公开(公告)号：DE102007006853B4

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE102007006853

申请日：2007-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIEFENBECK KLAUS ,  EISENER BERND DR ,  LANGGUTH GERNOT ,  MALEK KARLHEINZ DR ,  LEHRER CHRISTIAN ,  ALBERS SVEN ,  ROHRER EBERHARD DR

IPC: H01L23/60

Abstract: ESD-Schutzvorrichtung, miteinem Substrat (102);einer Halbleiterschicht (120), die in dem oder auf dem Substrat (102) angeordnet ist;einer vergrabenen Schicht (122), die in dem oder auf dem Substrat (102) angeordnet ist, wobei die vergrabene Schicht (122) zwischen der Halbleiterschicht (120) und dem Substrat (102) angeordnet ist, und wobei die vergrabene Schicht (122) höher dotiert ist als die Halbleiterschicht (120);einer in der Halbleiterschicht (120) angeordneten vertikalen Transistorstruktur (116);einer in der Halbleiterschicht (120) angeordneten Diodenstruktur (118); undeiner elektrischen Isolationsstruktur (124, 126), die in der Halbleiterschicht (120) zwischen der Transistorstruktur (116) und der Diodenstruktur (118) angeordnet ist;wobei die vergrabene Schicht (122) zumindest unterhalb der Halbleiterschicht (120) eine oder mehrerer Aussparungen (122a, 122b, 122c) oder Abschnitte (122a, 122b, 122c) aufweist, deren Dicke geringer ist als die Dicke eines verbleibenden Teils der vergrabenen Schicht (122), undwobei die elektrische Isolationsstruktur (124, 126) einen Graben (124) aufweist, der mit einem elektrisch isolierenden Material (126) gefüllt ist, wobei der Graben (124) sich von einer oberen Oberfläche (102a) des Substrats (102) bis zu der vergrabenen Schicht (122) erstreckt oder sich von der oberen Oberfläche (102a) des Substrats (102) um eine vorbestimmte Entfernung in Richtung des Substrats (102) erstreckt, ohne die vergrabenen Schicht (122) zu erreichen.

公开(公告)号：DE102007006853A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：DE102007006853

申请日：2007-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIEFENBECK KLAUS ,  EISENER BERND ,  LANGGUTH GERNOT ,  MALEK KARLHEINZ ,  LEHRER CHRISTIAN ,  ALBERS SVEN ,  ROHRER EBERHARD

IPC: H01L23/60

Abstract: An ESD protection apparatus includes a substrate, a transistor structure arranged in the substrate, and a diode structure arranged in the substrate, a high-resistance electrical connection being provided between the transistor structure and the diode structure in the substrate.

公开(公告)号：DE102006043133B4

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：DE102006043133

申请日：2006-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRUMBEIN ULRICH ,  GNANNT KLAUS ,  SCHELAUSKE PATRICK ,  AHRENS CARSTEN ,  SEIDEMANN GEORG ,  MACKH GUNTHER ,  ALBERS SVEN ,  SCHUDERER BERTHOLD

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: A bonding pad on a substrate has a first metal structure establishing an electrical connection between a device and a bonding area, and a second metal structure arranged at the bonding area. The first metal structure extends, within the bonding area, at least over part of the bonding area between the substrate and the second metal structure, so as to contact the second metal structure, the second metal structure being harder than the first metal structure.

公开(公告)号：DE102006043133A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：DE102006043133

申请日：2006-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRUMBEIN ULRICH ,  GNANNT KLAUS ,  SCHELAUSKE PATRICK ,  AHRENS CARSTEN ,  SEIDEMANN GEORG ,  MACKH GUNTHER ,  ALBERS SVEN ,  SCHUDERER BERTHOLD

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/485

Abstract: A bonding pad on a substrate has a first metal structure establishing an electrical connection between a device and a bonding area, and a second metal structure arranged at the bonding area. The first metal structure extends, within the bonding area, at least over part of the bonding area between the substrate and the second metal structure, so as to contact the second metal structure, the second metal structure being harder than the first metal structure.