprising gold and tin in thermodynamic equilibrium.

公开(公告)号：DE102008028942A1

公开(公告)日：2009-01-02

申请号：DE102008028942

申请日：2008-06-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHNEEGANS MANFRED ,  LEICHT MARKUS ,  WOEHLERT STEFAN ,  RIEDL EDMUND

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: A method of electrically interconnecting a semiconductor chip to another electronic device including providing a carrier including contact pins and a chip attached to the carrier, the chip having a copper contact pad that faces away from the carrier, extending a copper electrical connector between the contact pins and the contact pad, and diffusion soldering the copper electrical connector to the active area with a solder material including tin to form a solder connection including a contiguous bronze coating disposed between and in direct contact with both the copper electrical connector and the contact pad.

公开(公告)号：DE10056544A1

公开(公告)日：2002-06-06

申请号：DE10056544

申请日：2000-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERHE MARIAN ,  GOLUBIC RICHARD ,  WOEHLERT STEFAN ,  MATSCHITSCH MARTIN ,  FERTSCHEI ANNEMARIE ,  UNTERWEGER JOSEF ,  ZERLAUTH STEFAN ,  SCHERF WERNER ,  RUDOLPH CONNY-NORBERT ,  LADINIG MARCELLO ,  KROUPA GERHARD ,  BINDER ALFRED ,  GIOVANNINI ALBERTO ,  AIGNER KURT ,  MANZONI GIULIO

IPC: B65G49/07 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

公开(公告)号：DE102019100130A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Kontaktmetallisierungsschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, eine anorganische Passivierungsstruktur, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, und eine organische Passivierungsschicht. Die organische Passivierungsschicht, die zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht und der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist, ist vertikal näher an dem Halbleitersubstrat positioniert als ein Teil der organischen Passivierungsschicht, die oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist.

公开(公告)号：DE102008019599A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：DE102008019599

申请日：2008-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  WOEHLERT STEFAN ,  GUTT THOMAS ,  TREU MICHAEL

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/329 ,  H01L21/338 ,  H01L23/58