Abstract:
The inventive circuit arrangement for voltage adjustment comprises a longitudinal adjuster (1) provided with an adjustment amplifier (5) and a charging pump (6) located downstream therefrom. The circuit arrangement also comprises a reference voltage unit (4) which is used to produce a reference voltage (S1) for the adjustment amplifier (5) and a starter unit (3) which is used to produce a starter voltage (UOUT) in order to supply voltage to the adjustment amplifier (5), charging pump (6) and reference voltage unit (4) when the longitudinal adjuster (1) is started.
Abstract:
The arrangement has a switching device (U) providing a voltage in a condition and another voltage in another condition for operating a circuit (S). The switching device is designed in such a manner that a provided voltage (VS) for operating the circuit changes linearly with time from the former voltage to the latter voltage during switching from the former condition to the latter condition. The switching device has a transistor (T1) and another transistor (T2), which is connected in parallel to the former transistor. An independent claim is also included for a method for operating a circuit arrangement.
Abstract:
Ein Spannungsregelschaltkreis (300, 500) wird bereitgestellt. Der Spannungsregelschaltkreis (300, 500) weist einen Umsetzungs-Schaltkreis (106), der eingerichtet ist, eine Spannungspulssequenz in eine gefilterte Analogspannung umzusetzen, wobei die Spannungspulssequenz eine vorgegebene Betriebs-Begrenzungsspannung repräsentiert, und einen Regler (102), der eingerichtet ist, die gefilterte Analogspannung als Regelgröße zu empfangen und eine Ausgangsspannung (VDD) des Spannungsregelschaltkreises (300, 500) auf eine vorgegebene Soll-Spannung zu regeln.
Abstract:
Spannungsregleranordnung 100 aufweisend, einen Regeltransistor TR mit einem Steueranschluss G, wobei der Steueranschluss G mit einem Ausgang einer Ladungspumpe 10 verbunden ist, einen Oszillator 30, wobei der Oszillator 30 die Ladungspumpe 10 durch ein Taktsignal mit einer Frequenz ansteuert und wobei zwischen dem Oszillator 30 und der Ladungspumpe 10 eine Begrenzungsschaltung 20 zum Begrenzen der Frequenz des Taktsignals des Oszillators 30 angeordnet ist.
Abstract:
Vorrichtung (120) zum Feststellen einer Beeinträchtigung einer durch einen Regelkreis (100) bereitgestellten geregelten Spannung (104; VDDint), mit folgenden Merkmalen: einer Einrichtung (122) zum Überwachen einer Stellgröße (110; 210; 212) des Regelkreises (100); und einer Einrichtung (124) zur Erzeugung eines Benachrichtigungssignals (126), wenn eine zeitliche Änderung der Stellgröße (110; 210; 212) außerhalb eines Toleranzbereiches um einen Normalwert liegt.
Abstract:
A circuit for detecting, whether a voltage difference is below a desired voltage difference comprises a voltage shift resistor, a current provider and a detection circuit. The current provider provides a current flowing through the voltage shift resistor such that the desired voltage difference across the voltage shift resistor is determined by a reference signal. The detection circuit is configured to compare a first voltage at a first input with a voltage at a second input to obtain a signal. The voltage shift resistor is coupled between a conductor for a second voltage and the second input, such that the voltage at the second input differs from the second voltage by the desired voltage difference, and wherein the detection circuit is configured to provide the signal, such that the signal indicates, whether the voltage difference between the first and the second voltage is below the desired voltage difference.
Abstract:
A device for determining an interference with a regulated voltage provided by a control loop with a unit for monitoring a control variable of the control loop and a unit for generating a notification signal if the control variable or a change in the time of the control variable is beyond a tolerance range around a normal value.
Abstract:
Spannungsregleranordnung (100) aufweisend,- einen Regeltransistor (TR) mit einem Steueranschluss (G), wobei der Steueranschluss (G) mit einem Ausgang einer Ladungspumpe (10) verbunden ist,- einen Oszillator (30) zum Ansteuern der Ladungspumpe (10) durch ein Taktsignal mit einer Frequenz, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Oszillator (30) und der Ladungspumpe (10) eine Begrenzungsschaltung (20) angeordnet ist, wobei die Begrenzungsschaltung (20) derart ausgebildet ist, dass die Frequenz des Taktsignals des Oszillators (30) auf eine externe Taktfrequenz (exT) begrenzt wird .
