公开(公告)号：DE102017105402A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE102017105402

申请日：2017-03-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ORTNER JÖRG ,  MODER IRIS ,  MURI INGO

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31

Abstract: Ein Belichtungsverfahren beinhaltet ein Projizieren eines Retikelmusters in ein erstes Belichtungsfeld einer Fotoresistschicht, wobei das Retikelmuster erste und zweite Linienmuster an gegenüberliegenden Rändern des Retikelmusters umfasst und wobei zumindest das erste Linienmuster einen Endabschnitt enthält, durch den ein Lichtfluss nach außen abnimmt. Das Retikelmuster wird ferner in ein zweites Belichtungsfeld der Fotoresistschicht projiziert, wobei eine erste, sich verjüngende Projektionszone des Endabschnitts des ersten Linienmusters in dem zweiten Belichtungsfeld eine Projektionsfläche des zweiten Linienmusters in dem ersten Belichtungsfeld überlappt.

公开(公告)号：DE102018209024A1

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE102018209024

申请日：2018-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAKARAM PRASHANTH ,  TRAVAN CATERINA ,  ZOEPFL ALEXANDER ,  COOPER JOHN ,  PINDL STEPHAN ,  ORTNER JÖRG

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/04

Abstract: Eine Vorrichtung umfasst ein halbleiterbasiertes Substrat mit einer in oder an dem halbleiterbasierten Substrat ausgebildeten Funktionsstruktur. Die Vorrichtung umfasst eine Rahmenstruktur, die die Funktionsstruktur umgibt und umfasst eine Beschichtung, die die Funktionsstruktur bedeckt und der Rahmenstruktur begrenzt ist.

公开(公告)号：DE102014212369A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：DE102014212369

申请日：2014-06-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ORTNER JÖRG ,  CAMPIDELL JOSEF ,  GREINER ANDREAS

IPC: H01L21/027 ,  H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: Eine Justiermarken-Definiervorrichtung ist ausgelegt, eine geometrische Definition für eine tatsächliche Justierstruktur bereitzustellen, welche an einer temporären Fläche eines Substrats auf der Basis eines gewünschten Aussehens der Justiermarke und einer erwarteten Änderung eines Aussehens der tatsächlichen Justierstruktur zu bilden ist, die durch ein Abscheidungsmaterial verursacht wird, das auf der temporären Fläche und der tatsächlichen Justierstruktur abgeschieden ist.

公开(公告)号：DE102018209024B4

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：DE102018209024

申请日：2018-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAKARAM PRASHANTH ,  TRAVAN CATERINA ,  ZOEPFL ALEXANDER ,  COOPER JOHN ,  PINDL STEPHAN ,  ORTNER JÖRG

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/04

Abstract: Vorrichtung mit:einem halbleiterbasierten Substrat (12) mit einer in oder an dem halbleiterbasierten Substrat (12) ausgebildeten Funktionsstruktur;einer Rahmenstruktur (16), die die Funktionsstruktur (14) umgibt;einer Beschichtung (22), die die Funktionsstruktur (14) bedeckt und von der Rahmenstruktur (16) begrenzt ist;wobei die Beschichtung (22) ein Nanomaterial, insbesondere ein Kohlenstoff-Nanomaterial, umfasst;wobei die Funktionsschicht (14) eine elektrisch leitfähige Funktion und/oder eine Schutzfunktion vor mechanischen und/oder chemischen Einflüssen bereitstellt;wobei die Vorrichtung als eines aus einem Chemosensor und einem Transistor gebildet ist.

公开(公告)号：DE102017108810A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102017108810

申请日：2017-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COOPER JOHN ,  ORTNER JÖRG

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L27/118

Abstract: Ein Verfahren umfasst Bereitstellen einer strukturierten Schicht auf einem Wafer, selektives Bereitstellen einer Substanz auf einem ausgewählten Teil des Wafers. Ein Die umfasst eine Halbleitervorrichtung auf einem Substrat. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet eine Substanz. Die Substanz weist eine Seitenwand auf, die hinsichtlich einer Basisoberfläche und/oder einer Oberseitenoberfläche des Substrats senkrecht ist.