公开(公告)号：DE102016120342A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：DE102016120342

申请日：2016-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  SOJKA DAMIAN ,  WERTHMANN HUBERT ,  SCHMENN ANDRE

IPC: H01L23/60

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Vorrichtung (100) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen eine erste vertikale Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen und eine zweite vertikale Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen, die in einer ersten Halbleiterschicht (102) und in einer zweiten Halbleiterschicht (104) bereitgestellt sind und seitlich nebeneinander angeordnet sind, enthalten, wobei die erste vertikale Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen und die zweite vertikale Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen durch die erste Halbleiterschicht (102) in einer Reihenanordnung miteinander verbunden sind.

公开(公告)号：DE102010016372A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：DE102010016372

申请日：2010-04-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAYERHOFER MICHAEL ,  WILLEMEN JOOST ,  JOHNSSON DAVID

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/15

Abstract: Es wird eine integrierte Schaltung (100) mit einer ESD-Vorrichtung (105) beschrieben. Eine Ausführungsform umfasst ein Halbleitergebiet (115), das elektrisch von direkt benachbarten Halbleitergebieten (120) durch ein Isolationsgebiet (125) isoliert ist. Sowohl die ESD-Vorrichtung (105) und eine zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung (110) sind innerhalb des Halbleitergebiets (115) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102018213635B4

公开(公告)日：2020-11-05

申请号：DE102018213635

申请日：2018-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST

IPC: H01L23/66 ,  H01L27/082 ,  H01L27/102 ,  H01L29/861

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Halbleitervorrichtung (100), die eine zusammengesetzte pn-Übergang-Struktur (J1) in einem Halbleitersubstrat (120) aufweist, wobei die zusammengesetzte pn-Übergang-Struktur (J1) dahingehend angeordnet ist, einen vorbestimmten ersten Übergang-Stufenfaktor m1aufzuweisen, mit m1≥ 0,50. Die zusammengesetzte pn-Übergang-Struktur (J1) weist eine erste partielle pn-Übergang-Struktur (J11) und eine zweite partielle pn-Übergang-Struktur (J12) auf, wobei die erste partielle pn-Übergang-Struktur (J11) dahingehend angeordnet ist, einen vorbestimmten ersten partiellen Übergang-Stufenfaktor m11aufzuweisen, und wobei die zweite partielle pn-Übergang-Struktur (J12) dahingehend angeordnet ist, einen vorbestimmten zweiten partiellen Übergang-Stufenfaktor m12aufzuweisen. Der vorbestimmte erste partielle Übergang-Stufenfaktor m11unterscheidet sich von dem vorbestimmten zweiten partiellen Übergang-Stufenfaktor m1, mit m11≠ m12. Zumindest einer des vorbestimmten ersten und zweiten partiellen Übergang-Stufenfaktors m11, m12ist größer als 0,50, mit m11und/oder m12> 0,50. Der vorbestimmte erste Übergang-Stufenfaktor m1der zusammengesetzten pn-Übergang-Struktur (J1) basiert auf einer vorbestimmten Kombination des ersten und zweiten partiellen Übergang-Stufenfaktors m11, m12.

公开(公告)号：DE102018213635A1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：DE102018213635

申请日：2018-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST

IPC: H01L23/66 ,  H01L27/082 ,  H01L27/102 ,  H01L29/861

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Halbleitervorrichtung (100), die eine zusammengesetzte pn-Übergang-Struktur (J1) in einem Halbleitersubstrat (120) aufweist, wobei die zusammengesetzte pn-Übergang-Struktur (J1) dahingehend angeordnet ist, einen vorbestimmten ersten Übergang-Stufenfaktor maufzuweisen, mit m≥ 0,50. Die zusammengesetzte pn-Übergang-Struktur (J1) weist eine erste partielle pn-Übergang-Struktur (J11) und eine zweite partielle pn-Übergang-Struktur (J12) auf, wobei die erste partielle pn-Übergang-Struktur (J11) dahingehend angeordnet ist, einen vorbestimmten ersten partiellen Übergang-Stufenfaktor maufzuweisen, und wobei die zweite partielle pn-Übergang-Struktur (J12) dahingehend angeordnet ist, einen vorbestimmten zweiten partiellen Übergang-Stufenfaktor maufzuweisen. Der vorbestimmte erste partielle Übergang-Stufenfaktor munterscheidet sich von dem vorbestimmten zweiten partiellen Übergang-Stufenfaktor m, mit m≠ m. Zumindest einer des vorbestimmten ersten und zweiten partiellen Übergang-Stufenfaktors m, mist größer als 0,50, mit mund/oder m> 0,50. Der vorbestimmte erste Übergang-Stufenfaktor mder zusammengesetzten pn-Übergang-Struktur (J1) basiert auf einer vorbestimmten Kombination des ersten und zweiten partiellen Übergang-Stufenfaktors m, m.

