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    1.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10349764B4

    公开(公告)日：2006-08-24

    申请号：DE10349764

    申请日：2003-10-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LIPINSKI MATTHIAS

    IPC: H01L21/308 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

    Abstract: A process for generating a hard mask for the patterning of a first layer includes applying a second layer, which includes carbon, to the first layer that is to be patterned. A third layer, which includes silicon and carbon, is spun onto the second layer and an organic antireflection coating layer that is to be used with an overlying photoresist layer patternable using 193 nm technology, is appllied to the spun-on third layer.

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10349764A1

    公开(公告)日：2005-06-02

    申请号：DE10349764

    申请日：2003-10-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LIPINSKI MATTHIAS

    IPC: G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

    Abstract: A process for generating a hard mask for the patterning of a first layer includes applying a second layer, which includes carbon, to the first layer that is to be patterned. A third layer, which includes silicon and carbon, is spun onto the second layer and an organic antireflection coating layer that is to be used with an overlying photoresist layer patternable using 193 nm technology, is appllied to the spun-on third layer.

    4.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10237140A1

    公开(公告)日：2003-04-17

    申请号：DE10237140

    申请日：2002-08-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STOJAKOVIC GEORGE ,  LIPINSKI MATTHIAS

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/308

    Abstract: Disclosed is a method of tungsten-based hard mask etching of a wafer, comprising providing a patterned tungsten-based hard mask atop a metal-based surface of said wafer, etching through said pattern with a plasma etch that is selective for said metal-based surface with respect to tungsten, and executing a flash etch selective for tungsten, said etch of at least a minimum duration effective in removing substantially all defects caused by tungsten particulate contaminating said wafer. In another aspect of the first embodiment, said tungsten-based hard mask comprises a material selected from tungsten or an alloy thereof. In another aspect of the first embodiment, said metal based surface comprises a material selected from aluminum or an alloy thereof.

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004017526A1

    公开(公告)日：2004-11-25

    申请号：DE102004017526

    申请日：2004-04-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LIPINSKI MATTHIAS ,  STOJAKOVIC GEORGE

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

    Abstract: A method and a system for performing a metal reactive ion etching (RIE) process is disclosed. The metal RIE process comprises at least three steps: a metal RIE step, a stripping step and a wet cleaning step. The metal RIE step and the stripping step are carried out in a main reactive chamber.

    Prozesssteuersystem und Verfahren
    7.
    发明专利
    Prozesssteuersystem und Verfahren 未知

    公开(公告)号：DE102007011248B4

    公开(公告)日：2016-05-19

    申请号：DE102007011248

    申请日：2007-03-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GUTMANN ALOIS ,  LIAN JINGYU ,  LIPINSKI MATTHIAS ,  SARMA CHANDRASEKHAR ,  ZHUANG HAOREN

    IPC: H01L21/66 ,  G06F19/00

    Abstract: Eine Prozesssteuermethode, umfassend: Beeinflussen eines ersten Halbleitererzeugnisses (220), verwendend einen ersten Prozess (202); Messen (204) einer Wirkung des ersten Prozesses (202) auf dem ersten Halbleitererzeugnis (220); Beeinflussen des ersten Halbleitererzeugnisses (220), verwendend mindestens einen zweiten Prozess (206); Messen (208) einer Wirkung des mindestens einen zweiten Prozesses (204) auf dem ersten Halbleitererzeugnis (220); Vorwärtskoppeln (270) und Rückkoppeln (262, 272) der auf dem ersten Halbleitererzeugnis (220) gemessenen Wirkung des ersten Prozesses (202) und Rückkoppeln (266b, 266a) der auf dem ersten Halbleitererzeugnis (220) gemessenen Wirkung des mindestens einen zweiten Prozesses (206); Verändern des ersten Prozesses (202), des mindestens einen zweiten Prozesses (206), oder sowohl des ersten Prozesses (202) als auch des mindestens einen zweiten Prozesses (206), basierend auf den vorwärtsgekoppelten (270) und rückgekoppelten (262, 272) gemessenen Wirkungen des ersten Prozesses (202) und den rückgekoppelten (266b, 266a) gemessenen Wirkungen des mindestens einen zweiten Prozesses (206); und Beeinflussen eines zweiten Halbleitererzeugnisses, verwendend den veränderten ersten Prozess (202) und/oder den veränderten mindestens einen zweiten Prozess (206), worin das zweite Halbleitererzeugnis weniger Wafer-zu-Wafer- und Rohchip-zu-Rohchip-Variationen hat in kritischen Abmessungen der Merkmale als das erste Halbleitererzeugnis (220), worin der erste Prozess (202) einen Lithografieprozess umfasst, und worin der mindestens eine zweite Prozess (206) einen Ätzprozess umfasst, worin Verändern des ersten Prozesses (202) umfasst, Reduzieren von Rohchip-zu-Rohchip-Variationen, und worin Verändern des zweiten Prozesses (206) umfasst, Reduzieren von Wafer-zu-Wafer-Variationen, worin der erste Prozess (202) umfasst sequenzielles Bestrahlen einer Vielzahl von Abschnitten des ersten Halbleitererzeugnisses, worin Verändern des ersten Prozesses (202) umfasst, Verändern eines Bestrahlungsprozesses für einen ersten Abschnitt des zweiten Halbleitererzeugnisses, aber nicht Verändern eines Bestrahlungsprozesses für einen zweiten Abschnitt des zweiten Halbleitererzeugnisses.

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