公开(公告)号：DE102012014860A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：DE102012014860

申请日：2012-07-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COBZARU ANDREI ,  FINNEY ADRIAN ,  GLASER ULRICH ,  GUERRERO GILLES ,  MATEI BOGDAN-EUGEN ,  MAYERHOFER MICHAEL ,  MERGENS MARKUS

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/78

Abstract: Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine zweistufige Schutzvorrichtung für ein elektronisches Bauelement gegen Störpulse. Störpulse können elektrische Strom- oder Spannungspulse sein. Beispiel für Störpulse umfassen elektrostatische Entladungs-(ESD)Pulse, Ab- und/oder Anschaltstörungen. Das elektronische Bauelement kann ein Halbleiterbauelement sein und einen oder mehrere Transistoren und/oder ein integrierten Schaltkreis umfassen. Die Schutzvorrichtung ist mit zumindest einem ersten Kontakt und einem zweiten Kontakt eines elektronischen Bauelements verbunden bzw. zwischen dem ersten Kontakt und einem zweiten Kontakt im Wesentlichen parallel zu dem zu schützenden Bauelement angeordnet. Die Schutzvorrichtung umfasst eine erste Stufe mit zumindest einer Diode und eine zweite Stufe, welche von der ersten Stufe über zumindest einen Widerstand getrennt ist. Die zweite Stufe umfasst zumindest eine Diodenanordnung mit zumindest zwei antiseriell angeordneten Dioden, welche mit ihren Kathoden zueinander angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102010016372A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：DE102010016372

申请日：2010-04-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAYERHOFER MICHAEL ,  WILLEMEN JOOST ,  JOHNSSON DAVID

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/15

Abstract: Es wird eine integrierte Schaltung (100) mit einer ESD-Vorrichtung (105) beschrieben. Eine Ausführungsform umfasst ein Halbleitergebiet (115), das elektrisch von direkt benachbarten Halbleitergebieten (120) durch ein Isolationsgebiet (125) isoliert ist. Sowohl die ESD-Vorrichtung (105) und eine zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung (110) sind innerhalb des Halbleitergebiets (115) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102010016372B4

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102010016372

申请日：2010-04-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAYERHOFER MICHAEL ,  WILLEMEN JOOST ,  JOHNSSON DAVID

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/15

Abstract: Integrierte Schaltung (100), umfassend:Schaltungsblöcke, und zusätzlich:ein Halbleitergebiet (115), das von direkt benachbarten Halbleitergebieten (120) durch ein Isolationsgebiet (125) elektrisch isoliert ist; eine ESD-Vorrichtung (105) undeine zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung (110), die bei ESD-Belastung im Nicht-Betriebszustand bei der Montage der integrierten Schaltung solche Strahlung emittiert, welche durch Photonenabsorption in der ESD-Vorrichtung (105) Elektron-Loch-Paare generiert und einem verzögerten Einsatz des Avalanche-Durchbruchs innerhalb der ESD-Vorrichtung (105) gegenüber dem Fall ohne zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung entgegenwirkt,wobei sowohl die ESD-Vorrichtung (105) als auch die zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung (110) innerhalb des Halbleitergebiets (115) ausgebildet sind,und wobei die zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung (110) bei ESD-Belastung bei einer zur Avalanche-Durchbruchsspannung angepassten Spannung schneller Strom führt und Photonen emittiert als ein Avalanche-Durchbruch in der ESD-Vorrichtung ohne die zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung einsetzen würde.

公开(公告)号：DE102014102714A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102014102714

申请日：2014-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  MAYERHOFER MICHAEL ,  GLASER ULRICH ,  CAO YIQUN ,  MEISER ANDREAS ,  HELL MAGNUS-MARIA ,  STECHER MATTHIAS ,  LEBON JULIEN

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/15 ,  H04L12/40

Abstract: Es wird eine integrierte Schaltung (100) mit einer ESD-Schutzstruktur (110) beschrieben. Eine Ausführungsform umfasst einen Schaltungsteil (105), der mit einem ersten Anschluss (107) und mit einem zweiten Anschluss (108) verschaltet ist und bei Spannungsdifferenzen zwischen dem ersten Anschluss und zweiten Anschluss von größer als +10 V und kleiner als –10 V betreibbar ist. Die integrierte Schaltung (100) umfasst zudem eine ESD-Schutzstruktur (110) geeignet zum Schutz des Schaltungsteils (105) gegen elektrostatische Entladung zwischen dem ersten Anschluss (107) und dem zweiten Anschluss (108), wobei die ESD-Schutzstruktur (110) mit Spannungsdifferenzen zwischen dem ersten (107) und zweiten (108) Anschluss von größer als +10 V und kleiner als –10 V betreibbar ist ohne zu zünden. Die ESD-Schutzstruktur (110) ist mit einer Photonenquelle (112) derart elektrisch und optisch gekoppelt, dass von der Photonenquelle (112) bei ESD Pulsbelastung emittierte Photonen (114) in der ESD-Schutzstruktur (110) absorbierbar sind und ein Avalanchedurchbruch mittels der durch die absorbierten Photonen (114) erzeugten Elektron-Loch-Paare einleitbar ist.

公开(公告)号：DE102014112315A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102014112315

申请日：2014-08-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  MAYERHOFER MICHAEL ,  GLASER ULRICH ,  CAO YIQUN ,  MEISER ANDREAS ,  HELL MAGNUS-MARIA ,  STECHER MATTHIAS ,  LEBON JULIEN

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100) umfasst eine Hilfshalbleitervorrichtung (5), die zum Emittieren von Strahlung gestaltet ist. Das Halbleiterbauelement umfasst außerdem eine Halbleitervorrichtung (110). Eine elektrische Kopplung und eine optische Kopplung zwischen der Hilfshalbleitervorrichtung (105) und der Halbleitervorrichtung (110) sind gestaltet, um eine Emission von Strahlung durch die Hilfshalbleitervorrichtung (105) auszulösen und um einen Avalanche-Durchbruch in der Halbleitervorrichtung (110) durch Absorption der Strahlung in der Halbleitervorrichtung (110) auszulösen. Die Halbleitervorrichtung (110) umfasst einen pn-Übergang (115) zwischen einer ersten Schicht (116) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die unter einer Oberfläche (117) eines Halbleiterkörpers (118) vergraben ist, und einem dotierten Halbleiterbereich (119) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der zwischen der Oberfläche (117) und der ersten Schicht (116) gelegen ist.