公开(公告)号：DE102017214786A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017214786

申请日：2017-08-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRETTHAUER CHRISTIAN ,  DEHE ALFONS ,  MAKARAM PRASHANTH ,  WALTHER ARNAUD ,  ONARAN GÜCLÜ

IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02

Abstract: Ein MEMS-Sensor umfasst ein Substrat und eine an dem Substrat aufgehängte Membran, deren Resonanzfrequenz von einem Umgebungsdruck, der auf die Membran wirkt, beeinflusst ist. Der MEMS-Sensor umfasst eine Auswerteeinrichtung, die konfiguriert ist, um eine Messung auszuführen, die auf der Resonanzfrequenz der Membran basiert, um ein Messergebnis zu erhalten. Die Auswerteeinrichtung ist ausgebildet, um den Umgebungsdruck zu berücksichtigen, so dass eine Beeinflussung des Messergebnisses durch den Umgebungsdruck zumindest teilweise kompensiert ist.

公开(公告)号：DE102018209024B4

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：DE102018209024

申请日：2018-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAKARAM PRASHANTH ,  TRAVAN CATERINA ,  ZOEPFL ALEXANDER ,  COOPER JOHN ,  PINDL STEPHAN ,  ORTNER JÖRG

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/04

Abstract: Vorrichtung mit:einem halbleiterbasierten Substrat (12) mit einer in oder an dem halbleiterbasierten Substrat (12) ausgebildeten Funktionsstruktur;einer Rahmenstruktur (16), die die Funktionsstruktur (14) umgibt;einer Beschichtung (22), die die Funktionsstruktur (14) bedeckt und von der Rahmenstruktur (16) begrenzt ist;wobei die Beschichtung (22) ein Nanomaterial, insbesondere ein Kohlenstoff-Nanomaterial, umfasst;wobei die Funktionsschicht (14) eine elektrisch leitfähige Funktion und/oder eine Schutzfunktion vor mechanischen und/oder chemischen Einflüssen bereitstellt;wobei die Vorrichtung als eines aus einem Chemosensor und einem Transistor gebildet ist.

公开(公告)号：DE102018209024A1

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE102018209024

申请日：2018-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAKARAM PRASHANTH ,  TRAVAN CATERINA ,  ZOEPFL ALEXANDER ,  COOPER JOHN ,  PINDL STEPHAN ,  ORTNER JÖRG

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/04

Abstract: Eine Vorrichtung umfasst ein halbleiterbasiertes Substrat mit einer in oder an dem halbleiterbasierten Substrat ausgebildeten Funktionsstruktur. Die Vorrichtung umfasst eine Rahmenstruktur, die die Funktionsstruktur umgibt und umfasst eine Beschichtung, die die Funktionsstruktur bedeckt und der Rahmenstruktur begrenzt ist.