公开(公告)号：DE102016119813A1

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：DE102016119813

申请日：2016-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VENDT VADIM VALENTINOVIC ,  POMPL STEFAN ,  WILLEMEN JOOST ,  SCHMENN ANDRE

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/332 ,  H01L27/04 ,  H01L29/74

公开(公告)号：DE102018213633A1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：DE102018213633

申请日：2018-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST

IPC: H01L23/66 ,  H01L27/082 ,  H01L27/102 ,  H01L29/861

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Halbleitervorrichtung (100), die „n“ Paare von pn-Übergang-Strukturen aufweist, wobei n eine Ganzzahl ≥ 2 ist, wobei das i-te Paar, mit i ∈ {1, ..., n}, zwei pn-Übergang-Strukturen vom i-ten Typ aufweist, wobei die zwei pn-Übergang-Strukturen vom i-ten Typ anti-seriell geschaltet sind, wobei die pn-Übergang-Struktur vom i-ten Typ dahingehend angeordnet ist, einen i-ten Übergang-Stufenfaktor maufzuweisen. Zumindest ein erstes Paar der n Paare von pn-Übergang-Strukturen ist dahingehend angeordnet, einen ersten Übergang-Stufenfaktor maufzuweisen, wobei m∉ (0,00, 0,50} und m

公开(公告)号：DE102010016372B4

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102010016372

申请日：2010-04-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAYERHOFER MICHAEL ,  WILLEMEN JOOST ,  JOHNSSON DAVID

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/15

Abstract: Integrierte Schaltung (100), umfassend:Schaltungsblöcke, und zusätzlich:ein Halbleitergebiet (115), das von direkt benachbarten Halbleitergebieten (120) durch ein Isolationsgebiet (125) elektrisch isoliert ist; eine ESD-Vorrichtung (105) undeine zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung (110), die bei ESD-Belastung im Nicht-Betriebszustand bei der Montage der integrierten Schaltung solche Strahlung emittiert, welche durch Photonenabsorption in der ESD-Vorrichtung (105) Elektron-Loch-Paare generiert und einem verzögerten Einsatz des Avalanche-Durchbruchs innerhalb der ESD-Vorrichtung (105) gegenüber dem Fall ohne zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung entgegenwirkt,wobei sowohl die ESD-Vorrichtung (105) als auch die zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung (110) innerhalb des Halbleitergebiets (115) ausgebildet sind,und wobei die zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung (110) bei ESD-Belastung bei einer zur Avalanche-Durchbruchsspannung angepassten Spannung schneller Strom führt und Photonen emittiert als ein Avalanche-Durchbruch in der ESD-Vorrichtung ohne die zur Strahlungsemission geeignete Vorrichtung einsetzen würde.

