公开(公告)号：DE10207309B4

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE10207309

申请日：2002-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS DR ,  HIRLER FRANZ DR ,  LANTIER ROBERTA DR

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: MOS-Transistoreinrichtung vom Grabenstrukturtyp mit einer sich in einer ersten Richtung in einem Halbleiterbereich (20) erstreckenden Grabenstruktur (30), – bei welcher ein Sourcebereich (S) und ein Drainbereich (D) im Halbleiterbereich (20) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sind, – bei welcher im Wesentlichen dazwischen im Inneren der Grabenstruktur (30) durch einen Isolationsbereich (GOX) isoliert eine Gateelektrodeneinrichtung (G) ausgebildet ist, – bei welcher zwischen dem Sourcebereich (S) und dem Drainbereich (D) in unmittelbarer Nachbarschaft zum Isolationsbereich (GOX) von der Gateelektrodeneinrichtung (G) abgewandt ein lokales Dotierstoffkonzentrationsmaximum vom ersten Leitfähigkeitstyp vorgesehen ist, – wobei die Dotierstoffkonzentration vom ersten Leitfähigkeitstyp, ausgehend vom Maximum, in Richtung auf den Sourcebereich (S) und in Richtung auf den Drainbereich (D) abfallend ausgebildet ist und – wobei die so abfallende Dotierstoffkonzentration zumindest in Richtung auf den Drainbereich (D) in die konstant gehaltene Dotierstoffkonzentration des ersten Leitfähigkeitstyps eines ersten Halbleiterunterbereichs (22) übergeht und an den unteren Bereich (30u) der Grabenstruktur (30) angrenzt, – so dass der Avalanchedurchbruchbereich (A) der MOS-Transistoreinrichtung (10), der durch einen Bereich (E) maximaler elektrischer Feldstärke ausgebildet ist, in unmittelbarer Nachbarschaft zu einem unteren Bereich (30u) der Grabenstruktur (30) im Halbleiterbereich (20) ausgebildet ist, – um einen besonders geringen Einschaltwiderstand der MOS-Transistoreinrichtung (10) auszubilden.

公开(公告)号：DE10262418B3

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：DE10262418

申请日：2002-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ DR ,  LANTIER ROBERTA DR ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: MOS-Transistoreinrichtung vom Grabenstrukturtyp mit einer sich in einer ersten Richtung in einem Halbleiterbereich (20) erstreckenden Grabenstruktur (30), – bei welcher ein Sourcebereich (S) und ein Drainbereich (D) im Halbleiterbereich (20) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sind, – bei welcher im Wesentlichen dazwischen im Inneren der Grabenstruktur (30) durch einen Isolationsbereich (GOX) isoliert eine Gateelektrodeneinrichtung (G) ausgebildet ist, – wobei die Transistoreinrichtung als Feldplattentransistoreinrichtung (10) ausgebildet ist, bei der der Isolationsbereich eine Feldplattenstruktur aufweist, die ein dickeres Oxid des Isolationsbereichs (GOX) im unteren Bereich (30u) und am Bodenbereich (30u) der Grabenstruktur (30) aufweist als im oberen Bereich (30a) der Grabenstruktur (30) ausgebildet ist, – bei welcher ein Mesabereich (M) im Halbleiterbereich (20) als Zwischenbereich in einer zur ersten Richtung senkrecht verlaufenden Richtung und zu einer benachbarten MOS-Transistoreinrichtung eine Breite DMesa aufweist, welche kleiner ist als die Breite DTrench der Grabenstruktur (30) in dieser Richtung, so dass gilt: DMesa