公开(公告)号：DE102018209024B4

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：DE102018209024

申请日：2018-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAKARAM PRASHANTH ,  TRAVAN CATERINA ,  ZOEPFL ALEXANDER ,  COOPER JOHN ,  PINDL STEPHAN ,  ORTNER JÖRG

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/04

Abstract: Vorrichtung mit:einem halbleiterbasierten Substrat (12) mit einer in oder an dem halbleiterbasierten Substrat (12) ausgebildeten Funktionsstruktur;einer Rahmenstruktur (16), die die Funktionsstruktur (14) umgibt;einer Beschichtung (22), die die Funktionsstruktur (14) bedeckt und von der Rahmenstruktur (16) begrenzt ist;wobei die Beschichtung (22) ein Nanomaterial, insbesondere ein Kohlenstoff-Nanomaterial, umfasst;wobei die Funktionsschicht (14) eine elektrisch leitfähige Funktion und/oder eine Schutzfunktion vor mechanischen und/oder chemischen Einflüssen bereitstellt;wobei die Vorrichtung als eines aus einem Chemosensor und einem Transistor gebildet ist.

公开(公告)号：DE102018114070A1

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102018114070

申请日：2018-06-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MISCHITZ MARTIN ,  HUBER HARALD ,  KNABL MICHAEL ,  SGIAROVELLO CLAUDIA ,  TRAVAN CATERINA ,  WOOD ANDREW CHRISTOPHER GRAEME

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/544

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung mehrerer Halbleiterbauelemente auf einem Wafer umfasst das Verfahren Bilden einer Strukturschicht (220), die mehrere gleiche Halbleiterbauelementstrukturen (221, 222) umfasst (S120), und Bereitstellen einer Schutzschicht (230) auf der Strukturschicht (220) (S150). Die Schutzschicht (230) auf einer ersten (221) der mehreren Halbleiterbauelementstrukturen (221, 222) unterscheidet sich von der Schutzschicht (230) auf einer zweiten (222) der mehreren Halbleiterbauelementstrukturen (221, 222) .

公开(公告)号：DE102018209024A1

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE102018209024

申请日：2018-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAKARAM PRASHANTH ,  TRAVAN CATERINA ,  ZOEPFL ALEXANDER ,  COOPER JOHN ,  PINDL STEPHAN ,  ORTNER JÖRG

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/04

Abstract: Eine Vorrichtung umfasst ein halbleiterbasiertes Substrat mit einer in oder an dem halbleiterbasierten Substrat ausgebildeten Funktionsstruktur. Die Vorrichtung umfasst eine Rahmenstruktur, die die Funktionsstruktur umgibt und umfasst eine Beschichtung, die die Funktionsstruktur bedeckt und der Rahmenstruktur begrenzt ist.