公开(公告)号：DE102014102714A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102014102714

申请日：2014-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  MAYERHOFER MICHAEL ,  GLASER ULRICH ,  CAO YIQUN ,  MEISER ANDREAS ,  HELL MAGNUS-MARIA ,  STECHER MATTHIAS ,  LEBON JULIEN

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/15 ,  H04L12/40

Abstract: Es wird eine integrierte Schaltung (100) mit einer ESD-Schutzstruktur (110) beschrieben. Eine Ausführungsform umfasst einen Schaltungsteil (105), der mit einem ersten Anschluss (107) und mit einem zweiten Anschluss (108) verschaltet ist und bei Spannungsdifferenzen zwischen dem ersten Anschluss und zweiten Anschluss von größer als +10 V und kleiner als –10 V betreibbar ist. Die integrierte Schaltung (100) umfasst zudem eine ESD-Schutzstruktur (110) geeignet zum Schutz des Schaltungsteils (105) gegen elektrostatische Entladung zwischen dem ersten Anschluss (107) und dem zweiten Anschluss (108), wobei die ESD-Schutzstruktur (110) mit Spannungsdifferenzen zwischen dem ersten (107) und zweiten (108) Anschluss von größer als +10 V und kleiner als –10 V betreibbar ist ohne zu zünden. Die ESD-Schutzstruktur (110) ist mit einer Photonenquelle (112) derart elektrisch und optisch gekoppelt, dass von der Photonenquelle (112) bei ESD Pulsbelastung emittierte Photonen (114) in der ESD-Schutzstruktur (110) absorbierbar sind und ein Avalanchedurchbruch mittels der durch die absorbierten Photonen (114) erzeugten Elektron-Loch-Paare einleitbar ist.

公开(公告)号：DE102014112315A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102014112315

申请日：2014-08-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  MAYERHOFER MICHAEL ,  GLASER ULRICH ,  CAO YIQUN ,  MEISER ANDREAS ,  HELL MAGNUS-MARIA ,  STECHER MATTHIAS ,  LEBON JULIEN

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100) umfasst eine Hilfshalbleitervorrichtung (5), die zum Emittieren von Strahlung gestaltet ist. Das Halbleiterbauelement umfasst außerdem eine Halbleitervorrichtung (110). Eine elektrische Kopplung und eine optische Kopplung zwischen der Hilfshalbleitervorrichtung (105) und der Halbleitervorrichtung (110) sind gestaltet, um eine Emission von Strahlung durch die Hilfshalbleitervorrichtung (105) auszulösen und um einen Avalanche-Durchbruch in der Halbleitervorrichtung (110) durch Absorption der Strahlung in der Halbleitervorrichtung (110) auszulösen. Die Halbleitervorrichtung (110) umfasst einen pn-Übergang (115) zwischen einer ersten Schicht (116) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die unter einer Oberfläche (117) eines Halbleiterkörpers (118) vergraben ist, und einem dotierten Halbleiterbereich (119) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der zwischen der Oberfläche (117) und der ersten Schicht (116) gelegen ist.

公开(公告)号：DE102018213633B9

公开(公告)日：2025-01-09

申请号：DE102018213633

申请日：2018-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/60 ,  H10D8/00 ,  H10D84/60

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100), die folgende Merkmale aufweist:„n“ Paare von pn-Übergang-Strukturen, wobei n eine Ganzzahl ≥ 2 ist, wobei das i-te Paar, mit i ∈ {1, ..., n}, zwei pn-Übergangs-Strukturen vom i-ten Typ aufweist, wobei die zwei pn-Übergangs-Strukturen vom i-ten Typ anti-seriell geschaltet sind,wobei die pn-Übergangs-Struktur vom i-ten Typ dahingehend ausgestaltet ist, einen i-ten Übergangs-Stufenfaktor miaufzuweisen,wobei zumindest ein erstes Paar der n Paare von pn-Übergangs-Strukturen dahingehend ausgestaltet ist, einen ersten Übergangs-Stufenfaktor m1aufzuweisen, mit m1∉ {0,00, 0,50} und m1 0,50, undwobei die Übergangs-Stufenfaktoren m1, m2des ersten und zweiten Paars der n Paare von pn-Übergangs-Strukturen dahingehend eingestellt sind, dass sie zu einer Erzeugung eines Störende-Dritte-Harmonische-Signals der Halbleitervorrichtung mit einem Signalleistungspegel (PH3) führen, der zumindest 10 dB niedriger als ein Referenz-Signalleistungspegel (PH3) des Störende-Dritte-Harmonische-Signals ist, der für einen Referenzfall erhalten wird, bei dem der erste und zweite Übergangs-Stufenfaktor m1, m2gleich 0,25 sind.