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    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102009033641A1

    公开(公告)日：2010-02-11

    申请号：DE102009033641

    申请日：2009-07-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KRESSE JULIA ,  MAYERL CHRISTOPH ,  SAAS CHRISTOPH ,  TISCHENDORF DENNIS ,  WEDER UWE

    IPC: G05F1/46 ,  G05F3/26

    Abstract: A circuit for detecting, whether a voltage difference is below a desired voltage difference comprises a voltage shift resistor, a current provider and a detection circuit. The current provider provides a current flowing through the voltage shift resistor such that the desired voltage difference across the voltage shift resistor is determined by a reference signal. The detection circuit is configured to compare a first voltage at a first input with a voltage at a second input to obtain a signal. The voltage shift resistor is coupled between a conductor for a second voltage and the second input, such that the voltage at the second input differs from the second voltage by the desired voltage difference, and wherein the detection circuit is configured to provide the signal, such that the signal indicates, whether the voltage difference between the first and the second voltage is below the desired voltage difference.

    Schutzschaltung
    4.
    发明专利
    Schutzschaltung 未知

    公开(公告)号：DE102009033641B4

    公开(公告)日：2020-06-04

    申请号：DE102009033641

    申请日：2009-07-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KRESSE JULIA ,  MAYERL CHRISTOPH ,  SAAS CHRISTOPH ,  TISCHENDORF DENNIS ,  WEDER UWE

    IPC: G05F1/46 ,  G05F3/26 ,  H02H9/04

    Abstract: Schutzschaltung (500; 600) zum Schützen einer ersten Spannungsdomäne (VDD), wobei die erste Spannungsdomäne (VDD) über einen Reihentransistor (M1) mit einer zweiten Spannungsdomäne (VDDP) gekoppelt ist, wobei die erste Spannungsdomäne (VDD) mit einem Source-Anschluss (S) des Reihentransistors (M1) verbunden ist, und wobei die zweite Spannungsdomäne (VDDP) mit einem Senkenanschluss (D) des Reihentransistors (M1) verbunden ist, wobei die Schaltung folgende Merkmale aufweist:eine Referenzschaltung (310), die dahin gehend konfiguriert ist, ein Referenzsignal (Sref) zu liefern;einen Spannungsverschiebungs-Widerstand (R2), der mit der zweiten Spannungsdomäne (VDDP) verbunden ist;einer Stromlieferschaltung (320), die dahin gehend konfiguriert ist, auf der Basis des Referenzsignals (Sref) einen durch den Spannungsverschiebungs-Widerstand (R2) fließenden geregelten Strom zu liefern, wobei die Stromlieferschaltung (320) dahin gehend konfiguriert ist, den geregelten Strom so zu regeln, dass eine gewünschte Spannungsdifferenz über den Spannungsverschiebungs-Widerstand (R2) anhand des Referenzsignals (Sref) bestimmt wird;eine Erfassungsschaltung (330), die dahin gehend konfiguriert ist, eine Spannung an einem ersten Erfassungsschaltungseingang (332) mit einer Spannung an einem zweiten Erfassungsschaltungseingang (334) zu vergleichen, um ein Vergleichsergebnissignal (Sres) zu erhalten,wobei der erste Erfassungsschaltungseingang (332) mit der ersten Spannungsdomäne (VDD) gekoppelt ist,wobei der Spannungsverschiebungs-Widerstand (R2) zwischen die zweite Spannungsdomäne (VDDP) und den zweiten Erfassungsschaltungseingang (334) gekoppelt ist, so dass die Spannung an dem zweiten Erfassungsschaltungseingang (334) um die gewünschte Spannungsdifferenz von einer Spannung der zweiten Spannungsdomäne (VDDP) abweicht, undwobei die Erfassungsschaltung (330) dahin gehend konfiguriert ist, das Vergleichsergebnissignal (Sres) zu liefern, so dass das Vergleichsergebnissignal (Sres) angibt, ob die Spannungsdifferenz zwischen einer Spannung der zweiten Spannungsdomäne (VDD) und der Spannung der ersten Spannungsdomäne (VDDP) unter der gewünschten Spannungsdifferenz liegt; undeine Reihentransistorregelschaltung (610), die mit der Erfassungsschaltung (330) gekoppelt ist, um das Vergleichsergebnissignal (Vres) zu empfangen, und die dahin gehend konfiguriert ist, eine an einen Steueranschluss des Reihentransistors (M1) angelegte Spannung anzupassen, so dass ein Lastpfadwiderstand des Reihentransistors erhöht wird, falls das Vergleichsergebnissignal (Vres) angibt, dass die Spannungsdifferenz zwischen der Spannung der zweiten Spannungsdomäne (VDDP) und einer Spannung der ersten Spannungsdomäne (VDD) unter der gewünschten Spannungsdifferenz liegt.

    Integrierte Schaltung mit Detektionsschaltung und zugehörige Chipkarte
    6.
    发明专利
    Integrierte Schaltung mit Detektionsschaltung und zugehörige Chipkarte 未知

    公开(公告)号：DE102019116468B3

    公开(公告)日：2020-10-29

    申请号：DE102019116468

    申请日：2019-06-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SAAS CHRISTOPH ,  MISSONI ALBERT ,  SCHNEIDER STEFAN ,  TISCHENDORF DENNIS

    IPC: H01L23/58 ,  G11C7/24

    Abstract: Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird eine integrierte Schaltung beschrieben aufweisend einen Knoten, der von einem ersten Versorgungspotential versorgt wird und mit einem zweiten Versorgungspotential derart verbunden ist, dass zwischen dem Knoten und dem zweiten Versorgungspotential ein Leckstrom fließt, eine Detektionsschaltung, die eingerichtet ist, ein zwischen dem Knoten und dem zweiten Versorgungspotential eingeprägtes Signal, dessen zeitliche Veränderung schnell gegenüber einer zeitlichen Veränderung des Leckstroms ist, zu detektieren, und eine Kompensationsschaltung, die eingerichtet ist, eine Abweichung des Potentials des Knotens von dem ersten Versorgungspotential mit einer Verzögerung, die groß ist gegenüber der zeitlichen Veränderung des Signals, zu kompensieren.

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