Abstract:
Schutzschaltung (500; 600) zum Schützen einer ersten Spannungsdomäne (VDD), wobei die erste Spannungsdomäne (VDD) über einen Reihentransistor (M1) mit einer zweiten Spannungsdomäne (VDDP) gekoppelt ist, wobei die erste Spannungsdomäne (VDD) mit einem Source-Anschluss (S) des Reihentransistors (M1) verbunden ist, und wobei die zweite Spannungsdomäne (VDDP) mit einem Senkenanschluss (D) des Reihentransistors (M1) verbunden ist, wobei die Schaltung folgende Merkmale aufweist:eine Referenzschaltung (310), die dahin gehend konfiguriert ist, ein Referenzsignal (Sref) zu liefern;einen Spannungsverschiebungs-Widerstand (R2), der mit der zweiten Spannungsdomäne (VDDP) verbunden ist;einer Stromlieferschaltung (320), die dahin gehend konfiguriert ist, auf der Basis des Referenzsignals (Sref) einen durch den Spannungsverschiebungs-Widerstand (R2) fließenden geregelten Strom zu liefern, wobei die Stromlieferschaltung (320) dahin gehend konfiguriert ist, den geregelten Strom so zu regeln, dass eine gewünschte Spannungsdifferenz über den Spannungsverschiebungs-Widerstand (R2) anhand des Referenzsignals (Sref) bestimmt wird;eine Erfassungsschaltung (330), die dahin gehend konfiguriert ist, eine Spannung an einem ersten Erfassungsschaltungseingang (332) mit einer Spannung an einem zweiten Erfassungsschaltungseingang (334) zu vergleichen, um ein Vergleichsergebnissignal (Sres) zu erhalten,wobei der erste Erfassungsschaltungseingang (332) mit der ersten Spannungsdomäne (VDD) gekoppelt ist,wobei der Spannungsverschiebungs-Widerstand (R2) zwischen die zweite Spannungsdomäne (VDDP) und den zweiten Erfassungsschaltungseingang (334) gekoppelt ist, so dass die Spannung an dem zweiten Erfassungsschaltungseingang (334) um die gewünschte Spannungsdifferenz von einer Spannung der zweiten Spannungsdomäne (VDDP) abweicht, undwobei die Erfassungsschaltung (330) dahin gehend konfiguriert ist, das Vergleichsergebnissignal (Sres) zu liefern, so dass das Vergleichsergebnissignal (Sres) angibt, ob die Spannungsdifferenz zwischen einer Spannung der zweiten Spannungsdomäne (VDD) und der Spannung der ersten Spannungsdomäne (VDDP) unter der gewünschten Spannungsdifferenz liegt; undeine Reihentransistorregelschaltung (610), die mit der Erfassungsschaltung (330) gekoppelt ist, um das Vergleichsergebnissignal (Vres) zu empfangen, und die dahin gehend konfiguriert ist, eine an einen Steueranschluss des Reihentransistors (M1) angelegte Spannung anzupassen, so dass ein Lastpfadwiderstand des Reihentransistors erhöht wird, falls das Vergleichsergebnissignal (Vres) angibt, dass die Spannungsdifferenz zwischen der Spannung der zweiten Spannungsdomäne (VDDP) und einer Spannung der ersten Spannungsdomäne (VDD) unter der gewünschten Spannungsdifferenz liegt.
Abstract:
Spannungsregler (200), aufweisend:einen Versorgungsspannungseingang (201) zum Anlegen einer Eingangs-Versorgungsspannung (VDDext);einen Versorgungsspannungsausgang (206) zum Ausgeben einer Ausgangs-Versorgungsspannung (VDDint);einen ersten Feldeffekttransistor (202) und einen zweiten Feldeffekttransistor (203),die seriell zwischen den Versorgungsspannungseingang (201) und den Versorgungsspannungsausgang (206) geschaltet sind, wobei der erste Feldeffekttransistor (202) eine höhere Betriebsspannung hat als der zweite Feldeffekttransistor (203), wobei das Gate des ersten Feldeffekttransistors (202) mit der Anode einer Diode (210) und das Gate des zweiten Feldeffekttransistors (203) mit der Kathode der Diode (210) gekoppelt sind, wobei das Drain des ersten Feldeffekttransistors (202) mit dem Versorgungsspannungseingang (201) gekoppelt ist und das Drain des zweiten Feldeffekttransistors (203) mit der Source des ersten Feldeffekttransistors (202) gekoppelt ist;einen Regler, der eingerichtet ist, die Gate-Spannung des ersten Feldeffekttransistors (202) und die Gate-Spannung des zweiten Feldeffekttransistors (203) zum Regeln der Ausgangs-Versorgungsspannung (VDDint) basierend auf einer Referenzspannung einzustellen,wobei der Regler eingerichtet ist, die Gate-Spannung des ersten Feldeffekttransistors (202) und die Gate-Spannung des zweiten Feldeffekttransistors (203) zu erhöhen, wenn die Ausgangs-Versorgungsspannung (VDDint) geringer ist als der gewünschte Spannungswert und die Gate-Spannung des ersten Feldeffekttransistors (202) und die Gate-Spannung des zweiten Feldeffekttransistors (203) zu verringern, wenn die Ausgangs-Versorgungsspannung (VDDint) höher ist als der gewünschte Spannungswert, undwobei der Regler eine Ladungspumpe (209) aufweist und eingerichtet ist, die Gate-Spannung des ersten Feldeffekttransistors (202) und die Gate-Spannung des zweiten Feldeffekttransistors (203) mittels der Ladungspumpe (209) zu erhöhen.