公开(公告)号：DE102007006853B4

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE102007006853

申请日：2007-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIEFENBECK KLAUS ,  EISENER BERND DR ,  LANGGUTH GERNOT ,  MALEK KARLHEINZ DR ,  LEHRER CHRISTIAN ,  ALBERS SVEN ,  ROHRER EBERHARD DR

IPC: H01L23/60

Abstract: ESD-Schutzvorrichtung, miteinem Substrat (102);einer Halbleiterschicht (120), die in dem oder auf dem Substrat (102) angeordnet ist;einer vergrabenen Schicht (122), die in dem oder auf dem Substrat (102) angeordnet ist, wobei die vergrabene Schicht (122) zwischen der Halbleiterschicht (120) und dem Substrat (102) angeordnet ist, und wobei die vergrabene Schicht (122) höher dotiert ist als die Halbleiterschicht (120);einer in der Halbleiterschicht (120) angeordneten vertikalen Transistorstruktur (116);einer in der Halbleiterschicht (120) angeordneten Diodenstruktur (118); undeiner elektrischen Isolationsstruktur (124, 126), die in der Halbleiterschicht (120) zwischen der Transistorstruktur (116) und der Diodenstruktur (118) angeordnet ist;wobei die vergrabene Schicht (122) zumindest unterhalb der Halbleiterschicht (120) eine oder mehrerer Aussparungen (122a, 122b, 122c) oder Abschnitte (122a, 122b, 122c) aufweist, deren Dicke geringer ist als die Dicke eines verbleibenden Teils der vergrabenen Schicht (122), undwobei die elektrische Isolationsstruktur (124, 126) einen Graben (124) aufweist, der mit einem elektrisch isolierenden Material (126) gefüllt ist, wobei der Graben (124) sich von einer oberen Oberfläche (102a) des Substrats (102) bis zu der vergrabenen Schicht (122) erstreckt oder sich von der oberen Oberfläche (102a) des Substrats (102) um eine vorbestimmte Entfernung in Richtung des Substrats (102) erstreckt, ohne die vergrabenen Schicht (122) zu erreichen.

公开(公告)号：DE102007006853A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：DE102007006853

申请日：2007-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIEFENBECK KLAUS ,  EISENER BERND ,  LANGGUTH GERNOT ,  MALEK KARLHEINZ ,  LEHRER CHRISTIAN ,  ALBERS SVEN ,  ROHRER EBERHARD

IPC: H01L23/60

Abstract: An ESD protection apparatus includes a substrate, a transistor structure arranged in the substrate, and a diode structure arranged in the substrate, a high-resistance electrical connection being provided between the transistor structure and the diode structure in the substrate.