公开(公告)号：DE102016120883A1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：DE102016120883

申请日：2016-11-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCH MICHAEL ,  MEYER MARKUS

IPC: H01L23/34 ,  H01F17/04 ,  H01L27/08

Abstract: Ein integriertes Bauelement wird bereitgestellt. Das integrierte Bauelement enthält: ein Halbleitersubstrat; eine elektrisch leitfähige Metallstruktur; ein thermisch leitfähiges Element, das sich von der elektrisch leitfähigen Metallstruktur erstreckt und konfiguriert ist zum Ableiten von Wärme von der elektrisch leitfähigen Metallstruktur, wobei das thermisch leitfähige Element ein proximales Ende in Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Metallstruktur und ein von der elektrisch leitfähigen Metallstruktur entferntes distales Ende besitzt, wobei das distale Ende thermisch potentialfrei ist; und ein elektrisch isolierendes Material, das die Metallstruktur und das thermisch leitfähige Element kapselt, insbesondere das thermisch potentialfreie distale Ende des thermisch leitfähigen Elements.

公开(公告)号：DE102012100869B4

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：DE102012100869

申请日：2012-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHNERT WOLFGANG ,  MEYER MARKUS ,  POMPL STEFAN

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/94

Abstract: Verfahren zum Ausbilden eines Grabenkondensators (400), wobei das Verfahren Folgendes aufweist: • Ausbilden eines Grabens (410) mit Seitenwänden in einem Substrat (420); • Ausbilden einer ersten Platte (430) entlang der Seitenwände (415); • Ausbilden eines Dielektrikums (440) über der ersten Platte (430); und • Ausbilden einer zweiten Platte (450) über dem Dielektrikum (440), wobei das Ausbilden der zweiten Platte (450) aufweist: Ausbilden einer polykristallinen halbleitenden Keimschicht und anschließendes Abscheiden eines ersten zusammendrückenden polykristallinen halbleitenden Materials unter amorphen Abscheidungsbedingungen sowie Ausbilden eines zweiten dehnenden polykristallinen halbleitenden Materials über dem ersten zusammendrückenden polykristallinen halbleitenden Material.

公开(公告)号：DE102012100869A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：DE102012100869

申请日：2012-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHNERT WOLFGANG ,  MEYER MARKUS ,  POMPL STEFAN

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/762 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/105 ,  H01L29/92

Abstract: In einer Ausführungsform ist ein Verfahren zum Ausbilden einer zusammendrückenden polykristallinen halbleitenden Materialschicht (310) offenbart. Das Verfahren weist das Ausbilden einer polykristallinen halbleitenden Keimschicht (320) über einem Substrat (300) und Ausbilden einer Siliziumschicht (330) durch Abscheiden von Silizium direkt auf der polykristallinen Siliziumkeimschicht (320) unter amorphen Prozessbedingungen bei einer Temperatur unter 600°C auf.

公开(公告)号：DE102012100006B4

公开(公告)日：2020-10-15

申请号：DE102012100006

申请日：2012-01-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHNERT WOLFGANG ,  MEYER MARKUS ,  POMPL STEFAN ,  STADTMUELLER MICHAEL

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/08 ,  H01L27/108

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:• Ausbilden eines Grabens (210) in einem Substrat (205);• Ausbilden einer ersten Elektrode (230) entlang und über Seitenwänden (215) und einer Bodenfläche des Grabens (210) durch Abscheiden eines leitenden Materials;• Ausbilden einer dielektrischen Schicht (240) über der ersten Elektrode (230);• teilweises Füllen des Grabens (210) mit einem ersten halbleitenden Material (250);• Ausbilden einer Grenzfläche (260) entlang einer Oberfläche des ersten halbleitenden Materials (250); und• Füllen des Grabens (210) mit einem zweiten halbleitenden Material (270),• wobei das Ausbilden der Grenzfläche (260) entlang der Oberfläche des ersten halbleitenden Materials (250) das Ausbilden einer dünnen Oxidschicht (260) über der Oberfläche des ersten halbleitenden Materials (250) und ein Tempern mit einer Temperatur von über 900°C aufweist, wobei die dünne Schicht (260) aus Oxid eine nicht fortlaufende Schicht ausbildet, die Inseln ausbildet, und wobei die Stärke der dünnen Schicht (260) weniger als 2 nm beträgt.

公开(公告)号：DE102012100006A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：DE102012100006

申请日：2012-01-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHNERT WOLFGANG ,  MEYER MARKUS ,  POMPL STEFAN ,  STADTMUELLER MICHAEL

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/08 ,  H01L27/108

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und ein Halbleiterbauelement offenbart. Das Verfahren weist das Ausbilden eines Grabens (210) in einem Substrat (205), teilweise Füllen des Grabens (210) mit einem ersten halbleitenden Material (230), Ausbilden einer Grenzfläche (260) entlang einer Oberfläche des ersten halbleitenden Materials (230) und Füllen des Grabens (210) mit einem zweiten halbleitenden Material (250) auf. Das Halbleiterbauelement enthält eine erste Elektrode (230), die entlang Seitenwänden (215) eines Grabens (210) angeordnet ist, und ein Dielektrikum (240), das über der ersten Elektrode (230) angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement enthält ferner eine zweite Elektrode (250), die den Graben (210) mindestens teilweise füllt, wobei die zweite Elektrode (250) eine Grenzfläche (260) innerhalb der zweiten Elektrode (250) aufweist.